公开(公告)号：US06981179B1

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US09552701

申请日：2000-04-19

申请人： Haruhiko Shigemasa ,  Kazuhiro Yaegawa ,  Masaaki Tanno ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Tadao Takeda

发明人： Haruhiko Shigemasa ,  Kazuhiro Yaegawa ,  Masaaki Tanno ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Tadao Takeda

IPC分类号： G06F12/16 ,  B42D15/10 ,  G01R31/319 ,  G06F11/22 ,  G06F11/26 ,  G06F11/273 ,  G06F15/78 ,  G06K19/07 ,  G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  G11C29/52 ,  G06F11/00

CPC分类号： G06F11/2635 ,  G01R31/31926 ,  G06K7/0095 ,  G06K19/07 ,  G06K19/073 ,  G11C29/52

摘要： When a built-in nonvolatile memory in a microcomputer is tested, a control program prestored in a boot ROM is run upon entering a test command from an external communication device; a test program is transferred from the external communication device to a built-in RAM through a communication circuit; a control of a CPU is switched to the built-in RAM after the test program has been transferred and a test is conducted on the nonvolatile memory; and a test result and a fail log are transferred to the external communication device through the communication circuit. Consequently, the built-in nonvolatile memory in the microcomputer can be checked without leaving the test program on the chip.

摘要翻译： 当测试微型计算机中的内置非易失性存储器时，预先存储在引导ROM中的控制程序在从外部通信设备输入测试命令时运行; 通过通信电路将测试程序从外部通信设备传送到内置RAM; 在传送测试程序并对非易失性存储器进行测试之后，将CPU的控制切换到内置RAM; 并且通过通信电路将测试结果和故障日志传送到外部通信设备。 因此，可以检查微型计算机中的内置非易失性存储器，而不将测试程序留在芯片上。

公开(公告)号：US08482843B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12918783

申请日：2009-03-02

申请人： Shingo Uchiyama ,  Fusao Shimokawa ,  Tomomi Sakata ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Mitsuhiro Makihara ,  Mitsuo Usui

发明人： Shingo Uchiyama ,  Fusao Shimokawa ,  Tomomi Sakata ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Mitsuhiro Makihara ,  Mitsuo Usui

IPC分类号： G02B26/00

CPC分类号： G02B26/0841 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042

摘要： A MEMS device includes a mirror substrate (200), an electrode substrate (301) arranged so as to face the mirror substrate (200), a mirror (230) serving as a movable member rotatably supported in an opening portion of the mirror substrate (200) via support members, a driving electrode (101) arranged on an insulating film (104) on a surface of the electrode substrate (301) facing the mirror substrate (200) so as to face the mirror (230) across a gap and drive the mirror (230), and a lower electrode (103) made of a metal or a semiconductor and formed under the insulating film (104) exposed to the gap so as to be in contact with the insulating film (104).

摘要翻译： MEMS器件包括镜面基板（200），布置成面对镜面基板（200）的电极基板（301），用作可旋转地支撑在反射镜基板的开口部分的可动部件的反射镜（230） 200），驱动电极（101），其配置在与所述反射镜基板（200）相对的所述电极基板（301）的表面上的绝缘膜（104）上，以跨越所述间隙与所述反射镜（230）相对;以及 驱动反射镜（230）和由金属或半导体制成的下电极（103），形成在暴露于间隙的绝缘膜（104）下方以与绝缘膜（104）接触。

公开(公告)号：US5811872A

公开(公告)日：1998-09-22

申请号：US594947

申请日：1996-01-31

申请人： Katsuyuki Machida ,  Katsumi Murase ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Toshiaki Tsuchiya ,  Junichi Takahashi ,  Kazushige Minegishi ,  Yasuo Takahashi ,  Hideo Namatsu ,  Kazuo Imai

发明人： Katsuyuki Machida ,  Katsumi Murase ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Toshiaki Tsuchiya ,  Junichi Takahashi ,  Kazushige Minegishi ,  Yasuo Takahashi ,  Hideo Namatsu ,  Kazuo Imai

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device includes an interlevel film constituted by a first dielectrics film containing dangling bonds and a bonded group of Si and hydrogen, and a second dielectrics film formed on the first dielectrics film.

摘要翻译： 半导体器件包括由包含悬挂键的第一电介质膜和Si和氢的键合基团构成的层间膜和形成在第一介电膜上的第二电介质膜。

公开(公告)号：US5512513A

公开(公告)日：1996-04-30

申请号：US296025

申请日：1994-08-25

申请人： Katsuyuki Machida ,  Katsumi Murase ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Toshiaki Tsuchiya ,  Junichi Takahashi ,  Kazushige Minegishi ,  Yasuo Takahashi ,  Hideo Namatsu ,  Kazuo Imai

发明人： Katsuyuki Machida ,  Katsumi Murase ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Toshiaki Tsuchiya ,  Junichi Takahashi ,  Kazushige Minegishi ,  Yasuo Takahashi ,  Hideo Namatsu ,  Kazuo Imai

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device includes an interlevel film constituted by a first dielectrics film containing dangling bonds and a bonded group of Si and hydrogen, and a second dielectrics film formed on the first dielectrics film.

摘要翻译： 半导体器件包括由包含悬挂键的第一电介质膜和Si和氢的键合基团构成的层间膜和形成在第一介电膜上的第二电介质膜。

公开(公告)号：US20110013256A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12918783

申请日：2009-03-03

申请人： Shingo Uchiyama ,  Fusao Shimokawa ,  Tomomi Sakata ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Mitsuhiro Makihara ,  Mitsuo Usui

发明人： Shingo Uchiyama ,  Fusao Shimokawa ,  Tomomi Sakata ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Mitsuhiro Makihara ,  Mitsuo Usui

IPC分类号： G02B26/00 ,  B05D3/10 ,  B05D5/06

CPC分类号： G02B26/0841 ,  B81B3/0008 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/042

摘要： A MEMS device includes a mirror substrate (200), an electrode substrate (301) arranged so as to face the mirror substrate (200), a mirror (230) serving as a movable member rotatably supported in an opening portion of the mirror substrate (200) via support members, a driving electrode (101) arranged on an insulating film (104) on a surface of the electrode substrate (301) facing the mirror substrate (200) so as to face the mirror (230) across a gap and drive the mirror (230), and a lower electrode (103) made of a metal or a semiconductor and formed under the insulating film (104) exposed to the gap so as to be in contact with the insulating film (104).

摘要翻译： MEMS器件包括镜面基板（200），布置成面对镜面基板（200）的电极基板（301），用作可旋转地支撑在反射镜基板的开口部分的可动部件的反射镜（230） 200），驱动电极（101），其配置在与所述反射镜基板（200）相对的所述电极基板（301）的表面上的绝缘膜（104）上，以跨越所述间隙与所述反射镜（230）相对;以及 驱动反射镜（230）和由金属或半导体制成的下电极（103），形成在暴露于间隙的绝缘膜（104）下方以与绝缘膜（104）接触。

公开(公告)号：US5376590A

公开(公告)日：1994-12-27

申请号：US5670

申请日：1993-01-19

申请人： Katsuyuki Machida ,  Katsumi Murase ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Toshiaki Tsuchiya ,  Junichi Takahashi ,  Kazushige Minegishi ,  Yasuo Takahashi ,  Hideo Namatsu ,  Kazuo Imai

发明人： Katsuyuki Machida ,  Katsumi Murase ,  Nobuhiro Shimoyama ,  Toshiaki Tsuchiya ,  Junichi Takahashi ,  Kazushige Minegishi ,  Yasuo Takahashi ,  Hideo Namatsu ,  Kazuo Imai

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device includes an interlevel film constituted by a first dielectrics film containing dangling bonds and a bonded group of Si and hydrogen, and a second dielectrics film formed on the first dielectrics film.

摘要翻译： 半导体器件包括由包含悬挂键的第一电介质膜和Si和氢的键合基团构成的层间膜和形成在第一介电膜上的第二电介质膜。