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公开(公告)号：US20100326527A1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：US12865964
申请日：2009-02-05
申请人： Antonio Facchetti , Zhihua Chen , He Yan , Yan Zheng , Jordan Quinn , Marcel Kastler , Florian Doetz , Silke Koehler
发明人： Antonio Facchetti , Zhihua Chen , He Yan , Yan Zheng , Jordan Quinn , Marcel Kastler , Florian Doetz , Silke Koehler
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/10 , C08G61/12 , C09B5/62 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/106 , C09K11/06 , C09K2211/1458 , C09K2211/1483 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0094 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Disclosed are new semiconductor materials prepared from naphthalene-imide copolymers. Such polymers can exhibit desirable electronic properties and can possess processing advantages including solution-processability and/or good stability at ambient conditions.
摘要翻译： 公开了由萘 - 酰亚胺共聚物制备的新的半导体材料。 这样的聚合物可以表现出所需的电子性质，并且可以具有包括溶液加工性和/或在环境条件下的良好稳定性的加工优点。
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82.发明授权公开(公告)号：US07816480B2
公开(公告)日：2010-10-19
申请号：US12563680
申请日：2009-09-21
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Gang Lu , Hakan Usta , Joseph Letizia
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Gang Lu , Hakan Usta , Joseph Letizia
IPC分类号： C08G77/04
CPC分类号： H01L51/0094 , H01L51/0508 , Y02E10/549 , Y10T428/31504
摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.
摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供了包含式I的重复单元的聚合物：其中R1，R2，R3，R4，R5R6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。
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83.发明授权公开(公告)号：US07678463B2
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：US11642504
申请日：2006-12-20
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti
IPC分类号： B32B25/20
CPC分类号： H01L51/0529 , B82Y30/00 , H01L51/052 , H01L51/0533 , H01L51/0545 , H01L51/0579 , Y10T428/31536 , Y10T428/31663
摘要： Compositions, methods of using inorganic moieties for dielectric modulation, and related device structures.
摘要翻译： 组合物，使用无机部分进行介电调制的方法以及相关的器件结构。
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84.发明授权High-performance field effect transistors with self-assembled nanodielectrics 有权具有自组装纳米电介质的高性能场效应晶体管公开(公告)号：US07633130B2
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：US11725350
申请日：2007-03-19
申请人： Tobin J. Marks , Peide Ye , Antonio Facchetti , Gang Lu , Han Chung Lin
发明人： Tobin J. Marks , Peide Ye , Antonio Facchetti , Gang Lu , Han Chung Lin
IPC分类号： H01L29/76
CPC分类号： H01L51/052 , B82Y10/00 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02299 , H01L21/3122
摘要： Field effect transistor devices comprising III-V semiconductors and organic gate dielectric materials, such dielectric materials as can afford flexibility in device design and fabrication.
摘要翻译： 包括III-V半导体和有机栅极介电材料的场效应晶体管器件，诸如能够在器件设计和制造中提供灵活性的介电材料。
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85.发明授权公开(公告)号：US07605225B2
公开(公告)日：2009-10-20
申请号：US11803020
申请日：2007-05-11
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Gang Lu , Hakan Usta , Joseph Letizia
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Gang Lu , Hakan Usta , Joseph Letizia
IPC分类号： C08G75/00
CPC分类号： H01L51/0094 , H01L51/0508 , Y02E10/549 , Y10T428/31504
摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5, R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.
摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供包含式I的重复单元的聚合物：其中R 1，R 2，R 3，R 4，R 5，R 6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。
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公开(公告)号：US20090206341A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：US12322399
申请日：2009-02-02
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/208
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/0256 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L27/1292 , H01L29/78681
摘要： Fluid media comprising inorganic semiconductor components for fabrication of thin film transistor devices.
摘要翻译： 包含用于制造薄膜晶体管器件的无机半导体元件的流体介质。
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公开(公告)号：US20080249309A1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：US12011030
申请日：2008-01-23
申请人： Antonio Facchetti , Tobin J. Marks , He Yan
发明人： Antonio Facchetti , Tobin J. Marks , He Yan
IPC分类号： C07D471/06 , H01L51/40
CPC分类号： C07D471/06 , C07D471/12 , H01L51/0053 , Y02E10/549
摘要： The present teachings provide novel organic semiconductor compounds and their soluble precursors, methods for preparing these compounds and precursors, as well as compositions, materials, articles, structures, and devices that incorporate such compounds.
摘要翻译： 本发明提供新颖的有机半导体化合物及其可溶性前体，制备这些化合物和前体的方法，以及掺入这些化合物的组合物，材料，制品，结构和装置。
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88.发明申请Gate dielectric structures, organic semiconductors, thin film transistors and related methods 审中-公开栅介质结构，有机半导体，薄膜晶体管及相关方法公开(公告)号：US20080224127A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：US11895000
申请日：2007-08-22
CPC分类号： H01L51/0533 , H01L51/0036 , H01L51/0068
摘要： Gate dielectric structures comprising an organic polymeric component, and organic semiconductor components, as can be used to fabricate thin film transistor devices.
摘要翻译： 包括可用于制造薄膜晶体管器件的有机聚合物组分和有机半导体组分的栅介质结构。
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89.发明申请公开(公告)号：US20080167435A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：US11977418
申请日：2007-10-24
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , He Yan
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , He Yan
IPC分类号： C08F226/06 , C07D491/06 , C07D491/048
CPC分类号： C07D519/00 , C08F226/06 , C09B5/62 , C09B69/103 , H01L51/0026 , H01L51/004 , H01L51/0053 , H01L51/0058 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L2924/19041
摘要： Solution-processable organic n-type semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the organic n-type semiconductor materials also are provided.
摘要翻译： 可溶液加工的有机n型半导体材料具有制备方法。 还提供了包括有机n型半导体材料的复合材料和电子器件。
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90.发明申请Photopolymer-based dielectric materials and methods of preparation and use thereof 有权基于光聚合物的介电材料及其制备方法和用途公开(公告)号：US20080161524A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：US11998159
申请日：2007-11-28
申请人： He Yan , Antonio Facchetti , Tobin J. Marks
发明人： He Yan , Antonio Facchetti , Tobin J. Marks
IPC分类号： C08F118/14 , C08F120/10 , C08F136/02 , C08J7/18
CPC分类号： C08F220/10
摘要： Photopolymer-based dielectric materials are provided with methods for preparing the same. Composites and electronic devices including such dielectric materials also are provided.
摘要翻译： 提供基于光聚合物的介电材料具有制备该介电材料的方法。 还提供了包括这种电介质材料的复合材料和电子器件。
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