公开(公告)号：US4510176A

公开(公告)日：1985-04-09

申请号：US535916

申请日：1983-09-26

申请人： John D. Cuthbert ,  Nicholas A. Soos

发明人： John D. Cuthbert ,  Nicholas A. Soos

IPC分类号： B05C11/06 ,  B05D1/42 ,  G03F7/16 ,  B05D5/12

CPC分类号： B05D1/42 ,  B05C11/06 ,  G03F7/162

摘要： The specification describes techniques for removing the edge bead region from a coated semiconductor wafer by directing a jet of solvent at the wafer periphery while the wafer is spinning. The flow patterns of debris resulting from this removal are controlled to prevent contamination of the chip sites on the wafer.

摘要翻译： 本说明书描述了通过在晶片旋转时在晶片周边引导溶剂射流来从涂覆的半导体晶片去除边缘焊道区域的技术。 控制由该去除产生的碎片的流动模式，以防止晶片上芯片位置的污染。

公开(公告)号：US4240195A

公开(公告)日：1980-12-23

申请号：US942861

申请日：1978-09-15

申请人： James T. Clemens ,  John D. Cuthbert ,  Frank J. Procyk ,  George M. Trout

发明人： James T. Clemens ,  John D. Cuthbert ,  Frank J. Procyk ,  George M. Trout

IPC分类号： G11C14/00 ,  G11C11/40 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/535 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  B01J17/00

CPC分类号： H01L27/10844 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L27/10805 ,  H01L2924/0002

摘要： A memory in which each cell comprises an MOS transistor merged with a storage capacitor and in which the cells are arranged to permit adjacent pairs of transistors in a common column to share a common source and the transistors in a common row to share a common gate electrode conductor. The memory uses a first polycrystalline silicon layer which is patterned to provide interconnected storage electrodes and a second polycrystalline silicon layer which is patterned to provide a plurality of stripes to serve as the bit sense lines and a plurality of gate electrodes.

摘要翻译： 一种存储器，其中每个单元包括与存储电容器合并的MOS晶体管，其中所述单元被布置成允许公共列中的相邻晶体管共享公共源，并且共用行中的晶体管共享公共栅电极 导体。 存储器使用图案化以提供互连的存储电极的第一多晶硅层和被图案化以提供多个条纹以用作位感测线和多个栅电极的第二多晶硅层。

公开(公告)号：US5264076A

公开(公告)日：1993-11-23

申请号：US991789

申请日：1992-12-17

申请人： John D. Cuthbert ,  David P. Favreau

发明人： John D. Cuthbert ,  David P. Favreau

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/32139

摘要： A layer of spin-on-glass is used as a hard mask for patterning an underlying layer of polysilicon. The patterned polysilicon may be used in the gate structures of field effect transistors.

摘要翻译： 使用一层旋涂玻璃作为用于图案化多晶硅下层的硬掩模。 图案化的多晶硅可以用于场效应晶体管的栅极结构。

公开(公告)号：US4788117A

公开(公告)日：1988-11-29

申请号：US7560

申请日：1987-01-28

申请人： John D. Cuthbert ,  Dennis E. Schrope ,  Tungsheng Yang

发明人： John D. Cuthbert ,  Dennis E. Schrope ,  Tungsheng Yang

IPC分类号： G01N21/88 ,  G01N21/956 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/20

摘要： A non-destructive double exposure method of examining photoresist features in section by, e.g., scanning electron microscopy, is described.