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    Ray tracing apparatus and method
    1.
    发明授权
    Ray tracing apparatus and method 有权
    射线跟踪装置及方法

    公开(公告)号：US09355491B2

    公开(公告)日：2016-05-31

    申请号：US13067733

    申请日：2011-06-22

    申请人： Chan Min Park ,  Tack Don Han ,  Jin Woo Kim ,  Jeong Soo Park ,  Jae Ho Nah

    发明人： Chan Min Park ,  Tack Don Han ,  Jin Woo Kim ,  Jeong Soo Park ,  Jae Ho Nah

    IPC分类号： G06T15/06 ,  G06T17/00

    CPC分类号： G06T15/06 ,  G06T17/005

    摘要： An image processing apparatus is provided. A splitting unit of the image processing apparatus may split a first space within an input three-dimensional (3D) model into a plurality of subspaces in order to generate an acceleration structure of the input 3D model. A decision unit of the image processing apparatus may set a subspace determined as having a relatively high probability of including a ray progress path among the plurality of subspaces, as a child node having a relatively high traversal priority in the acceleration structure among a plurality of child nodes.

    摘要翻译： 提供一种图像处理装置。 图像处理装置的分割单元可以将输入三维（3D）模型内的第一空间分割成多个子空间，以便生成输入3D模型的加速结构。 图像处理装置的判定单元可以将在多个子空间中包括射线进入路径的相对较高概率的子空间设置为多个孩子中的加速结构中具有较高遍历优先级的子节点 节点。

    Image rendering apparatus and method
    3.
    发明申请
    Image rendering apparatus and method 有权
    图像渲染装置和方法

    公开(公告)号：US20120081368A1

    公开(公告)日：2012-04-05

    申请号：US13067531

    申请日：2011-06-07

    申请人： Chan Min Park ,  Jae Ho Nah ,  Tack Don Han ,  Jeong Soo Park

    发明人： Chan Min Park ,  Jae Ho Nah ,  Tack Don Han ,  Jeong Soo Park

    IPC分类号： G06T15/50

    CPC分类号： G06T15/06 ,  G06T1/20 ,  G06T15/005

    摘要： An image rendering apparatus may include a buffer memory unit and a processor. The buffer memory unit may store input ray data for image rendering according to a ray tracing scheme while shape data corresponding to the input ray data is being fetched from a cache. The processor may output the received shape data together with the input ray data to an operation apparatus.

    摘要翻译： 图像渲染装置可以包括缓冲存储器单元和处理器。 缓冲存储器单元可以存储用于根据光线跟踪方案进行图像渲染的输入光线数据，同时从高速缓存取出对应于输入的光线数据的形状数据。 处理器可以将接收到的形状数据与输入的射线数据一起输出到操作装置。

    SUB-WORD LINE DRIVER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE SAME
    6.
    发明申请
    SUB-WORD LINE DRIVER CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE SAME 有权
    子字线驱动器电路和具有相同功能的半导体存储器件

    公开(公告)号：US20110032786A1

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：US12839454

    申请日：2010-07-20

    申请人： Hyang-Ja Yang ,  Jeong-Soo Park

    发明人： Hyang-Ja Yang ,  Jeong-Soo Park

    IPC分类号： G11C8/08 ,  H03K3/00

    CPC分类号： G11C8/08

    摘要： A sub-word line driver includes a substrate, a plurality of gate lines and at least one gate tab. The substrate includes a plurality of isolation areas and a plurality of active areas, where the two active areas are separated by each isolation area, and the isolation areas and the active areas are extended in a first direction and are arranged in a second direction perpendicular to the first direction. The plurality of gate lines are formed on the substrate, where the gate lines are extended in a second direction and are arranged in the first direction. The at least one gate tab is formed on the substrate, where the at least one gate tab is extended in the first direction to cover the isolation area. Incorrect operation of the sub-word line driver may be prevented, and a power consumption of the sub-word line driver may be reduced.

    摘要翻译： 子字线驱动器包括衬底，多个栅极线和至少一个栅极突起。 衬底包括多个隔离区域和多个有效区域，其中两个有源区域由每个隔离区域分开，并且隔离区域和有源区域在第一方向上延伸并且沿垂直于 第一个方向。 多个栅极线形成在基板上，其中栅极线沿第二方向延伸并且沿第一方向布置。 所述至少一个栅极突片形成在所述基板上，其中所述至少一个栅极突片在所述第一方向上延伸以覆盖所述隔离区域。 可以防止子字线驱动器的不正确的操作，并且可以减少子字线驱动器的功耗。

    Image processing apparatus and method
    9.
    发明授权
    Image processing apparatus and method 有权
    图像处理装置及方法

    公开(公告)号：US08963920B2

    公开(公告)日：2015-02-24

    申请号：US13067515

    申请日：2011-06-06

    申请人： Chan Min Park ,  Tack Don Han ,  Jeong Soo Park ,  Jae Ho Nah ,  Yun Hye Jung

    发明人： Chan Min Park ,  Tack Don Han ,  Jeong Soo Park ,  Jae Ho Nah ,  Yun Hye Jung

    IPC分类号： G06T15/06

    CPC分类号： G06T15/06

    摘要： Provided is an image processing apparatus. The image processing apparatus may perform an intersection test for rendering of a ray tracing scheme. The image processing apparatus may include a first calculator and a second calculator. The first calculator may perform a ray-plane test to determine whether a ray intersects a plane including a primitive and a barycentric test to determine whether the ray intersects the primitive. The second calculator may calculate a hit point based on the ray which intersects the primitive.

    摘要翻译： 提供了一种图像处理装置。 图像处理装置可以执行用于渲染光线跟踪方案的交叉测试。 图像处理装置可以包括第一计算器和第二计算器。 第一计算器可以执行射线平面测试以确定射线是否与包括原始和重心测试的平面相交，以确定射线是否与原始物相交。 第二计算器可以基于与原语相交的射线计算命中点。

    Method for manufacturing a semiconductor device
    10.
    发明授权
    Method for manufacturing a semiconductor device 有权
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：US08455309B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US13347361

    申请日：2012-01-10

    申请人： Song-Ju Lee ,  Jeong Soo Park ,  Byung-Gook Park ,  Hyun Woo Kim

    发明人： Song-Ju Lee ,  Jeong Soo Park ,  Byung-Gook Park ,  Hyun Woo Kim

    IPC分类号： H01L33/08

    CPC分类号： H01L29/66356 ,  H01L29/7391

    摘要： A technology is capable of simplifying a process of manufacturing an asymmetric device in forming a Tunneling Field Effect Transistor (TFET) structure. A method for manufacturing a semiconductor device comprises forming a conductive pattern over a semiconductor substrate, implanting impurity ions with the conductive pattern as a mask to form a first junction region in the semiconductor substrate, forming a first insulating film planarized with the conductive pattern over the first junction region, etching the top of the conductive pattern to expose a sidewall of the first insulating film, forming a spacer at the sidewall of the first insulating film disposed over the conductive pattern, etching the conductive pattern with the spacer as an etching mask to form a gate pattern, and forming a second junction region in the semiconductor substrate with the gate pattern as a mask.

    摘要翻译： 一种技术能够简化在形成隧道场效应晶体管（TFET）结构中制造非对称器件的工艺。 一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成导电图案，将导电图案作为掩模注入杂质离子，以在半导体衬底中形成第一结区，在导电图案上形成平坦化的第一绝缘膜， 第一接合区域，蚀刻导电图案的顶部以暴露第一绝缘膜的侧壁，在布置在导电图案上的第一绝缘膜的侧壁处形成间隔物，用间隔物蚀刻导电图案作为蚀刻掩模， 形成栅极图案，并且以栅极图案作为掩模在半导体衬底中形成第二结区域。