公开(公告)号：US06214161B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09129903

申请日：1998-08-06

申请人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Andrea Schilp

发明人： Volker Becker ,  Franz Laermer ,  Andrea Schilp

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J2237/3345 ,  H01L21/3065

摘要： Method, apparatus and plasma processing system for anisotropic etching of a substrate using a plasma. A high-frequency alternating electromagnetic field is generated using an inductive coupled plasma source, and a reactive gas or reactive gas mixture is exposed to that high-frequency alternating electromagnetic field in order to generate the plasma. The electrically charged particles of the plasma are accelerated onto the substrate. An aperture having at least one effective surface for electron-ion recombination is inserted between the plasma source and the substrate.

摘要翻译： 使用等离子体对基板进行各向异性蚀刻的方法，装置和等离子体处理系统。 使用感应耦合等离子体源产生高频交变电磁场，并且将反应性气体或反应气体混合物暴露于该高频交变电磁场以产生等离子体。 等离子体的带电粒子被加速到衬底上。 具有至少一个用于电子 - 离子复合的有效表面的孔插入等离子体源和衬底之间。

公开(公告)号：US05996409A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US64495

申请日：1998-04-22

申请人： Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Bernhard Elsner ,  Wilhelm Frey

发明人： Karsten Funk ,  Franz Laermer ,  Bernhard Elsner ,  Wilhelm Frey

IPC分类号： B60R21/00 ,  B60R21/01 ,  B60R21/013 ,  B60R21/0132 ,  G01C19/56 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01C19/00 ,  G01P15/08

CPC分类号： B60R21/0132 ,  B60R21/013 ,  G01C19/5712 ,  G01P15/097 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  B60G2800/9124 ,  B60R2021/0018 ,  B60R2021/01006 ,  B60R2021/01306 ,  G01P2015/0814

摘要： An acceleration sensing device includes a rotational speed sensor which is mounted on a substrate and detects rotational speed, at least one oscillating structure with a deflectable seismic mass, and an acceleration sensor that detects linear acceleration and has at least one additional seismic mass which is suspended on flexible elements so that it can be deflected. The seismic masses of the two sensors are deflected independently of one another.

摘要翻译： 加速度感测装置包括安装在基板上并检测转速的转速传感器，具有可偏转地震质量的至少一个振荡结构和检测线性加速度的至少一个额外的地震块悬挂的加速度传感器 在柔性元件上，使其可以偏转。 两个传感器的地震质量彼此独立地偏转。

公开(公告)号：US5498312A

公开(公告)日：1996-03-12

申请号：US243783

申请日：1994-05-17

申请人： Franz Laermer ,  Andrea Schilp

发明人： Franz Laermer ,  Andrea Schilp

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00

CPC分类号： B81C1/00531 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/30655 ,  H01J2237/3347

摘要： A method for anisotropic plasma etching of silicon substrates, a plasma etching apparatus for implementing the method, and an electronic device manufactured according to the method, which method includes the steps of positioning a substrate having a surface to be depleted by etching within a processing chamber and in communication with an electrode; introducing a gas mixture including an etching gas and a passivating gas which are essentially free of chlorine, bromine or iodine into the processing chamber, the etching gas including at least one halogen or halogen compound and the passivating gas including at least one polymer-generating monomer; exciting the gas mixture with electromagnetic radiation effective to produce a plasma containing ions; and applying a voltage to one of the substrate or the electrode to accelerate the ions toward the substrate and provide the ions with an energy ranging from about 1 to about 40 eV, preferably from about 10 to about 30 eV, when the ions impinge on the surface of the substrate.

摘要翻译： 一种用于硅衬底的各向异性等离子体蚀刻的方法，用于实现该方法的等离子体蚀刻装置和根据该方法制造的电子器件，该方法包括以下步骤：将具有待蚀刻表面的衬底定位在处理室内 并与电极连通; 将包括基本上不含氯，溴或碘的蚀刻气体和钝化气体的气体混合物引入到处理室中，所述蚀刻气体包括至少一种卤素或卤素化合物，所述钝化气体包括至少一种聚合物产生单体 ; 用电磁辐射激发气体混合物，有效地产生含有离子的等离子体; 以及向所述衬底或所述电极之一施加电压以将所述离子加速到所述衬底，并且当所述离子撞击到所述衬底上时，向所述离子提供约1至约40eV，优选约10至约30eV的能量 基板的表面。

公开(公告)号：US08637945B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13259570

申请日：2010-04-07

申请人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： H04R19/005 ,  Y10T428/31663

摘要： A component having a robust, but acoustically sensitive microphone structure is provided and a simple and cost-effective method for its production. This microphone structure includes an acoustically active diaphragm, which functions as deflectable electrode of a microphone capacitor, a stationary, acoustically permeable counter element, which functions as counter electrode of the microphone capacitor, and an arrangement for detecting and analyzing the capacitance changes of the microphone capacitor. The diaphragm is realized in a diaphragm layer above the semiconductor substrate of the component and covers a sound opening in the substrate rear. The counter element is developed in a further layer above the diaphragm. This further layer generally extends across the entire component surface and compensates level differences, so that the entire component surface is largely planar according to this additional layer. This allows a foil to be applied on the layer configuration of the microphone structures exposed in the wafer composite, which makes it possible to dice up the components in a standard sawing process.

摘要翻译： 提供具有坚固但声学敏感的麦克风结构的部件，并且是用于其生产的简单且成本有效的方法。 这种麦克风结构包括一个声学活动的隔膜，它起着麦克风电容器的可偏转电极的作用，一个固定的，声学可渗透的计数元件，起着麦克风电容器的对电极的作用，以及用于检测和分析麦克风的电容变化的装置 电容器。 膜片在元件的半导体衬底上方的隔膜层中实现，并覆盖衬底后部的声音开口。 计数元件在膜片上方的另一层中显影。 该另一层通常跨越整个组件表面延伸并补偿水平差，使得根据该附加层，整个组件表面大部分是平面的。 这允许将箔施加在暴露在晶片复合材料中的麦克风结构的层结构上，这使得可以在标准锯切工艺中引导部件。

公开(公告)号：US08629011B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13161194

申请日：2011-06-15

申请人： Brett M. Diamond ,  Franz Laermer ,  Andrew J. Doller ,  Michael J. Daley ,  Phillip Sean Stetson ,  John M. Muza

发明人： Brett M. Diamond ,  Franz Laermer ,  Andrew J. Doller ,  Michael J. Daley ,  Phillip Sean Stetson ,  John M. Muza

IPC分类号： H01L21/339

CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0119 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/075 ,  B81C2203/0778 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

摘要： A method of manufacturing a microphone using epitaxially grown silicon. A monolithic wafer structure is provided. A wafer surface of the structure includes poly-crystalline silicon in a first horizontal region and mono-crystalline silicon in a second horizontal region surrounding a perimeter of the first horizontal region. A hybrid silicon layer is epitaxially deposited on the wafer surface. Portions of the hybrid silicon layer that contact the poly-crystalline silicon use the poly-crystalline silicon as a seed material and portions that contact the mono-crystalline silicon use the mono-crystalline silicon as a seed material. As such, the hybrid silicon layer includes both mono-crystalline silicon and poly-crystalline silicon in the same layer of the same wafer structure. A CMOS/membrane layer is then deposited on top of the hybrid silicon layer.

摘要翻译： 使用外延生长硅制造麦克风的方法。 提供了一种单片晶圆结构。 该结构的晶片表面包括第一水平区域中的多晶硅和围绕第一水平区域的周边的第二水平区域中的单晶硅。 杂化硅层外延沉积在晶片表面上。 接触多晶硅的混合硅层的部分使用多晶硅作为种子材料，并且接触单晶硅的部分使用单晶硅作为种子材料。 这样，混合硅层在同一晶片结构的相同层中包括单晶硅和多晶硅两者。 然后将CMOS /膜层沉积在混合硅层的顶部。

公开(公告)号：US08607450B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12811936

申请日：2008-12-17

申请人： Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach

发明人： Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach

IPC分类号： B23P17/00

CPC分类号： F04B43/043 ,  F04B19/006

摘要： A method for manufacturing a micropump, which may be for the metered delivery of insulin, multiple layers being situated on the front side of a first carrier layer, which has a front side and a rear side, and microfluidic functional elements being formed by structuring at least one of the layers. It is provided that the structuring of the at least one layer for manufacturing all microfluidic functional elements is exclusively performed by front side structuring. Furthermore, a micropump is disclosed.

摘要翻译： 一种制造微型泵的方法，该微型泵可以用于计量输送胰岛素，多层位于具有前侧和后侧的第一载体层的前侧，微流体功能元件通过在 至少一层。 提供用于制造所有微流控功能元件的至少一层的结构化仅通过前端结构进行。 此外，公开了一种微型泵。

公开(公告)号：US08377315B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12810973

申请日：2008-11-19

申请人： Dick Scholten ,  Tjalf Pirk ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach ,  Ando Feyh

发明人： Dick Scholten ,  Tjalf Pirk ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ralf Reichenbach ,  Ando Feyh

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： A61K9/0019 ,  A61B5/02755 ,  A61K9/0024 ,  A61K9/2009 ,  A61K31/337 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/0023 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0115 ,  Y10T428/249978

摘要： A method for manufacturing porous microstructures in a silicon semiconductor substrate, porous microstructures manufactured according to this method, and the use thereof.

摘要翻译： 一种用于制造硅半导体衬底中的多孔微结构的方法，根据该方法制造的多孔微结构及其用途。

公开(公告)号：US08354033B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US12227509

申请日：2007-04-27

申请人： Dick Scholten ,  Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ando Feyh ,  Christian Maeurer

发明人： Dick Scholten ,  Julia Cassemeyer ,  Michael Stumber ,  Franz Laermer ,  Ando Feyh ,  Christian Maeurer

IPC分类号： B44C1/22 ,  C25F3/00

CPC分类号： B81C1/00119 ,  A61M37/0015 ,  A61M2037/003 ,  A61M2037/0038 ,  A61M2037/0046 ,  A61M2037/0053 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0115

摘要： A method for producing porous microneedles (10) situated in an array on a silicon substrate includes: providing a silicon substrate, applying a first etching mask, patterning microneedles using a DRIE process (“deep reactive ion etching”), removing the first etching mask, at least partially porosifying the Si substrate, the porosification beginning on the front side of the Si substrate and a porous reservoir being formed.

摘要翻译： 一种制造位于硅衬底上的多孔微针（10）的方法，包括：提供硅衬底，施加第一蚀刻掩模，使用DRIE工艺（深反应离子蚀刻）图案化微针，去除第一蚀刻掩模， 至少部分地使Si衬底开孔，从Si衬底的正面开始的开孔化和形成的多孔容器。

公开(公告)号：US20120319219A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13161194

申请日：2011-06-15

申请人： Brett M. Diamond ,  Franz Laermer ,  Andrew J. Doller ,  Michael J. Daley ,  Phillip Sean Stetson ,  John M. Muza

发明人： Brett M. Diamond ,  Franz Laermer ,  Andrew J. Doller ,  Michael J. Daley ,  Phillip Sean Stetson ,  John M. Muza

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/84

CPC分类号： H04R19/005 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0119 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/075 ,  B81C2203/0778 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

摘要： A method of manufacturing a microphone using epitaxially grown silicon. A monolithic wafer structure is provided. A wafer surface of the structure includes poly-crystalline silicon in a first horizontal region and mono-crystalline silicon in a second horizontal region surrounding a perimeter of the first horizontal region. A hybrid silicon layer is epitaxially deposited on the wafer surface. Portions of the hybrid silicon layer that contact the poly-crystalline silicon use the poly-crystalline silicon as a seed material and portions that contact the mono-crystalline silicon use the mono-crystalline silicon as a seed material. As such, the hybrid silicon layer includes both mono-crystalline silicon and poly-crystalline silicon in the same layer of the same wafer structure. A CMOS/membrane layer is then deposited on top of the hybrid silicon layer.

摘要翻译： 使用外延生长硅制造麦克风的方法。 提供了一种单片晶圆结构。 该结构的晶片表面包括第一水平区域中的多晶硅和围绕第一水平区域的周边的第二水平区域中的单晶硅。 杂化硅层外延沉积在晶片表面上。 接触多晶硅的混合硅层的部分使用多晶硅作为种子材料，并且接触单晶硅的部分使用单晶硅作为种子材料。 这样，混合硅层在同一晶片结构的相同层中包括单晶硅和多晶硅两者。 然后将CMOS /膜层沉积在混合硅层的顶部。

公开(公告)号：US20120091544A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13259570

申请日：2010-04-07

申请人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

发明人： Frank Reichenbach ,  Thomas Buck ,  Jochen Zoellin ,  Franz Laermer ,  Ulrike Scholz ,  Kathrin van Teeffelen ,  Christina Leinenbach

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： H04R19/005 ,  Y10T428/31663

摘要： A component having a robust, but acoustically sensitive microphone structure is provided and a simple and cost-effective method for its production. This microphone structure includes an acoustically active diaphragm, which functions as deflectable electrode of a microphone capacitor, a stationary, acoustically permeable counter element, which functions as counter electrode of the microphone capacitor, and an arrangement for detecting and analyzing the capacitance changes of the microphone capacitor. The diaphragm is realized in a diaphragm layer above the semiconductor substrate of the component and covers a sound opening in the substrate rear. The counter element is developed in a further layer above the diaphragm. This further layer generally extends across the entire component surface and compensates level differences, so that the entire component surface is largely planar according to this additional layer. This allows a foil to be applied on the layer configuration of the microphone structures exposed in the wafer composite, which makes it possible to dice up the components in a standard sawing process.

摘要翻译： 提供具有坚固但声学敏感的麦克风结构的部件，并且是用于其生产的简单且成本有效的方法。 这种麦克风结构包括一个声学活动的隔膜，它起着麦克风电容器的可偏转电极的作用，一个固定的，声学可渗透的计数元件，起着麦克风电容器的对电极的作用，以及用于检测和分析麦克风的电容变化的装置 电容器。 膜片在元件的半导体衬底上方的隔膜层中实现，并覆盖衬底后部的声音开口。 计数元件在膜片上方的另一层中显影。 该另一层通常跨越整个组件表面延伸并补偿水平差，使得根据该附加层，整个组件表面大部分是平面的。 这允许将箔施加在暴露在晶片复合材料中的麦克风结构的层结构上，这使得可以在标准锯切工艺中引导部件。