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    Polishing fluid for metal, and polishing method
    2.
    发明申请
    Polishing fluid for metal, and polishing method 审中-公开
    抛光液用于金属和抛光方法

    公开(公告)号：US20060143990A1

    公开(公告)日：2006-07-06

    申请号：US10560228

    申请日：2003-06-13

    申请人： Hiroshi Ono ,  Katsuyuki Masuda ,  Masanobu Habiro

    发明人： Hiroshi Ono ,  Katsuyuki Masuda ,  Masanobu Habiro

    IPC分类号： C09K3/14

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

    摘要： A polishing slurry for metal comprises an oxidizer, a metal oxide dissolving agent, a metal inhibitor, and water, wherein the metal inhibitor is at least one of a compound having an amino-triazole skeleton and a compound having an imidazole skeleton. The use of the polishing slurry for metal makes it possible to raise the polishing speed sufficiently while keeping the etching speed low, restrain the generation of corrosion of the surface of a metal and dishing, and form a metal-film-buried pattern having a high reliability in the process of formation of wiring of semiconductor devices.

    摘要翻译： 金属研磨用浆料包含氧化剂，金属氧化物溶解剂，金属抑制剂和水，其中金属抑制剂是具有氨基 - 三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。 通过使用金属研磨用浆料，能够使蚀刻速度保持在较低的水平，提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和凹陷的产生，形成高的金属膜埋藏图案 在半导体器件布线形成过程中的可靠性。

    Polishing slurry for metal, and polishing method
    4.
    发明申请
    Polishing slurry for metal, and polishing method 失效
    金属抛光浆和抛光方法

    公开(公告)号：US20090117829A1

    公开(公告)日：2009-05-07

    申请号：US12318376

    申请日：2008-12-29

    申请人： Hiroshi Ono ,  Katsuyuki Masuda ,  Masanobu Habiro

    发明人： Hiroshi Ono ,  Katsuyuki Masuda ,  Masanobu Habiro

    IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B29/00

    CPC分类号： B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C23F1/42 ,  C23F3/00 ,  C23F3/06 ,  H01L21/3212

    摘要： A polishing slurry for metal comprises an oxidizer, a metal oxide dissolving agent, a metal inhibitor, and water, wherein the metal inhibitor is at least one of a compound having an amino-triazole skeleton and a compound having an imidazole skeleton. The use of the polishing slurry for metal makes it possible to raise the polishing speed sufficiently while keeping the etching speed low, restrain the generation of corrosion of the surface of a metal and dishing, and form a metal-film-buried pattern having a high reliability in the process of formation of wiring of semiconductor devices.

    摘要翻译： 金属研磨用浆料包含氧化剂，金属氧化物溶解剂，金属抑制剂和水，其中金属抑制剂是具有氨基 - 三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。 通过使用金属研磨用浆料，能够使蚀刻速度保持在较低的水平，提高研磨速度，抑制金属表面的腐蚀和凹陷的产生，形成高的金属膜埋藏图案 在半导体器件布线形成过程中的可靠性。

    POLISHING SLURRY FOR CMP
    5.
    发明申请
    POLISHING SLURRY FOR CMP 审中-公开
    CMP抛光浆

    公开(公告)号：US20110027994A1

    公开(公告)日：2011-02-03

    申请号：US12900926

    申请日：2010-10-08

    申请人： Katsumi Mabuchi ,  Haruo Akahoshi ,  Yasuo Kamigata ,  Masanobu Habiro ,  Hiroshi Ono

    发明人： Katsumi Mabuchi ,  Haruo Akahoshi ,  Yasuo Kamigata ,  Masanobu Habiro ,  Hiroshi Ono

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

    摘要： A polishing liquid for CMP has a composition loaded with, for example, an inorganic salt, a protective film forming agent and a surfactant capable of imparting a dissolution accelerating activity to enlarge a difference between polishing speed under non-load and polishing speed under load. By virtue of this polishing liquid for CMP, there can be simultaneously accomplished a speed increase for increasing CMP productivity, and wiring planarization for miniaturization and multilayer formation of wiring.

    摘要翻译： 用于CMP的抛光液具有负载有例如无机盐，保护膜形成剂和能够赋予溶解促进活性的表面活性剂的组合物，以增加负载下的抛光速度和负载下的抛光速度之间的差异。 由于该CMP用抛光液，可以同时实现提高CMP生产率的速度增加，以及用于小型化和布线的多层形成的布线平面化。

    Polishing Slurry for Cmp
    8.
    发明申请
    Polishing Slurry for Cmp 审中-公开
    抛光浆料为Cmp

    公开(公告)号：US20080105651A1

    公开(公告)日：2008-05-08

    申请号：US11572321

    申请日：2005-08-09

    申请人： Katsumi Mabuchi ,  Haruo Akahoshi ,  Yasuo Kamigata ,  Masanobu Habiro ,  Hiroshi Ono

    发明人： Katsumi Mabuchi ,  Haruo Akahoshi ,  Yasuo Kamigata ,  Masanobu Habiro ,  Hiroshi Ono

    IPC分类号： C09K13/00 ,  C03C15/00

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

    摘要： A polishing liquid for CMP has a composition loaded with, for example, an inorganic salt, a protective film forming agent and a surfactant capable of imparting a dissolution accelerating activity to enlarge a difference between polishing speed under non-load and polishing speed under load. By virtue of this polishing liquid for CMP, there can be simultaneously accomplished a speed increase for increasing CMP productivity, and wiring planarization for miniaturization and multilayer formation of wiring.

    摘要翻译： 用于CMP的抛光液具有负载有例如无机盐，保护膜形成剂和能够赋予溶解促进活性的表面活性剂的组合物，以增加负载下的抛光速度和负载下的抛光速度之间的差异。 由于该CMP用抛光液，可以同时实现提高CMP生产率的速度增加，以及用于小型化和布线的多层形成的布线平面化。

    Abrasive-free polishing slurry and CMP process
    9.
    发明申请
    Abrasive-free polishing slurry and CMP process 审中-公开
    无磨料抛光浆和CMP工艺

    公开(公告)号：US20070147551A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11643691

    申请日：2006-12-22

    申请人： Katsumi Mabuchi ,  Haruo Akahoshi ,  Masanobu Habiro ,  Takafumi Sakurada ,  Yutaka Nomura

    发明人： Katsumi Mabuchi ,  Haruo Akahoshi ,  Masanobu Habiro ,  Takafumi Sakurada ,  Yutaka Nomura

    IPC分类号： H03D1/00

    CPC分类号： C09G1/04

    摘要： A CMP slurry is mixed with an oxidant in polishing and contains a copper rust inhibitor, a water-soluble polymer, a pH controller capable of forming a complex with copper, and water, and is substantially free from abrasive. The CMP slurry effectively reduces dishing in chemical polishing of copper and forms reliable wiring. Preferably, the contents of the rust inhibitor, the water-soluble polymer, and the oxidant are 0.1 to 5 wt %, 0.05 to 5 wt %, and 0.01 to 5M relative to 1 liter of the CMP slurry, respectively, and the amount of the pH controller is a necessary amount for adjusting pH of the CMP slurry to 1.5 to 2.5.

    摘要翻译： 将CMP浆料与抛光中的氧化剂混合，并含有铜锈病抑制剂，水溶性聚合物，能够与铜形成络合物的pH控制剂和水，并且基本上不含研磨剂。 CMP浆料有效减少了铜化学抛光中的凹陷，形成了可靠的布线。 防锈剂，水溶性聚合物和氧化剂的含量优选分别相对于1升CMP浆料为0.1〜5重量％，0.05〜5重量％，0.01〜5微米， pH控制器是将CMP浆料的pH调节至1.5至2.5的必需量。