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    Heat dissipation devices and fabrication methods thereof
    6.
    发明申请
    Heat dissipation devices and fabrication methods thereof 审中-公开
    散热装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20060144565A1

    公开(公告)日：2006-07-06

    申请号：US11315244

    申请日：2005-12-23

    申请人： Hsin-Chang Tsai ,  Horng-Jou Wang ,  Darren Chen ,  Tai-Kang Shing

    发明人： Hsin-Chang Tsai ,  Horng-Jou Wang ,  Darren Chen ,  Tai-Kang Shing

    IPC分类号： H05K7/20 ,  F28D15/02

    CPC分类号： H01L23/427 ,  F28D15/0233 ,  F28D15/025 ,  F28D15/0266 ,  F28F2210/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： This invention id related to a heat dissipation device comprises a case having a heat dissipation path, a backflow path, a first link path, and a second link path for working fluid to circulate therein. The heat dissipation path and the backflow path are positioned in the different height levels individually. The working fluid will not be more easily have turbulence. The reduction of heat dissipation efficiency will be improved. And the working fluid will not be necessary to limit covering the liquid state and gaseous state both.

    摘要翻译： 本发明涉及一种散热装置，其特征在于，具有：具有散热路径的壳体，回流路径，第一连结路径，以及工作流体在其中循环的第二连杆路径。 散热路径和回流路径分别位于不同的高度水平。 工作液不会更容易产生紊流。 降低散热效率将得到改善。 并且工作流体不需要限制覆盖液体状态和气态两者。

    Micro-switch
    7.
    发明申请
    Micro-switch 审中-公开
    微动开关

    公开(公告)号：US20060119457A1

    公开(公告)日：2006-06-08

    申请号：US11283991

    申请日：2005-11-22

    申请人： Hsin-Chang Tsai ,  Chia-Hua Chu ,  Horng-Jou Wang ,  Tai-Kang Shing

    发明人： Hsin-Chang Tsai ,  Chia-Hua Chu ,  Horng-Jou Wang ,  Tai-Kang Shing

    IPC分类号： H01H51/22

    CPC分类号： H01H59/0009

    摘要： A micro-switch. The micro-switch comprises at least one base, at least one fixed portion, and at least one switch component. The base comprises at least one first terminal and at least one first drive unit. The fixed portion is protruded higher than the base. The switch component comprises at least one deflection structure and at least one reverse structure. The deflection structure comprises at least one second terminal and at least one second drive unit. The second terminal corresponds to the first terminal and the second drive unit corresponds to the first drive unit. The reverse structure comprises one end connected to the fixed portion and another end connected to the deflection structure.

    摘要翻译： 一个微动开关 微型开关包括至少一个基座，至少一个固定部分和至少一个开关部件。 底座包括至少一个第一端子和至少一个第一驱动单元。 固定部分比基座突出。 开关部件包括至少一个偏转结构和至少一个反向结构。 偏转结构包括至少一个第二端子和至少一个第二驱动单元。 第二端子对应于第一端子，第二驱动单元对应于第一驱动单元。 反向结构包括连接到固定部分的一端和连接到偏转结构的另一端。

    Light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof
    8.
    发明授权
    Light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof 有权
    发光二极管装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08153461B2

    公开(公告)日：2012-04-10

    申请号：US13207889

    申请日：2011-08-11

    申请人： Shih-Peng Chen ,  Chia-Hua Chan ,  Horng-Jou Wang ,  Ching-Liang Lin ,  Chii-Chang Chen ,  Cheng-Yi Liu ,  Huang-Kun Chen

    发明人： Shih-Peng Chen ,  Chia-Hua Chan ,  Horng-Jou Wang ,  Ching-Liang Lin ,  Chii-Chang Chen ,  Cheng-Yi Liu ,  Huang-Kun Chen

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0091

    摘要： A light-emitting diode (LED) apparatus includes a thermoconductive substrate, a thermoconductive adhesive layer, an epitaxial layer, a current spreading layer and a micro- or nano-roughing structure. The thermoconductive adhesive layer is disposed on the thermoconductive substrate. The epitaxial layer is disposed opposite to the thermoconductive adhesive layer and has a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer. The current spreading layer is disposed between the second semiconductor layer of the epitaxial layer and the thermoconductive adhesive layer. The micro- or nano-roughing structure is disposed on the first semiconductor layer of the epitaxial layer. In addition, a manufacturing method of the LED apparatus is also disclosed.

    摘要翻译： 发光二极管（LED）装置包括导热基板，导热粘合剂层，外延层，电流扩展层和微型或纳米粗糙结构。 导热粘合剂层设置在导热基板上。 外延层与导电粘合剂层相对设置，并具有第一半导体层，有源层和第二半导体层。 电流扩散层设置在外延层的第二半导体层和导热粘合剂层之间。 微结构或纳米粗糙结构设置在外延层的第一半导体层上。 此外，还公开了一种LED装置的制造方法。

    LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    9.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    发光二极管装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20110300650A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：US13207889

    申请日：2011-08-11

    申请人： Shih-Peng Chen ,  Chia-Hua Chan ,  Horng-Jou Wang ,  Ching-Liang Lin ,  Chii-Chang Chen ,  Cheng-Yi Liu ,  Huang-Kun Chen

    发明人： Shih-Peng Chen ,  Chia-Hua Chan ,  Horng-Jou Wang ,  Ching-Liang Lin ,  Chii-Chang Chen ,  Cheng-Yi Liu ,  Huang-Kun Chen

    IPC分类号： H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0091

    摘要： A light-emitting diode (LED) apparatus includes a thermoconductive substrate, a thermoconductive adhesive layer, an epitaxial layer, a current spreading layer and a micro- or nano-roughing structure. The thermoconductive adhesive layer is disposed on the thermoconductive substrate. The epitaxial layer is disposed opposite to the thermoconductive adhesive layer and has a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer. The current spreading layer is disposed between the second semiconductor layer of the epitaxial layer and the thermoconductive adhesive layer. The micro- or nano-roughing structure is disposed on the first semiconductor layer of the epitaxial layer. In addition, a manufacturing method of the LED apparatus is also disclosed.

    摘要翻译： 发光二极管（LED）装置包括导热基板，导热粘合剂层，外延层，电流扩散层和微型或纳米粗糙结构。 导热粘合剂层设置在导热基板上。 外延层与导电粘合剂层相对设置，并具有第一半导体层，有源层和第二半导体层。 电流扩散层设置在外延层的第二半导体层和导热粘合剂层之间。 微结构或纳米粗糙结构设置在外延层的第一半导体层上。 此外，还公开了一种LED装置的制造方法。

    Light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof
    10.
    发明授权
    Light-emitting diode apparatus and manufacturing method thereof 有权
    发光二极管装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08017962B2

    公开(公告)日：2011-09-13

    申请号：US12193271

    申请日：2008-08-18

    申请人： Shih-Peng Chen ,  Chia-Hua Chan ,  Horng-Jou Wang ,  Ching-Liang Lin ,  Chii-Chang Chen ,  Cheng-Yi Liu ,  Huang-Kun Chen

    发明人： Shih-Peng Chen ,  Chia-Hua Chan ,  Horng-Jou Wang ,  Ching-Liang Lin ,  Chii-Chang Chen ,  Cheng-Yi Liu ,  Huang-Kun Chen

    IPC分类号： H01L33/60

    CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0091

    摘要： A light-emitting diode (LED) apparatus includes a thermoconductive substrate, a thermoconductive adhesive layer, an epitaxial layer, a current spreading layer and a micro- or nano-roughing structure. The thermoconductive adhesive layer is disposed on the thermoconductive substrate. The epitaxial layer is disposed opposite to the thermoconductive adhesive layer and has a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer. The current spreading layer is disposed between the second semiconductor layer of the epitaxial layer and the thermoconductive adhesive layer. The micro- or nano-roughing structure is disposed on the first semiconductor layer of the epitaxial layer. In addition, a manufacturing method of the LED apparatus is also disclosed.

    摘要翻译： 发光二极管（LED）装置包括导热基板，导热粘合剂层，外延层，电流扩散层和微型或纳米粗糙结构。 导热粘合剂层设置在导热基板上。 外延层与导电粘合剂层相对设置，并具有第一半导体层，有源层和第二半导体层。 电流扩散层设置在外延层的第二半导体层和导热粘合剂层之间。 微结构或纳米粗糙结构设置在外延层的第一半导体层上。 此外，还公开了一种LED装置的制造方法。