公开(公告)号：US09202758B1

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：US11109965

申请日：2005-04-19

申请人： Paul R. Besser ,  Minh Van Ngo ,  Connie Pin-Chin Wang ,  Jinsong Yin ,  Hieu T. Pham

发明人： Paul R. Besser ,  Minh Van Ngo ,  Connie Pin-Chin Wang ,  Jinsong Yin ,  Hieu T. Pham

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/823418 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component and a method for manufacturing the semiconductor component that are suitable for use with low temperature processing. A semiconductor substrate is provided and an optional layer of silicon nitride is formed on the semiconductor substrate using Atomic Layer Deposition (ALD). A layer of dielectric material is formed on the silicon nitride layer using Sub-Atmospheric Chemical Vapor Deposition (SACVD) at a temperature below about 450° C. When the optional layer of silicon nitride is not present, the SACVD dielectric material is formed on the semiconductor substrate. A contact hole having sidewalls is formed through the SACVD dielectric layer, through the silicon nitride layer, and exposes a portion of the semiconductor substrate. A layer of tungsten nitride is formed on the exposed portion of the semiconductor substrate and along the sidewalls of the contact hole. Tungsten is formed on the layer of tungsten nitride.

摘要翻译： 适用于低温处理的半导体元件和半导体元件的制造方法。 提供半导体衬底，并且使用原子层沉积（ALD）在半导体衬底上形成任选的氮化硅层。 使用亚大气化学气相沉积（SACVD）在低于约450℃的温度下在氮化硅层上形成介电材料层。当不存在任选的氮化硅层时，SACVD介电材料形成在 半导体衬底。 通过SACVD介电层，通过氮化硅层形成具有侧壁的接触孔，并露出半导体衬底的一部分。 在半导体衬底的暴露部分和接触孔的侧壁上形成氮化钨层。 在氮化钨层上形成钨。

公开(公告)号：US08658496B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13617291

申请日：2012-09-14

申请人： Hiroyuki Kinoshita ,  Angela Hui ,  Hsiao-Han Thio ,  Kuo-Tung Chang ,  Minh Van Ngo ,  Hiroyuki Ogawa

发明人： Hiroyuki Kinoshita ,  Angela Hui ,  Hsiao-Han Thio ,  Kuo-Tung Chang ,  Minh Van Ngo ,  Hiroyuki Ogawa

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A memory device and a method of making the memory device are provided. A first dielectric layer is formed on a substrate, a floating gate is formed on the first dielectric layer, a second dielectric layer is formed on the floating gate, a control gate is formed on the second dielectric layer, and at least one film, including a conformal film, is formed over a surface of the memory device.

摘要翻译： 提供存储器件和制造存储器件的方法。 在基板上形成第一电介质层，在第一电介质层上形成浮栅，在浮栅上形成第二电介质层，在第二电介质层上形成控制栅，还包括至少一层， 保形膜形成在存储器件的表面上。

公开(公告)号：US08564041B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US11551532

申请日：2006-10-20

申请人： Angela T. Hui ,  Wenmei Li ,  Minh Van Ngo ,  Amol Ramesh Joshi ,  Kuo-Tung Chang

发明人： Angela T. Hui ,  Wenmei Li ,  Minh Van Ngo ,  Amol Ramesh Joshi ,  Kuo-Tung Chang

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568

摘要： A memory device includes a number of memory cells and a dielectric layer formed over the memory cells. The memory device also includes contacts formed in the dielectric layer and spacers formed adjacent the side surfaces of the contacts. The spacers may inhibit leakage currents from the contacts.

摘要翻译： 存储器件包括多个存储单元和形成在存储单元上的电介质层。 存储器件还包括形成在电介质层中的触点和邻近触头的侧表面形成的间隔件。 间隔物可以抑制来自接触件的泄漏电流。

公开(公告)号：US07927723B1

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US11091524

申请日：2005-03-29

申请人： Angela T. Hui ,  Ning Cheng ,  Minh Van Ngo ,  Hirokazu Tokuno ,  Wenmei Li

发明人： Angela T. Hui ,  Ning Cheng ,  Minh Van Ngo ,  Hirokazu Tokuno ,  Wenmei Li

IPC分类号： G02B1/10 ,  G02B5/28 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00

CPC分类号： G02B5/208

摘要： A film stack includes an interlayer dielectric formed over one or more devices. The film stack further includes a first layer having a high extinction coefficient formed on the interlayer dielectric and a second layer having a low extinction coefficient formed on the first layer. The first and second layers prevent ultraviolet induced damage to the one or more devices while minimizing reflectivity for lithographic processes.

摘要翻译： 膜堆叠包括在一个或多个器件上形成的层间电介质。 薄膜叠层还包括形成在层间电介质上的具有高消光系数的第一层和形成在第一层上的具有低消光系数的第二层。 第一层和第二层防止对一种或多种设备的紫外线诱发的损坏，同时最小化光刻工艺的反射率。

公开(公告)号：US07888269B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US11256184

申请日：2005-10-24

申请人： Kouros Ghandehari ,  Hirokazu Tokuno ,  David Matsumoto ,  Christopher H. Raeder ,  Christopher Foster ,  Weidong Qian ,  Minh Van Ngo

发明人： Kouros Ghandehari ,  Hirokazu Tokuno ,  David Matsumoto ,  Christopher H. Raeder ,  Christopher Foster ,  Weidong Qian ,  Minh Van Ngo

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： G03F7/091 ,  H01L21/0276

摘要： A method includes forming a layer of silicon oxynitride (SiON), silicon rich nitride (SiRN) or silicon nitride (Si3N4) over a layer of semiconducting material. The method further includes forming a first layer of anti-reflective material over the layer of SiON, SiRN or Si3N4 and forming a second layer of anti-reflective material over the first layer. The method also includes using the first layer, second layer and layer of SiON, SiRN or Si3N4 as a mask when etching a pattern in the layer of semiconducting material.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体材料层上形成氮氧化硅（SiON），富硅氮化物（SiRN）或氮化硅（Si3N4）层。 该方法还包括在SiON，SiRN或Si 3 N 4层上形成第一层抗反射材料，并在第一层上形成第二层抗反射材料。 该方法还包括当蚀刻半导体材料层中的图案时，使用第一层，第二层和SiON，SiRN或Si3N4层作为掩模。

公开(公告)号：US07704878B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11240468

申请日：2005-10-03

申请人： Minh Van Ngo ,  Angela T. Hui ,  Amol Ramesh Joshi ,  Wenmei Li ,  Ning Cheng ,  Ankur Bhushan Agarwal ,  Norimitsu Takagi

发明人： Minh Van Ngo ,  Angela T. Hui ,  Amol Ramesh Joshi ,  Wenmei Li ,  Ning Cheng ,  Ankur Bhushan Agarwal ,  Norimitsu Takagi

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76831

摘要： A contact structure in a semiconductor device includes a layer of dielectric material and a via formed through the dielectric material. The contact structure further includes a spacer formed on sidewalls of the via using atomic layer deposition (ALD) and a metal deposited in the via.

摘要翻译： 半导体器件中的接触结构包括介电材料层和通过介电材料形成的通孔。 接触结构还包括通过使用原子层沉积（ALD）和沉积在通孔中的金属在通孔的侧壁上形成的间隔物。

公开(公告)号：US07323418B1

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US11102004

申请日：2005-04-08

申请人： Minh Van Ngo ,  Angela T. Hui ,  Sergey D. Lopatin

发明人： Minh Van Ngo ,  Angela T. Hui ,  Sergey D. Lopatin

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： G11C13/0016 ,  G11C13/0014 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1683 ,  H01L51/0591

摘要： The present invention leverages an etch-back process to provide an electrode cap for a polymer memory element. This allows the polymer memory element to be formed within a via embedded in layers formed on a substrate. By utilizing the etch-back process, the present invention provides tiny electrical contacts necessary for the proper functioning of polymer memory devices that utilize the vias. In one instance of the present invention, one or more via openings are formed in a dielectric layer to expose an underlying layer. A polymer layer is then formed within the via on the underlying layer with a top electrode material layer deposited over the polymer layer, filling the remaining portion of the via. Excess portions of the top electrode material are then removed by an etching process to form an electrode cap that provides an electrical contact point for the polymer memory element.

摘要翻译： 本发明利用回蚀工艺来提供用于聚合物存储元件的电极帽。 这允许聚合物存储元件形成在嵌入在衬底上形成的层中的通孔内。 通过利用回蚀工艺，本发明提供了利用通孔的聚合物存储器件的适当功能所需的微小电触点。 在本发明的一个实例中，在电介质层中形成一个或多个通孔以露出下层。 然后在下层上的通孔内形成聚合物层，其中沉积在聚合物层上的顶部电极材料层填充通孔的剩余部分。 然后通过蚀刻工艺去除顶部电极材料的多余部分以形成提供聚合物存储元件的电接触点的电极帽。

公开(公告)号：US07300886B1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US11147208

申请日：2005-06-08

申请人： Minh Van Ngo ,  Ning Cheng ,  Wenmei Li ,  Angela T. Hui ,  Pei-Yuan Gao ,  Robert A. Huertas

发明人： Minh Van Ngo ,  Ning Cheng ,  Wenmei Li ,  Angela T. Hui ,  Pei-Yuan Gao ,  Robert A. Huertas

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/31625 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568

摘要： A method of manufacturing a memory device includes forming a first dielectric layer over a substrate and forming a charge storage element over the first dielectric layer. The method also includes forming a second dielectric layer over the charge storage element and forming a control gate over the second dielectric layer. The method further includes depositing an interlayer dielectric over the control gate at a high temperature.

摘要翻译： 一种制造存储器件的方法包括在衬底上形成第一介电层，并在第一介电层上形成电荷存储元件。 该方法还包括在电荷存储元件上形成第二电介质层，并在第二电介质层上形成控制栅极。 该方法还包括在高温下在控制栅极上沉积层间电介质。

公开(公告)号：US07091088B1

公开(公告)日：2006-08-15

申请号：US10861437

申请日：2004-06-03

申请人： Ning Cheng ,  Clarence B. Ferguson ,  Emmanuil H. Lingunis ,  Minh Van Ngo ,  Joerg Reiss ,  Jean Y. Yang ,  Jeffrey A. Shields ,  Cyrus Tabery

发明人： Ning Cheng ,  Clarence B. Ferguson ,  Emmanuil H. Lingunis ,  Minh Van Ngo ,  Joerg Reiss ,  Jean Y. Yang ,  Jeffrey A. Shields ,  Cyrus Tabery

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76829 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/954 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting a charge trapping dielectric flash memory cell from UV-induced charging, including fabricating a charge trapping dielectric flash memory cell in a semiconductor device; depositing over the charge trapping dielectric flash memory cell at least one UV-protective layer; forming at least one layer over the at least one UV-protective layer; and etching the at least one layer to form an opening therein with an etchant species selective to stop on a layer below the at least one UV-protective layer, wherein the UV-protective layer comprises a substantially UV-opaque material.

摘要翻译： 一种保护电荷捕获电介质闪速存储器单元免受UV感应充电的方法，包括在半导体器件中制造电荷俘获电介质闪存单元; 在电荷捕获电介质闪存单元上沉积至少一个UV保护层; 在所述至少一个UV保护层上形成至少一层; 以及蚀刻所述至少一个层以在其中形成具有选择性地停留在所述至少一个UV保护层下方的层上的蚀刻剂物质的开口，其中所述UV保护层包括基本上不透紫外线的材料。

公开(公告)号：US07060554B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US10617451

申请日：2003-07-11

申请人： Minh Van Ngo ,  Mark Ramsbey ,  Tazrien Kamal ,  Pei Yuan Gao

发明人： Minh Van Ngo ,  Mark Ramsbey ,  Tazrien Kamal ,  Pei Yuan Gao

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/552 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66825 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A Si-rich silicon oxide layer having reduced UV transmission is deposited by PECVD, on an interlayer dielectric, prior to metallization, thereby reducing Vt. Embodiments include depositing a UV opaque Si-rich silicon oxide layer having an R.I. of 1.7 to 2.0.

摘要翻译： 在金属化之前，通过PECVD在层间电介质上沉积具有减少的UV透射的富Si氧化硅层，从而减少V O。 实施方案包括沉积具有1.7至2.0的R.I.的UV不透明的富Si氧化硅层。