公开(公告)号：US20050023702A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10830134

申请日：2004-04-23

申请人： Atsushi Nishimura ,  Toru Hinomura ,  Atsushi Ikeda ,  Takenobu Kishida

发明人： Atsushi Nishimura ,  Toru Hinomura ,  Atsushi Ikeda ,  Takenobu Kishida

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/44 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76862 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： After forming a hole in an insulating film, a first tungsten film is formed over the wall and bottom surfaces of the hole. Then, a second tungsten film is formed by using the first tungsten film as a seed layer to fill up the hole. When the first tungsten film is formed, the average value of the diameters of crystal grains of the portion of the first tungsten film which is formed on the bottom surface of the hole is suppressed to 30 nm or less.

摘要翻译： 在绝缘膜中形成孔之后，在孔的壁和底表面上形成第一钨膜。 然后，通过使用第一钨膜作为籽晶层填充孔而形成第二钨膜。 当形成第一钨膜时，形成在孔的底面上的第一钨膜的部分的晶粒直径的平均值被抑制在30nm以下。

公开(公告)号：US07233073B2

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：US10830134

申请日：2004-04-23

申请人： Atsushi Nishimura ,  Toru Hinomura ,  Atsushi Ikeda ,  Takenobu Kishida

发明人： Atsushi Nishimura ,  Toru Hinomura ,  Atsushi Ikeda ,  Takenobu Kishida

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76862 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： After forming a hole in an insulating film, a first tungsten film is formed over the wall and bottom surfaces of the hole. Then, a second tungsten film is formed by using the first tungsten film as a seed layer to fill up the hole. When the first tungsten film is formed, the average value of the diameters of crystal grains of the portion of the first tungsten film which is formed on the bottom surface of the hole is suppressed to 30 nm or less.

摘要翻译： 在绝缘膜中形成孔之后，在孔的壁和底表面上形成第一钨膜。 然后，通过使用第一钨膜作为籽晶层填充孔而形成第二钨膜。 当形成第一钨膜时，形成在孔的底面上的第一钨膜的部分的晶粒直径的平均值被抑制在30nm以下。

公开(公告)号：US06746962B2

公开(公告)日：2004-06-08

申请号：US09978723

申请日：2001-10-18

申请人： Takenobu Kishida ,  Takeshi Harada ,  Toru Hinomura ,  Hiromitsu Abe ,  Mitsunari Satake ,  Kenichi Kunimitsu

发明人： Takenobu Kishida ,  Takeshi Harada ,  Toru Hinomura ,  Hiromitsu Abe ,  Mitsunari Satake ,  Kenichi Kunimitsu

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： A first metal film is deposited on a bottom and a wall of a recess formed in an insulating film on a semiconductor substrate. A second metal film is filled in the recess on the first metal film. The second metal film is formed from a polycrystalline tungsten film having a crystal plane of a (110) orientation.

摘要翻译： 第一金属膜沉积在形成在半导体衬底上的绝缘膜中的凹部的底部和壁上。 第二金属膜被填充在第一金属膜上的凹部中。 第二金属膜由具有（110）取向晶体面的多晶钨膜形成。

公开(公告)号：US20100308471A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12858248

申请日：2010-08-17

申请人： Hayato Korogi ,  Toru Hinomura ,  Atsushi Nishimura

发明人： Hayato Korogi ,  Toru Hinomura ,  Atsushi Nishimura

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H05K1/11

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81122 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/013

摘要： An electronic device includes: a first substrate; and a second substrate on which the first substrate is mounted and which is electrically connected to the first substrate in at least one predetermined area. The predetermined area includes at least two through vias running through the first substrate, and an interconnect provided in the second substrate. The at least two through vias are electrically connected together via the interconnect.

摘要翻译： 电子设备包括：第一基板; 以及第二基板，其上安装有所述第一基板，并且在至少一个预定区域中电连接到所述第一基板。 预定区域包括穿过第一基板的至少两个通孔和设置在第二基板中的互连。 至少两个通孔经由互连电连接在一起。

公开(公告)号：US20100244251A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12813024

申请日：2010-06-10

申请人： Naoki TORAZAWA ,  Toru Hinomura

发明人： Naoki TORAZAWA ,  Toru Hinomura

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76805 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor chip, an electrode pad formed in an upper surface portion of the first semiconductor chip, a second semiconductor chip formed on the first semiconductor chip, and a through-via formed in the second semiconductor chip. A hollowed portion is formed in the electrode pad, and a bottom portion of the through-via is embedded in the hollowed portion.

摘要翻译： 半导体器件包括第一半导体芯片，形成在第一半导体芯片的上表面部分中的电极焊盘，形成在第一半导体芯片上的第二半导体芯片，以及形成在第二半导体芯片中的通孔。 在电极焊盘中形成中空部分，并且通孔的底部嵌入中空部分。

公开(公告)号：US08344508B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12507386

申请日：2009-07-22

申请人： Toru Hinomura

发明人： Toru Hinomura

IPC分类号： H01L23/535

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes: a metal-containing compound layer on a semiconductor substrate; a dielectric film on the semiconductor substrate and the metal-containing compound layer; a contact hole penetrating through the dielectric film to reach the metal-containing compound layer; a contact plug in the contact hole. The semiconductor device further includes a manganese oxide layer extending between the contact plug and respective one of the dielectric film and the metal-containing compound layer.

摘要翻译： 半导体器件包括：半导体衬底上的含金属化合物层; 半导体衬底上的电介质膜和含金属的化合物层; 穿过电介质膜的接触孔到达含金属化合物层; 接触孔中的接触塞。 半导体器件还包括在接触插塞和电介质膜和含金属化合物层中的相应一个之间延伸的氧化锰层。