公开(公告)号：US20130162546A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13434875

申请日：2012-03-30

申请人： Po-Chun Yeh ,  Heng-Yin Chen ,  Yung-Hsiang Chiu ,  Wei-Yen Lee

发明人： Po-Chun Yeh ,  Heng-Yin Chen ,  Yung-Hsiang Chiu ,  Wei-Yen Lee

IPC分类号： G06F3/041

CPC分类号： G09G5/08 ,  G06F3/0221 ,  G06F3/0414 ,  G06F2203/04102 ,  G09G2354/00 ,  G09G2380/02 ,  G09G2380/14

摘要： A flexible display and a controlling method thereof are provided. The flexible display includes a plurality of pressure sensors, a display unit and a processing unit, wherein the processing unit is connected to the pressure sensors and the display unit. The processing unit obtains pressure values from each of the pressure sensors within a time unit and generates a pressure area and a pressure variance according to the pressure values from each of the pressure sensors. The processing unit further determines a display mode of the display unit according to the pressure area and the pressure variance. Therefore, the flexible display is capable of providing several kinds of display mode only based on the equipped pressure sensors.

摘要翻译： 提供了一种柔性显示器及其控制方法。 柔性显示器包括多个压力传感器，显示单元和处理单元，其中处理单元连接到压力传感器和显示单元。 处理单元在时间单位内从每个压力传感器获得压力值，并且根据来自每个压力传感器的压力值产生压力区域和压力差异。 处理单元还根据压力区域和压力差异来确定显示单元的显示模式。 因此，柔性显示器仅能够基于配备的压力传感器提供多种显示模式。

公开(公告)号：US08409892B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13086663

申请日：2011-04-14

申请人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

发明人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06

摘要： Various embodiments of the present disclosure pertain to selective photo-enhanced wet oxidation for nitride layer regrowth on substrates. In one aspect, a method may comprise: forming a first III-nitride layer with a first low bandgap energy on a first surface of a substrate; forming a second III-nitride layer with a first high bandgap energy on the first III-nitride layer; transforming portions of the first III-nitride layer into a plurality of III-oxide stripes by photo-enhanced wet oxidation; forming a plurality of III-nitride nanowires with a second low bandgap energy on the second III-nitride layer between the III-oxide stripes; and selectively transforming at least some of the III-nitride nanowires into III-oxide nanowires by selective photo-enhanced oxidation.

摘要翻译： 本公开的各种实施方案涉及对衬底上的氮化物层再生长的选择性光增强湿氧化。 一方面，一种方法可以包括：在衬底的第一表面上形成具有第一低带隙能的第一III族氮化物层; 在所述第一III族氮化物层上形成具有第一高带隙能的第二III族氮化物层; 通过光增强湿氧化将第一III-氮化物层的部分转变成多个III-氧化物条; 在所述III氧化物条之间的所述第二III族氮化物层上形成具有第二低带隙能量的多个III族氮化物纳米线; 并且通过选择性光增强氧化将至少一些III族氮化物纳米线选择性地转化为III族氧化物纳米线。

公开(公告)号：US20120264246A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13086663

申请日：2011-04-14

申请人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

发明人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06

摘要： Various embodiments of the present disclosure pertain to selective photo-enhanced wet oxidation for nitride layer regrowth on substrates. In one aspect, a method may comprise: forming a first III-nitride layer with a first low bandgap energy on a first surface of a substrate; forming a second III-nitride layer with a first high bandgap energy on the first III-nitride layer; transforming portions of the first III-nitride layer into a plurality of III-oxide stripes by photo-enhanced wet oxidation; forming a plurality of III-nitride nanowires with a second low bandgap energy on the second III-nitride layer between the III-oxide stripes; and selectively transforming at least some of the III-nitride nanowires into III-oxide nanowires by selective photo-enhanced oxidation.

摘要翻译： 本公开的各种实施方案涉及对衬底上的氮化物层再生长的选择性光增强湿氧化。 一方面，一种方法可以包括：在衬底的第一表面上形成具有第一低带隙能的第一III族氮化物层; 在所述第一III族氮化物层上形成具有第一高带隙能的第二III族氮化物层; 通过光增强湿氧化将第一III-氮化物层的部分转变成多个III-氧化物条; 在所述III氧化物条之间的所述第二III族氮化物层上形成具有第二低带隙能量的多个III族氮化物纳米线; 并且通过选择性光增强氧化将至少一些III族氮化物纳米线选择性地转化为III族氧化物纳米线。

公开(公告)号：US20150090999A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：US14146097

申请日：2014-01-02

申请人： Lung-Han Peng ,  Yao-Te Wang ,  Po-Chun Yeh ,  Po-Ting Lee

发明人： Lung-Han Peng ,  Yao-Te Wang ,  Po-Chun Yeh ,  Po-Ting Lee

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34 ,  H01L33/28

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32

摘要： A white LED is provided. The white LED includes a P-type layer, a tunneling structure, an N-type layer, an N-type electrode, and a P-type electrode. The tunneling structure is disposed over the P-type layer. The tunneling structure includes a first barrier layer, an active layer and a second barrier layer. The first barrier layer includes a first metal oxide layer. The active layer includes a second metal oxide layer. The second barrier layer includes a third metal oxide layer. The N-type layer is disposed over the tunneling structure. The N-type electrode and the P-type electrode are respectively contacted with the N-type layer and the P-type layer. An energy gap of the second metal oxide layer is lower than an energy gap of the first metal oxide layer and is lower than an energy gap of the third metal oxide layer.

摘要翻译： 提供白色LED。 白色LED包括P型层，隧道结构，N型层，N型电极和P型电极。 隧道结构设置在P型层上。 隧道结构包括第一阻挡层，有源层和第二阻挡层。 第一阻挡层包括第一金属氧化物层。 有源层包括第二金属氧化物层。 第二阻挡层包括第三金属氧化物层。 N型层设置在隧道结构之上。 N型电极和P型电极分别与N型层和P型层接触。 第二金属氧化物层的能隙低于第一金属氧化物层的能隙，并且低于第三金属氧化物层的能隙。

公开(公告)号：US08567893B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US12691627

申请日：2010-01-21

申请人： Po-Chun Yeh ,  Chia-Ming Chang ,  Hung-Pin Shih ,  Tsu-Min Liu

发明人： Po-Chun Yeh ,  Chia-Ming Chang ,  Hung-Pin Shih ,  Tsu-Min Liu

IPC分类号： B41J29/38

CPC分类号： B41J11/0095 ,  B41J11/008

摘要： An embodiment of a print signal generation system is provided. The system comprises a sensor, a divisor processing unit, a reference signal generator, and a print trigger signal generator. The sensor detects a first offset of a first location of a medium being printed. The divisor processing unit generates a first divisor according to the first offset and a predetermined divisor. The reference signal generator generates a reference signal. The print trigger signal generator generates a print trigger signal according to the first divisor and the reference signal.

摘要翻译： 提供了一种打印信号生成系统的实施例。 该系统包括传感器，除数处理单元，参考信号发生器和打印触发信号发生器。 传感器检测正在打印的介质的第一位置的第一偏移。 除数处理单元根据第一偏移产生第一除数和预定除数。 参考信号发生器产生参考信号。 打印触发信号发生器根据第一因子和参考信号产生打印触发信号。

公开(公告)号：US08481353B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13086787

申请日：2011-04-14

申请人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

发明人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/268 ,  H01L33/32

摘要： Various embodiments of the present disclosure pertain to separating nitride films from growth substrates by selective photo-enhanced wet oxidation. In one aspect, a method may transform a portion of a III-nitride structure that bonds with a first substrate structure into a III-oxide layer by selective photo-enhanced wet oxidation. The method may further separate the first substrate structure from the III-nitride structure.

摘要翻译： 本公开的各种实施例涉及通过选择性光增强湿氧化从生长衬底分离氮化物膜。 在一个方面，一种方法可以通过选择性光增强湿氧化将与第一衬底结构结合的III族氮化物结构的一部分转变为III氧化物层。 该方法还可以将第一衬底结构与III族氮化物结构分开。

公开(公告)号：US20120264247A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13086787

申请日：2011-04-14

申请人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

发明人： Lung-Han Peng ,  Jeng-Wei Yu ,  Po-Chun Yeh

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/268 ,  H01L33/32

摘要： Various embodiments of the present disclosure pertain to separating nitride films from growth substrates by selective photo-enhanced wet oxidation. In one aspect, a method may transform a portion of a III-nitride structure that bonds with a first substrate structure into a III-oxide layer by selective photo-enhanced wet oxidation. The method may further separate the first substrate structure from the III-nitride structure.

摘要翻译： 本公开的各种实施方案涉及通过选择性光增强湿氧化从生长衬底分离氮化物膜。 在一个方面，一种方法可以通过选择性光增强湿氧化将与第一衬底结构结合的III族氮化物结构的一部分转变为III氧化物层。 该方法还可以将第一衬底结构与III族氮化物结构分开。

公开(公告)号：US08981373B1

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US14146097

申请日：2014-01-02

申请人： Lung-Han Peng ,  Yao-Te Wang ,  Po-Chun Yeh ,  Po-Ting Lee

发明人： Lung-Han Peng ,  Yao-Te Wang ,  Po-Chun Yeh ,  Po-Ting Lee

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/34

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32

摘要： A white LED is provided. The white LED includes a P-type layer, a tunneling structure, an N-type layer, an N-type electrode, and a P-type electrode. The tunneling structure is disposed over the P-type layer. The tunneling structure includes a first barrier layer, an active layer and a second barrier layer. The first barrier layer includes a first metal oxide layer. The active layer includes a second metal oxide layer. The second barrier layer includes a third metal oxide layer. The N-type layer is disposed over the tunneling structure. The N-type electrode and the P-type electrode are respectively contacted with the N-type layer and the P-type layer. An energy gap of the second metal oxide layer is lower than an energy gap of the first metal oxide layer and is lower than an energy gap of the third metal oxide layer.

摘要翻译： 提供白色LED。 白色LED包括P型层，隧道结构，N型层，N型电极和P型电极。 隧道结构设置在P型层上。 隧道结构包括第一阻挡层，有源层和第二阻挡层。 第一阻挡层包括第一金属氧化物层。 有源层包括第二金属氧化物层。 第二阻挡层包括第三金属氧化物层。 N型层设置在隧道结构之上。 N型电极和P型电极分别与N型层和P型层接触。 第二金属氧化物层的能隙低于第一金属氧化物层的能隙，并且低于第三金属氧化物层的能隙。

公开(公告)号：US08487325B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13351648

申请日：2012-01-17

申请人： Chen-Yen Lin ,  Yung-Ming Lin ,  Po-Chun Yeh ,  Jeng-Wei Yu ,  Chih-Ming Lai ,  Lung-Han Peng

发明人： Chen-Yen Lin ,  Yung-Ming Lin ,  Po-Chun Yeh ,  Jeng-Wei Yu ,  Chih-Ming Lai ,  Lung-Han Peng

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0062 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A light emitting diode includes a substrate, a plurality of pillar structures, a filler structure, a transparent conductive layer, a first electrode, and a second electrode. These pillar structures are formed on the substrate. Each of the pillar structures includes a first type semiconductor layer, an active layer, and a second type semiconductor layer. The first type semiconductor layers are formed on the substrate. The pillar structures are electrically connected with each other through the first type semiconductor layers. The filler structure is formed between the pillar structures. The filler structure and the second type semiconductor layers of the pillar structures are covered with the transparent conductive layer. The first electrode is in contact with the transparent conductive layer. The second electrode is in contact with the first type semiconductor layer.

摘要翻译： 发光二极管包括基板，多个柱结构，填充结构，透明导电层，第一电极和第二电极。 这些柱结构形成在基板上。 每个柱结构包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层。 在基板上形成第一类型的半导体层。 柱结构通过第一类型半导体层彼此电连接。 填料结构形成在柱结构之间。 柱结构的填充结构和第二类型半导体层被透明导电层覆盖。 第一电极与透明导电层接触。 第二电极与第一类型半导体层接触。

公开(公告)号：US20120228655A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13351648

申请日：2012-01-17

申请人： Chen-Yen Lin ,  Yung-Ming Lin ,  Po-Chun Yeh ,  Jeng-Wei Yu ,  Chih-Ming Lai ,  Lung-Han Peng

发明人： Chen-Yen Lin ,  Yung-Ming Lin ,  Po-Chun Yeh ,  Jeng-Wei Yu ,  Chih-Ming Lai ,  Lung-Han Peng

IPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/42

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0012 ,  H01L33/0062 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A light emitting diode includes a substrate, a plurality of pillar structures, a filler structure, a transparent conductive layer, a first electrode, and a second electrode. These pillar structures are formed on the substrate. Each of the pillar structures includes a first type semiconductor layer, an active layer, and a second type semiconductor layer. The first type semiconductor layers are formed on the substrate. The pillar structures are electrically connected with each other through the first type semiconductor layers. The filler structure is formed between the pillar structures. The filler structure and the second type semiconductor layers of the pillar structures are covered with the transparent conductive layer. The first electrode is in contact with the transparent conductive layer. The second electrode is in contact with the first type semiconductor layer.

摘要翻译： 发光二极管包括基板，多个柱结构，填充结构，透明导电层，第一电极和第二电极。 这些柱结构形成在基板上。 每个柱结构包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层。 在基板上形成第一类型的半导体层。 柱结构通过第一类型半导体层彼此电连接。 填料结构形成在柱结构之间。 柱结构的填充结构和第二类型半导体层被透明导电层覆盖。 第一电极与透明导电层接触。 第二电极与第一类型半导体层接触。