公开(公告)号：US20050118824A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US11030191

申请日：2005-01-07

申请人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/461 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  Y10S438/959

摘要： A method of manufacturing a MOSFET type semiconductor device includes planarizing a gate material layer that is deposited over a channel. The planarization is performed in a multi-step process that includes an initial “rough” planarization and then a “fine” planarization. The slurry used for the finer planarization may include added material that tends to adhere to low areas of the gate material.

摘要翻译： 制造MOSFET型半导体器件的方法包括平坦化沉积在沟道上的栅极材料层。 平面化在包括初始“粗糙”平坦化然后是“精细”平坦化的多步骤过程中进行。 用于更精细平坦化的浆料可以包括倾向于粘附到栅极材料的低区域的添加材料。

公开(公告)号：US20050006666A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly Ahmed ,  Judy An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly Ahmed ,  Judy An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US20050056845A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10975473

申请日：2004-10-29

申请人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Krishnashree Achuthan ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

摘要： A FinFET-type semiconductor device includes a fin structure on which a relatively thin amorphous silicon layer and then an undoped polysilicon layer is formed. The semiconductor device may be planarized using a chemical mechanical polishing (CMP) in which the amorphous silicon layer acts as a stop layer to prevent damage to the fin structure.

摘要翻译： FinFET型半导体器件包括翅片结构，其上形成相对薄的非晶硅层，然后形成未掺杂的多晶硅层。 半导体器件可以使用化学机械抛光（CMP）进行平面化，其中非晶硅层用作阻挡层以防止损坏鳍结构。

公开(公告)号：US20050029603A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10633504

申请日：2003-08-05

申请人： Bin Yu ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly Ahmed ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device may include a substrate and an insulating layer formed on the substrate. A first device may be formed on the insulating layer, including a first fin. The first fin may be formed on the insulating layer and may have a first fin aspect ratio. A second device may be formed on the insulating layer, including a second fin. The second fin may be formed on the insulating layer and may have a second fin aspect ratio different from the first fin aspect ratio.

摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底和形成在衬底上的绝缘层。 第一器件可以形成在绝缘层上，包括第一鳍片。 第一翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有第一翅片长宽比。 第二装置可以形成在绝缘层上，包括第二鳍片。 第二翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有与第一翅片长宽比不同的第二翅片长宽比。

公开(公告)号：US20050153485A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10754540

申请日：2004-01-12

申请人： Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： A method of forming a fin field effect transistor includes forming a fin and forming a source region on a first end of the fin and a drain region on a second end of the fin. The method further includes forming a dummy gate with a first semi-conducting material in a first pattern over the fin and forming a dielectric layer around the dummy gate. The method also includes removing the first semi-conducting material to leave a trench in the dielectric layer corresponding to the first pattern, thinning a portion of the fin exposed within the trench, and forming a metal gate within the trench.

摘要翻译： 形成鳍状场效应晶体管的方法包括：在鳍片的第一端上形成翅片并形成源极区域，在鳍片的第二端部形成漏极区域。 该方法还包括在鳍上形成具有第一图案的第一半导体材料的虚拟栅极，并在虚拟栅极周围形成介电层。 该方法还包括去除第一半导体材料以在对应于第一图案的电介质层中留下沟槽，使在沟槽内暴露的鳍片的一部分变薄，并在沟槽内形成金属栅极。

公开(公告)号：US20050153492A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10754559

申请日：2004-01-12

申请人： Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： A method of forming a fin field effect transistor includes forming a fin and forming a source region adjacent a first end of the fin and a drain region adjacent a second end of the fin. The method further includes forming a dummy gate over the fin and forming a dielectric layer around the dummy gate. The method also includes removing the dummy gate to form a trench in the dielectric layer and forming a metal gate in the trench.

摘要翻译： 形成鳍状场效应晶体管的方法包括形成鳍片并形成与鳍片的第一端相邻的源极区域和与鳍片的第二端部相邻的漏极区域。 该方法还包括在鳍上方形成虚拟栅极，并在虚拟栅极周围形成电介质层。 该方法还包括去除伪栅极以在电介质层中形成沟槽并在沟槽中形成金属栅极。

公开(公告)号：US20050104091A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10699887

申请日：2003-11-04

申请人： Cyrus Tabery ,  Shibly Ahmed ,  Matthew Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

发明人： Cyrus Tabery ,  Shibly Ahmed ,  Matthew Buynoski ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Chih-Yuh Yang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/745

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7842

摘要： A method for forming a metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes patterning a fin area, a source region, and a drain region on a substrate, forming a fin in the fin area, and forming a mask in the fin area. The method further includes etching the mask to expose a channel area of the MOSFET, etching the fin to thin a width of the fin in the channel area, forming a gate over the fin, and forming contacts to the gate, the source region, and the drain region.

摘要翻译： 一种形成金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的方法包括在衬底上构图翅片区域，源极区域和漏极区域，在翅片区域中形成鳍片，并在鳍片区域中形成掩模 。 该方法还包括蚀刻掩模以暴露MOSFET的沟道区域，蚀刻鳍以在沟道区域中减薄翅片的宽度，在鳍上方形成栅极，以及形成与栅极，源区和 漏极区域。

公开(公告)号：US07679134B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US10754515

申请日：2004-01-12

申请人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Matthew S. Buynoski ,  Judy Xilin An ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device includes a group of fin structures. The group of fin structures includes a conductive material and is formed by growing the conductive material in an opening of an oxide layer. The semiconductor device further includes a source region formed at one end of the group of fin structures, a drain region formed at an opposite end of the group of fin structures, and at least one gate.

摘要翻译： 半导体器件包括一组翅片结构。 翅片结构的组包括导电材料，并且通过在氧化物层的开口中生长导电材料而形成。 半导体器件还包括形成在鳍片结构组的一端处的源极区域，形成在鳍片结构组的相对端处的漏极区域和至少一个栅极。

公开(公告)号：US07179692B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US07095065B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10633504

申请日：2003-08-05

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66795

摘要： A semiconductor device may include a substrate and an insulating layer formed on the substrate. A first device may be formed on the insulating layer, including a first fin. The first fin may be formed on the insulating layer and may have a first fin aspect ratio. A second device may be formed on the insulating layer, including a second fin. The second fin may be formed on the insulating layer and may have a second fin aspect ratio different from the first fin aspect ratio.

摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底和形成在衬底上的绝缘层。 第一器件可以形成在绝缘层上，包括第一鳍片。 第一翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有第一翅片长宽比。 第二装置可以形成在绝缘层上，包括第二鳍片。 第二翅片可以形成在绝缘层上，并且可以具有与第一翅片长宽比不同的第二翅片长宽比。