公开(公告)号：US20120289062A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13562101

申请日：2012-07-30

申请人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/71

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a through-semiconductor via (TSV) opening extending into the semiconductor substrate; and a TSV liner in the TSV opening. The TSV liner includes a sidewall portion on a sidewall of the TSV opening and a bottom portion at a bottom of the TSV opening. The bottom portion of the TSV liner has a bottom height greater than a middle thickness of the sidewall portion of the TSV liner.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 贯穿半导体衬底的贯通半导体通孔（TSV）开口; 和TSV开口的TSV衬管。 TSV衬套包括在TSV开口的侧壁上的侧壁部分和TSV开口底部的底部。 TSV衬管的底部部分的底部高度大于TSV衬套的侧壁部分的中间厚度。

公开(公告)号：US08264066B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12617900

申请日：2009-11-13

申请人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a through-semiconductor via (TSV) opening extending into the semiconductor substrate; and a TSV liner in the TSV opening. The TSV liner includes a sidewall portion on a sidewall of the TSV opening and a bottom portion at a bottom of the TSV opening. The bottom portion of the TSV liner has a bottom height greater than a middle thickness of the sidewall portion of the TSV liner.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 贯穿半导体衬底的贯通半导体通孔（TSV）开口; 和TSV开口的TSV衬管。 TSV衬套包括在TSV开口的侧壁上的侧壁部分和TSV开口底部的底部。 TSV衬管的底部部分的底部高度大于TSV衬套的侧壁部分的中间厚度。

公开(公告)号：US08629066B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13562101

申请日：2012-07-30

申请人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a through-semiconductor via (TSV) opening extending into the semiconductor substrate; and a TSV liner in the TSV opening. The TSV liner includes a sidewall portion on a sidewall of the TSV opening and a bottom portion at a bottom of the TSV opening. The bottom portion of the TSV liner has a bottom height greater than a middle thickness of the sidewall portion of the TSV liner.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 贯穿半导体衬底的贯通半导体通孔（TSV）开口; 和TSV开口的TSV衬管。 TSV衬套包括在TSV开口的侧壁上的侧壁部分和TSV开口底部的底部。 TSV衬管的底部部分的底部高度大于TSV衬套的侧壁部分的中间厚度。

公开(公告)号：US20110006428A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12617900

申请日：2009-11-13

申请人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Hung-Jung Tu ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a through-semiconductor via (TSV) opening extending into the semiconductor substrate; and a TSV liner in the TSV opening. The TSV liner includes a sidewall portion on a sidewall of the TSV opening and a bottom portion at a bottom of the TSV opening. The bottom portion of the TSV liner has a bottom height greater than a middle thickness of the sidewall portion of the TSV liner.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 贯穿半导体衬底的贯通半导体通孔（TSV）开口; 和TSV开口的TSV衬管。 TSV衬套包括在TSV开口的侧壁上的侧壁部分和TSV开口底部的底部。 TSV衬管的底部部分的底部高度大于TSV衬套的侧壁部分的中间厚度。

公开(公告)号：US08836127B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US12621569

申请日：2009-11-19

申请人： Ching-Yu Lo ,  Bo-Jiun Lin ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Bo-Jiun Lin ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device has a dual damascene structure including a lower via portion and an upper line portion. The lower via portion is formed in a polyimide layer, and the upper line portion is formed in an inter-metal dielectric (IMD) layer formed of USG or polyimide. A passivation layer is formed on the IMD layer, and a bond pad is formed overlying the passivation layer to electrically connect the upper line portion.

摘要翻译： 集成电路装置具有双镶嵌结构，其包括下通孔部分和上线部分。 下通孔部分形成在聚酰亚胺层中，并且上部分部分形成在由USG或聚酰亚胺形成的金属间电介质（IMD）层中。 在IMD层上形成钝化层，并且形成覆盖钝化层的接合焊盘以电连接上部线部分。

公开(公告)号：US20110115088A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12621569

申请日：2009-11-19

申请人： Ching-Yu Lo ,  Bo-Jiun Lin ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ching-Yu Lo ,  Bo-Jiun Lin ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device has a dual damascene structure including a lower via portion and an upper line portion. The lower via portion is formed in a polyimide layer, and the upper line portion is formed in an inter-metal dielectric (IMD) layer formed of USG or polyimide. A passivation layer is formed on the IMD layer, and a bond pad is formed overlying the passivation layer to electrically connect the upper line portion.

摘要翻译： 集成电路装置具有双镶嵌结构，其包括下通孔部分和上线部分。 下通孔部分形成在聚酰亚胺层中，并且上部分部分形成在由USG或聚酰亚胺形成的金属间电介质（IMD）层中。 在IMD层上形成钝化层，并且形成覆盖钝化层的接合焊盘以电连接上部线部分。

公开(公告)号：US20100123224A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12271617

申请日：2008-11-14

申请人： Bo-Jiun Lin ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Chen-Hua Yu

发明人： Bo-Jiun Lin ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/3121 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304

摘要： A semiconductor device and method for making such that provides improved mechanical strength is disclosed. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate; an adhesion layer disposed over the semiconductor substrate; and a porous low-k film disposed over the semiconductor substrate, wherein the porous low-k film comprises a porogen and a composite bonding structure including at least one Si—O—Si bonding group and at least one bridging organic functional group.

摘要翻译： 公开了一种提供改进的机械强度的半导体器件和制造方法。 半导体器件包括半导体衬底; 设置在半导体衬底上的粘附层; 以及设置在所述半导体衬底上的多孔低k膜，其中所述多孔低k膜包含致孔剂和包含至少一个Si-O-Si键合基团和至少一个桥连有机官能团的复合键合结构。

公开(公告)号：US08736014B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12271617

申请日：2008-11-14

申请人： Bo-Jiun Lin ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Chen-Hua Yu

发明人： Bo-Jiun Lin ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3121 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304

摘要： A semiconductor device and method for making such that provides improved mechanical strength is disclosed. The semiconductor device comprises a semiconductor substrate; an adhesion layer disposed over the semiconductor substrate; and a porous low-k film disposed over the semiconductor substrate, wherein the porous low-k film comprises a porogen and a composite bonding structure including at least one Si—O—Si bonding group and at least one bridging organic functional group.

摘要翻译： 公开了一种提供改进的机械强度的半导体器件和制造方法。 半导体器件包括半导体衬底; 设置在半导体衬底上的粘附层; 以及设置在所述半导体衬底上的多孔低k膜，其中所述多孔低k膜包含致孔剂和包含至少一个Si-O-Si键合基团和至少一个桥连有机官能团的复合键合结构。

公开(公告)号：US20120074535A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US12893374

申请日：2010-09-29

申请人： Hsin-Yen Huang ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

发明人： Hsin-Yen Huang ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/31 ,  C09D183/06

CPC分类号： H01L21/02203 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  C23C16/30 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a dielectric material including a low dielectric constant material and an additive. The additive includes a compound having a Si—X—Si bridge, where X is a number of carbon atoms between 1 and 8. The additive may include terminal Si—CH3 groups. The dielectric material including the additive may be used as an inter-layer dielectric (ILD) layer of a semiconductor device. The dielectric material including the additive may be formed using a CVD or sol-gel process. One example of the additive is bis(triethoxysilyl)ethene.

摘要翻译： 本公开提供了包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。 添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X是1至8之间的碳原子数。该添加剂可以包括末端Si-CH 3基团。 包括添加剂的电介质材料可以用作半导体器件的层间电介质（ILD）层。 可以使用CVD或溶胶 - 凝胶法形成包括添加剂的电介质材料。 添加剂的一个实例是双（三乙氧基甲硅烷基）乙烯。

公开(公告)号：US08405192B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12893374

申请日：2010-09-29

申请人： Hsin-Yen Huang ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

发明人： Hsin-Yen Huang ,  Ching-Yu Lo ,  Hai-Ching Chen ,  Tien-I Bao

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/02203 ,  C08G77/50 ,  C09D183/14 ,  C23C16/30 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a dielectric material including a low dielectric constant material and an additive. The additive includes a compound having a Si—X—Si bridge, where X is a number of carbon atoms between 1 and 8. The additive may include terminal Si—CH3 groups. The dielectric material including the additive may be used as an inter-layer dielectric (ILD) layer of a semiconductor device. The dielectric material including the additive may be formed using a CVD or sol-gel process. One example of the additive is bis(triethoxysilyl)ethene.

摘要翻译： 本公开提供了包括低介电常数材料和添加剂的介电材料。 添加剂包括具有Si-X-Si桥的化合物，其中X是1至8之间的碳原子数。该添加剂可以包括末端Si-CH 3基团。 包括添加剂的电介质材料可以用作半导体器件的层间电介质（ILD）层。 可以使用CVD或溶胶 - 凝胶法形成包括添加剂的电介质材料。 添加剂的一个实例是双（三乙氧基甲硅烷基）乙烯。