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    Barrier layers ferroelectric memory devices
    6.
    发明授权
    Barrier layers ferroelectric memory devices 失效
    阻隔层铁电存储器件

    公开(公告)号：US06525357B1

    公开(公告)日：2003-02-25

    申请号：US09420989

    申请日：1999-10-20

    申请人： Jun Amano ,  Laura Wills Mirkarimi

    发明人： Jun Amano ,  Laura Wills Mirkarimi

    IPC分类号： H01L27108

    CPC分类号： H01L28/55 ,  G11C11/22 ,  H01L21/28568 ,  H01L28/60

    摘要： Unfavorable interactions of ferroelectric dielectric layers with silicon, intermetallic dielectrics, and other materials in metal-oxide semiconductor devices have discouraged the use of ferroelectric memory devices. This invention provides a zirconium titanate barrier layer with high insulating and low leakage characteristics. The barrier layer is not reactive with silicon or other materials used in metal-ferroelectric-semiconductor devices. These thermally stable layers should facilitate the integration of ferroelectric materials into memory and other semiconductor devices.

    摘要翻译： 铁电介质层与金属氧化物半导体器件中的硅，金属间电介质和其他材料的不利相互作用阻止了铁电存储器件的使用。 本发明提供了具有高绝缘和低泄漏特性的钛酸钛阻挡层。 阻挡层不与金属 - 铁电半导体器件中使用的硅或其他材料反应。 这些热稳定层应有助于将铁电材料集成到存储器和其他半导体器件中。

    Method for etching smooth sidewalls in III-V based compounds for electro-optical devices
    7.
    发明授权
    Method for etching smooth sidewalls in III-V based compounds for electro-optical devices 失效
    用于蚀刻用于电光器件的III-V基化合物中的光滑侧壁的方法

    公开(公告)号：US07196017B2

    公开(公告)日：2007-03-27

    申请号：US10692772

    申请日：2003-10-24

    申请人： Laura Wills Mirkarimi ,  Kai Cheung Chow

    发明人： Laura Wills Mirkarimi ,  Kai Cheung Chow

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/30621

    摘要： III-V based compounds are etched to produce smooth sidewalls for electro-optical applications using BCl3 together with chemistries of CH4 and H2 in RIE and/or ICP systems. HI or IBr or some combination of group VII gaseous species (Br, F, I) may be added in accordance with the invention.

    摘要翻译： 蚀刻III-V基化合物以产生使用BCl 3 3与CH 4和H 2的化学物质的电光学应用的平滑侧壁 RIE和/或ICP系统。 根据本发明可以加入HI或IBr或VII族气态物质（Br，F，I）的某些组合。

    Photonic crystal optical temperature measuring system
    8.
    发明申请
    Photonic crystal optical temperature measuring system 审中-公开
    光子晶体光学温度测量系统

    公开(公告)号：US20060067605A1

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：US10954748

    申请日：2004-09-30

    申请人： Laura Wills Mirkarimi ,  Mihail Sigalas ,  Annette Grot

    发明人： Laura Wills Mirkarimi ,  Mihail Sigalas ,  Annette Grot

    IPC分类号： G02B6/00

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  G01J5/44 ,  G02B6/1225

    摘要： A photonic crystal optical temperature measuring system and a method for measuring the temperature of an object. The photonic crystal optical temperature measuring system has at least one photonic crystal temperature sensor having a resonant cavity, the resonant frequency of which is a function of the temperature of the resonant cavity.

    摘要翻译： 光子晶体光学温度测量系统和用于测量物体的温度的方法。 光子晶体光学温度测量系统具有至少一个具有谐振腔的光子晶体温度传感器，其谐振频率是谐振腔的温度的函数。

    Oriented rhombohedral composition of PbZr1-xTixO3 thin films for low voltage operation ferroelectric RAM
    9.
    发明授权
    Oriented rhombohedral composition of PbZr1-xTixO3 thin films for low voltage operation ferroelectric RAM 失效
    PbZr1-xTixO3薄膜的低电压操作铁电RAM的定向菱面体组成

    公开(公告)号：US06396094B1

    公开(公告)日：2002-05-28

    申请号：US09570185

    申请日：2000-05-12

    申请人： Laura Wills Mirkarimi ,  Jun Amano

    发明人： Laura Wills Mirkarimi ,  Jun Amano

    IPC分类号： H01L2976

    CPC分类号： H01L21/31691 ,  C23C16/409

    摘要： A means to minimize physical distortion and modifications in the electrical properties of ferroelectric films incorporated into semiconductor devices is proposed. By introducing crystallographic texture into these ferroelectric films, the piezoelectric coefficient of the material can be minimized, reducing the interaction between a voltage across and mechanical stress on the film. In addition to having low piezoelectric coefficients, rhombohedral lead zirconate titanate films oriented along (111) exhibit low coercive fields and high remnant polarization, increasing their usefulness in layered semiconductor devices.

    摘要翻译： 提出了一种最小化物理失真的手段，并且提出了掺入到半导体器件中的铁电体薄膜的电性能的修改。 通过在这些铁电体膜中引入晶体学结构，可以使材料的压电系数最小化，减少薄膜上的电压和机械应力之间的相互作用。 除了具有低压电系数之外，沿（111）取向的菱方铅锆钛酸盐薄膜表现出低的矫顽磁场和高剩余极化，增加了其在分层半导体器件中的有用性。