公开(公告)号：US07679134B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US10754515

申请日：2004-01-12

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device includes a group of fin structures. The group of fin structures includes a conductive material and is formed by growing the conductive material in an opening of an oxide layer. The semiconductor device further includes a source region formed at one end of the group of fin structures, a drain region formed at an opposite end of the group of fin structures, and at least one gate.

摘要翻译： 半导体器件包括一组翅片结构。 翅片结构的组包括导电材料，并且通过在氧化物层的开口中生长导电材料而形成。 半导体器件还包括形成在鳍片结构组的一端处的源极区域，形成在鳍片结构组的相对端处的漏极区域和至少一个栅极。

公开(公告)号：US07179692B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US07095065B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10633504

申请日：2003-08-05

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device may include a substrate and an insulating layer formed on the substrate. A first device may be formed on the insulating layer, including a first fin. The first fin may be formed on the insulating layer and may have a first fin aspect ratio. A second device may be formed on the insulating layer, including a second fin. The second fin may be formed on the insulating layer and may have a second fin aspect ratio different from the first fin aspect ratio.

摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底和形成在衬底上的绝缘层。 第一器件可以形成在绝缘层上，包括第一鳍片。 第一翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有第一翅片长宽比。 第二装置可以形成在绝缘层上，包括第二鳍片。 第二翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有与第一翅片长宽比不同的第二翅片长宽比。

公开(公告)号：US20060177998A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11379435

申请日：2006-04-20

申请人： Ming-Ren Lin ,  Witold Maszara ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Witold Maszara ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method may include forming a gate electrode over a fin structure, depositing a first metal layer on a top surface of the gate electrode, performing a first silicide process to convert a portion of the gate electrode into a metal-silicide compound, depositing a second metal layer on a top surface of the metal-silicide compound, and performing a second silicide process to form a fully-silicided gate electrode.

摘要翻译： 一种方法可以包括在鳍结构上形成栅电极，在栅电极的顶表面上沉积第一金属层，执行第一硅化工艺以将栅电极的一部分转化为金属硅化物， 在金属硅化物化合物的顶表面上的金属层，并且执行第二硅化物处理以形成全硅化物栅电极。

公开(公告)号：US06911697B1

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10632965

申请日：2003-08-04

申请人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78618

摘要： A double-gate semiconductor device includes a substrate, an insulating layer, a fin, source and drain regions and a gate. The insulating layer is formed on the substrate and the fin is formed on the insulating layer. The source region is formed on the insulating layer adjacent a first side of the fin and the drain region is formed on the second side of the fin opposite the first side. The source and drain regions have a greater thickness than the fin in the channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 双栅极半导体器件包括衬底，绝缘层，鳍，源极和漏极区以及栅极。 绝缘层形成在基板上，并且鳍形成在绝缘层上。 源极区域形成在与鳍片的第一侧相邻的绝缘层上，并且漏极区域形成在与第一侧相对的翅片的第二侧上。 源极和漏极区域具有比半导体器件的沟道区域中的鳍片更大的厚度。

公开(公告)号：US20050118824A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US11030191

申请日：2005-01-07

申请人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  Y10S438/959

摘要： A method of manufacturing a MOSFET type semiconductor device includes planarizing a gate material layer that is deposited over a channel. The planarization is performed in a multi-step process that includes an initial “rough” planarization and then a “fine” planarization. The slurry used for the finer planarization may include added material that tends to adhere to low areas of the gate material.

摘要翻译： 制造MOSFET型半导体器件的方法包括平坦化沉积在沟道上的栅极材料层。 平面化在包括初始“粗糙”平坦化然后是“精细”平坦化的多步骤过程中进行。 用于更精细平坦化的浆料可以包括倾向于粘附到栅极材料的低区域的添加材料。

公开(公告)号：US20050006666A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly Ahmed ,  Judy An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly Ahmed ,  Judy An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US06716690B1

公开(公告)日：2004-04-06

申请号：US10385692

申请日：2003-03-12

申请人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

发明人： Haihong Wang ,  Judy Xilin An ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66795 ,  Y10S438/914

摘要： Multiple dopant implantations are performed on a FinFET device to thereby distribute the dopant in a substantially uniform manner along a vertical depth of the FinFET in the source/drain junction. Each of the multiple implantations may be performed at different tilt angles.

摘要翻译： 在FinFET器件上执行多个掺杂剂注入，从而沿着源极/漏极结中的FinFET的垂直深度以大致均匀的方式分布掺杂剂。 多个注入中的每一个可以以不同的倾斜角执行。

公开(公告)号：US06709982B1

公开(公告)日：2004-03-23

申请号：US10303702

申请日：2002-11-26

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21311

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

摘要： A method for forming a group of structures in a semiconductor device includes forming a conductive layer on a substrate, where the conductive layer includes a conductive material, and forming an oxide layer over the conductive layer. The method further includes etching at least one opening in the oxide layer, filling the at least one opening with the conductive material, etching the conductive material to form spacers along sidewalls of the at least one opening, and removing the oxide layer and a portion of the conductive layer to form the group of structures.

摘要翻译： 一种在半导体器件中形成一组结构的方法包括在基底上形成导电层，其中导电层包括导电材料，并在导电层上形成氧化物层。 该方法还包括蚀刻氧化物层中的至少一个开口，用导电材料填充至少一个开口，蚀刻导电材料以在至少一个开口的侧壁上形成间隔物，并且去除氧化物层和一部分 导电层形成一组结构。

公开(公告)号：US08580660B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13523603

申请日：2012-06-14

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。