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公开(公告)号：US09514959B2
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：US14439831
申请日：2013-10-30
申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE , Curtis Anderson , Rahul Gupta , Vincent M. Omarjee , Nathan Stafford , Christian Dussarrat
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , C07C21/18 , C07C23/06
CPC分类号： H01L21/32139 , C07C17/263 , C07C19/08 , C07C21/18 , C07C23/06 , C07C2601/04 , H01L21/02315 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137
摘要： Etching gases are disclosed for plasma etching channel holes, gate trenches, staircase contacts, capacitor holes, contact holes, etc., in Si-containing layers on a substrate and plasma etching methods of using the same. The etching gases are trans-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; cis-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; hexafluoroisobutene; hexafluorocyclobutane (trans-1,1,2,2,3,4); pentafluorocyclobutane (1,1,2,2,3-); tetrafluorocyclobutane (1,1,2,2-); or hexafluorocyclobutane (cis-1,1,2,2,3,4). The etching gases may provide improved selectivity between the Si-containing layers and mask material, less damage to channel region, a straight vertical profile, and reduced bowing in pattern high aspect ratio structures.
摘要翻译： 公开了用于等离子体蚀刻通道孔，栅极沟槽，阶梯接触，电容器孔，接触孔等的衬底上的含Si层中的蚀刻气体，以及使用其的等离子体蚀刻方法。 蚀刻气体是反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 顺式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 六氟异丁烯 六氟环丁烷（反式-1,1,2,2,3,4）; 五氟环丁烷（1,1,2,2,3-）; 四氟环丁烷（1,1,2,2-）; 或六氟环丁烷（顺式-1,1,2,2,3,4）。 蚀刻气体可以在含Si层和掩模材料之间提供改进的选择性，对通道区域的损害更小，直的垂直剖面，以及图案高纵横比结构中的弯曲减小。
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公开(公告)号：US20120227762A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：US13502057
申请日：2010-10-14
IPC分类号： B08B7/00
CPC分类号： H01L21/31138 , G03F7/427
摘要： Disclosed are compounds for plasma ashing photoresist layers on a substrate and methods of using the same. The plasma ashing compounds induce limited to no damage to the underlying layer, such as the low-k film layer.
摘要翻译： 公开了用于基板上的等离子体灰化光刻胶层的化合物及其使用方法。 等离子体灰化化合物诱导限于对下层（例如低k膜层）没有损伤。
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3.发明授权Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films and methods thereof 有权用于沉积含铜膜的双 - 酮亚胺铜前体及其方法公开(公告)号：US09121093B2
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：US13383343
申请日：2010-07-09
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/50 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45542 , C23C16/45553
摘要： Disclosed are processes for the use of bis-ketoiminate copper precursors for the deposition of copper-containing films via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
摘要翻译： 公开了通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积含铜膜的双酮亚胺铜前体的使用方法。
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4.发明申请PLASMA-ENHANCED DEPOSITION OF TITANIUM-CONTAINING FILMS FOR VARIOUS APPLICATIONS USING AMIDINATE TITANIUM PRECURSORS 审中-公开使用氨基锡钛前驱体的各种应用的含钛薄膜的等离子体增强沉积公开(公告)号：US20130089681A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：US13269163
申请日：2011-10-07
IPC分类号： C23C16/18
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45536 , C23C16/45553
摘要： The present invention relates to a process for the use of Titanium amidinate metal precursors for the deposition of Titanium-containing films via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
摘要翻译： 本发明涉及用于通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积含钛膜的钛脒金属前体的方法。
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公开(公告)号：US08367531B1
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：US13041154
申请日：2011-03-04
IPC分类号： H01L21/425
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/3171 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/2658
摘要： The present invention provides molecules useful for aluminum implant in semiconductor materials. The molecules can be used in various doping techniques such as ion implant, plasma doping or derivates methods.
摘要翻译： 本发明提供了可用于半导体材料中的铝植入物的分子。 分子可用于各种掺杂技术，例如离子注入，等离子体掺杂或衍生物方法。
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公开(公告)号：US08349738B2
公开(公告)日：2013-01-08
申请号：US13293878
申请日：2011-11-10
IPC分类号： H01L21/44
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/76871
摘要： Compositions and methods for forming a metal-containing thin film on a substrate. A reactor and at least one substrate in the reactor are provided. A metal-containing bis-β-diketiminate precursor is introduced into the reactor. The reactor is maintained at a set temperature and pressure, and the precursor is contacted with the substrate to form a metal-containing film on the substrate.
摘要翻译： 在基材上形成含金属薄膜的组合物和方法。 提供反应器和反应器中的至少一个基板。 将含金属的双 - 二氮嗪酮前体引入反应器。 将反应器保持在设定的温度和压力下，并将前体与基底接触以在基底上形成含金属的膜。
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公开(公告)号：US20120122313A1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：US13293878
申请日：2011-11-10
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/18 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , H01L21/76871
摘要： Compositions and methods for forming a metal-containing thin film on a substrate. A reactor and at least one substrate in the reactor are provided. A metal-containing bis-β-diketiminate precursor is introduced into the reactor. The reactor is maintained at a set temperature and pressure, and the precursor is contacted with the substrate to form a metal-containing film on the substrate.
摘要翻译： 在基材上形成含金属薄膜的组合物和方法。 提供反应器和反应器中的至少一个基板。 将含金属的双 - 二氮嗪酮前体引入反应器。 将反应器保持在设定的温度和压力下，并将前体与基底接触以在基底上形成含金属的膜。
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公开(公告)号：US09045509B2
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：US13390452
申请日：2010-08-13
摘要： Disclosed are hafnium- and zirconium-containing precursors and methods of providing the same. The disclosed precursors include a ligand and at least one aliphatic group as substituent selected to have greater degrees of freedom than the usual substituents. The disclosed precursors may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.
摘要翻译： 公开了含铪和锆的前体及其提供方法。 所公开的前体包括配体和至少一个选自具有比通常取代基更大的自由度的取代基的脂族基团。 所公开的前体可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含铪层或含锆层。
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9.发明申请PLASMA-ENHANCED DEPOSITION OF MANGANESE-CONTAINING FILMS FOR VARIOUS APPLICATIONS USING AMIDINATE MANGANESE PRECURSORS 审中-公开使用氨基甲酸锰前体的各种应用的含锰膜的等离子体增强沉积公开(公告)号：US20130089679A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：US13269140
申请日：2011-10-07
IPC分类号： C23C16/06
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/18 , C23C16/45536 , C23C16/45553 , C23C16/50
摘要： The disclosure relates to a process for depositing a Manganese-containing film comprising the step of providing a metal guanidinate and/or metal amidinate precursor, suitable for plasma deposition at temperature equal or lower than 500 degrees C., to a plasma deposition process comprising a deposition temperature equal or lower than 500 degrees C.
摘要翻译： 本公开涉及一种用于沉积含锰的膜的方法，包括以下步骤：提供适于在等于或低于500摄氏度的温度下等离子体沉积的金属胍和/或金属脒前体，等离子体沉积方法包括 沉积温度等于或低于500摄氏度
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10.发明申请BIS-KETOIMINATE COPPER PRECURSORS FOR DEPOSITION OF COPPER-CONTAINING FILMS 有权用于沉积含铜薄膜的BIS-KETOIMINATE铜前驱体公开(公告)号：US20120321817A1
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：US13383343
申请日：2010-07-09
IPC分类号： C23C16/50
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/45542 , C23C16/45553
摘要： Disclosed are processes for the use of bis-ketoiminate copper precursors for the deposition of copper-containing films via Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) or Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
摘要翻译： 公开了通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）或等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积含铜膜的双酮亚胺铜前体的使用方法。
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