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    RFID tag chips and tags with alternative behaviors and methods
    1.
    发明授权
    RFID tag chips and tags with alternative behaviors and methods 有权
    RFID标签芯片和具有替代行为和方法的标签

    公开(公告)号：US08228175B1

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12404934

    申请日：2009-03-16

    申请人： Christopher J. Diorio ,  Theron Stanford ,  Scott A. Cooper ,  Chad A. Lindhorst ,  Kambiz Rahimi ,  Harley K. Heinrich ,  Gregory T. Kavounas

    发明人： Christopher J. Diorio ,  Theron Stanford ,  Scott A. Cooper ,  Chad A. Lindhorst ,  Kambiz Rahimi ,  Harley K. Heinrich ,  Gregory T. Kavounas

    IPC分类号： H04Q5/22

    CPC分类号： G06K19/07749

    摘要： RFID tags, ICs for RFID tags, and methods are provided. In some embodiments, an RFID tag includes a memory with multiple sections, and a processing block. The processing block may map one of these sections, or another of these sections, for purposes of responding to a first command from an RFID reader. As such, an RFID tag can operate according to the data stored in the section mapped at the time. In some embodiments, a tag can even transition from mapping one of the sections to mapping another of the sections. This can amount to the tag exhibiting alternative behaviors, and permits hiding data on the tag.

    摘要翻译： RFID标签，RFID标签的IC和方法。 在一些实施例中，RFID标签包括具有多个部分的存储器和处理块。 处理块可以映射这些部分中的一个或这些部分中的另一个，以便响应来自RFID读取器的第一命令。 因此，RFID标签可以根据当时映射的部分中存储的数据进行操作。 在一些实施例中，标签甚至可以从映射中的一个部分转换为映射另一个部分。 这可以代表展示替代行为的标签，并允许在标签上隐藏数据。

    RFID tag chips and tags with alternative behaviors and methods
    2.
    发明授权
    RFID tag chips and tags with alternative behaviors and methods 有权
    RFID标签芯片和具有替代行为和方法的标签

    公开(公告)号：US08665074B1

    公开(公告)日：2014-03-04

    申请号：US13528653

    申请日：2012-06-20

    申请人： Christopher J. Diorio ,  Theron Stanford ,  Scott A. Cooper ,  Chad A. Lindhorst ,  Kambiz Rahimi ,  Harley K. Heinrich ,  Gregory T. Kavounas

    发明人： Christopher J. Diorio ,  Theron Stanford ,  Scott A. Cooper ,  Chad A. Lindhorst ,  Kambiz Rahimi ,  Harley K. Heinrich ,  Gregory T. Kavounas

    IPC分类号： H04Q5/22

    CPC分类号： G06K19/07749

    摘要： RFID tags, ICs for RFID tags, and methods are provided. In some embodiments, an RFID tag includes a memory with multiple sections, and a processing block. The processing block may map one of these sections, or another of these sections, for purposes of responding to a first command from an RFID reader. As such, an RFID tag can operate according to the data stored in the section mapped at the time. In some embodiments, a tag can even transition from mapping one of the sections to mapping another of the sections. This can amount to the tag exhibiting alternative behaviors, and permits hiding data on the tag.

    摘要翻译： RFID标签，RFID标签的IC和方法。 在一些实施例中，RFID标签包括具有多个部分的存储器和处理块。 处理块可以映射这些部分中的一个或这些部分中的另一个，以便响应来自RFID读取器的第一命令。 因此，RFID标签可以根据当时映射的部分中存储的数据进行操作。 在一些实施例中，标签甚至可以从映射中的一个部分转换为映射另一个部分。 这可以代表展示替代行为的标签，并允许在标签上隐藏数据。

    RFID tags and readers employing QT command to switch tag profiles
    3.
    发明授权
    RFID tags and readers employing QT command to switch tag profiles 有权
    使用QT命令的RFID标签和读卡器切换标签配置文件

    公开(公告)号：US09024731B1

    公开(公告)日：2015-05-05

    申请号：US13900443

    申请日：2013-05-22

    申请人： Christopher J. Diorio ,  Theron Stanford ,  Scott A. Cooper ,  Harley K. Heinrich ,  Chad A. Lindhorst ,  Kambiz Rahimi

    发明人： Christopher J. Diorio ,  Theron Stanford ,  Scott A. Cooper ,  Harley K. Heinrich ,  Chad A. Lindhorst ,  Kambiz Rahimi

    IPC分类号： H04Q5/22 ,  G06K7/10 ,  G08B13/14 ,  G08B13/00 ,  G06Q30/00 ,  A01K5/02 ,  H04M11/04

    CPC分类号： G06K7/10297 ,  G06K7/10009 ,  G06K19/0725 ,  G06K19/07309 ,  G06K19/08 ,  G06K2017/0051

    摘要： RFID readers transmit a Quiet Technology (QT) command to RFID tags causing at least one of the tags to transition between a private profile and a public profile. When a tag is inventoried in the private profile, it replies to the reader with contents from its private memory. When a tag is inventoried in the public profile, it replies to the reader with contents from its public memory, where the contents of the public memory may be a subset and/or modified version of the private memory contents, or entirely different altogether. The tag's profile can be switched again by another QT command from the reader, or following a loss of power at the tag. An access password and/or a short-range mechanism may be employed to allow only authorized readers to transition tag profiles or interrogate the private memory contents of tags in the public profile.

    摘要翻译： RFID读取器将安静技术（QT）命令传输到RFID标签，使至少一个标签在私有配置文件和公共配置文件之间转换。 当标签在专用配置文件中进行盘点时，它会从其专用内存中的内容中回复读卡器。 当在公共简档中标记标签时，它从其公共存储器中的内容回复读取器，其中公共存储器的内容可以是专用存储器内容的子集和/或修改版本，或者完全不同。 标签的配置文件可以通过读写器的另一个QT命令重新切换，或者在标签丢失电源之后。 可以采用访问密码和/或短程机制来仅允许授权的读者转换标签简档或询问公共简档中的标签的私人存储器内容。

    Method and apparatus for trimming high-resolution digital-to-analog converter
    7.
    发明授权
    Method and apparatus for trimming high-resolution digital-to-analog converter 有权
    用于微调高分辨率数模转换器的方法和装置

    公开(公告)号：US06664909B1

    公开(公告)日：2003-12-16

    申请号：US09929652

    申请日：2001-08-13

    申请人： John D. Hyde ,  Miguel E. Figueroa ,  Todd E. Humes ,  Christopher J. Diorio ,  Terry D. Hass ,  Chad A. Lindhorst

    发明人： John D. Hyde ,  Miguel E. Figueroa ,  Todd E. Humes ,  Christopher J. Diorio ,  Terry D. Hass ,  Chad A. Lindhorst

    IPC分类号： H03M166

    CPC分类号： H03M1/1057 ,  H03M1/742

    摘要： A method and apparatus for trimming a high-resolution digital-to-analog converter (DAC) utilizes floating-gate synapse transistors to trim the current sources in the DAC by providing a trimmable current source. Fowler-Nordheim electron tunneling and hot electron injection are the mechanisms used to vary the amount of charge on the floating gate. Since floating gate devices store charge essentially indefinitely, no continuous trimming mechanism is required, although one could be implemented if desired. By trimming the current sources with high accuracy, a DAC can be built with a much higher resolution and with smaller size than that provided by intrinsic device matching.

    摘要翻译： 用于修整高分辨率数模转换器（DAC）的方法和装置利用浮栅突触晶体管来通过提供可调整的电流源来修整DAC中的电流源。 Fowler-Nordheim电子隧道和热电子注入是用于改变浮动栅极上的电荷量的机制。 由于浮动栅极器件基本上无限期地存储电荷，因此不需要连续的修整机制，但是如果需要可以实现。 通过以高精度修剪电流源，可以以比本机设备匹配提供的更高的分辨率和更小的尺寸构建DAC。

    Counteracting overtunneling in nonvolatile memory cells
    8.
    发明授权
    Counteracting overtunneling in nonvolatile memory cells 有权
    在非易失性存储单元中反作用超导

    公开(公告)号：US07573749B2

    公开(公告)日：2009-08-11

    申请号：US11731228

    申请日：2007-03-29

    申请人： Christopher J. Diorio ,  Chad A. Lindhorst ,  Shailendra Srinivas ,  Alberto Pesavento ,  Troy N. Gilliland

    发明人： Christopher J. Diorio ,  Chad A. Lindhorst ,  Shailendra Srinivas ,  Alberto Pesavento ,  Troy N. Gilliland

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C16/3468 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/3472 ,  G11C16/3477 ,  G11C16/3486 ,  G11C2216/10

    摘要： Methods and apparatuses prevent overtunneling in nonvolatile floating gate memory (NVM) cells. An individual cell includes a circuit with a transistor that has a floating gate that stores charge, and a capacitor structure for extracting charge from the gate, such as by tunneling. A counteracting circuit prevents extracting charge from the floating gate beyond a threshold, therefore preventing overtunneling or correcting for it. In one embodiment, the counteracting circuit supplies electrons to the floating gate, to compensate for tunneling beyond a point. In another embodiment, the counteracting circuit includes a switch, and a sensor to trigger the switch when the appropriate threshold is reached. The switch may be arranged in any number of suitable ways, such as to prevent a high voltage from being applied to the capacitor structure, or to prevent a power supply from being applied to a terminal of the transistor or to a well of the transistor.

    摘要翻译： 方法和装置防止非易失性浮动栅极存储器（NVM）单元中的超导。 单个电池包括具有晶体管的电路，其具有存储电荷的浮动栅极，以及用于从栅极提取电荷的电容器结构，例如通过隧道。 反作用电路防止从浮动栅极提取电荷超过阈值，因此防止对其进行过度隧穿或纠正。 在一个实施例中，反作用电路将电子提供给浮动栅极，以补偿超出点的隧穿。 在另一个实施例中，抵消电路包括开关和当达到适当的阈值时触发开关的传感器。 开关可以以任何数量的适当方式布置，例如防止高电压施加到电容器结构，或者防止电源施加到晶体管的端子或晶体管的阱。

    Counteracting overtunneling in nonvolatile memory cells using charge extraction control
    9.
    发明授权
    Counteracting overtunneling in nonvolatile memory cells using charge extraction control 有权
    使用电荷提取控制在非易失性存储单元中对抗超导

    公开(公告)号：US07212446B2

    公开(公告)日：2007-05-01

    申请号：US10830280

    申请日：2004-04-21

    申请人： Christopher J. Diorio ,  Chad A. Lindhorst ,  Shailendra Srinivas ,  Alberto Pesavento ,  Troy N. Gilliland

    发明人： Christopher J. Diorio ,  Chad A. Lindhorst ,  Shailendra Srinivas ,  Alberto Pesavento ,  Troy N. Gilliland

    IPC分类号： G11C11/34

    CPC分类号： G11C16/3468 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/3472 ,  G11C16/3477 ,  G11C16/3486 ,  G11C2216/10

    摘要： Methods and apparatuses prevent overtunneling in nonvolatile floating gate memory (NVM) cells. An individual cell includes a circuit with a transistor that has a floating gate that stores charge, and a capacitor structure for extracting charge from the gate, such as by tunneling. A counteracting circuit prevents extracting charge from the floating gate beyond a threshold, therefore preventing overtunneling or correcting for it. In one embodiment, the counteracting circuit supplies electrons to the floating gate, to compensate for tunneling beyond a point. In another embodiment, the counteracting circuit includes a switch, and a sensor to trigger the switch when the appropriate threshold is reached. The switch may be arranged in any number of suitable ways, such as to prevent a high voltage from being applied to the capacitor structure, or to prevent a power supply from being applied to a terminal of the transistor or to a well of the transistor.

    摘要翻译： 方法和装置防止非易失性浮动栅极存储器（NVM）单元中的超导。 单个电池包括具有存储电荷的浮动栅极的晶体管的电路，以及用于从栅极提取电荷的电容器结构，例如通过隧道。 反作用电路防止从浮动栅极提取电荷超过阈值，因此防止对其进行过度隧穿或纠正。 在一个实施例中，反作用电路将电子提供给浮动栅极，以补偿超出点的隧穿。 在另一个实施例中，抵消电路包括开关和当达到适当的阈值时触发开关的传感器。 开关可以以任何数量的适当方式布置，例如防止高电压施加到电容器结构，或者防止电源施加到晶体管的端子或晶体管的阱。

    Memory management unit (MMU) to make only one time programmable (OTP) memory appear multiple times programmable (MTP)
    10.
    发明授权
    Memory management unit (MMU) to make only one time programmable (OTP) memory appear multiple times programmable (MTP) 有权
    内存管理单元（MMU）只能进行一次可编程（OTP）存储器多次可编程（MTP）

    公开(公告)号：US08429375B1

    公开(公告)日：2013-04-23

    申请号：US11818757

    申请日：2007-06-15

    申请人： Seth Pollack ,  Chad A. Lindhorst

    发明人： Seth Pollack ,  Chad A. Lindhorst

    IPC分类号： G06F13/00

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201

    摘要： Memory management units (MMUs) are disclosed. In one aspect, an MMU may have a first interface to a component. The first interface may receive one of a read of updated data from, and a write of updated data to, a virtual memory address. The virtual memory address may initially correspond to a first physical memory location in an only one time programmable (OTP) non-volatile memory (NVM). The MMU may have a remapping unit to remap a correspondence of the virtual memory address from the first physical memory location to a spare physical memory location. The MMU may also have a second interface to the OTP NVM. The second interface may allow the updated data to be read from or written to the spare physical memory location of the OTP NVM. Methods performed by the MMUs, and methods and articles useful for manufacturing MMUs, are also disclosed.

    摘要翻译： 内存管理单元（MMU）被公开。 在一个方面，MMU可以具有到组件的第一接口。 第一接口可以从虚拟存储器地址接收更新数据的读取和更新数据的写入中的一个。 虚拟存储器地址可以最初对应于仅一次可编程（OTP）非易失性存储器（NVM）中的第一物理存储器位置。 MMU可以具有重新映射单元，用于将虚拟存储器地址从第一物理存储器位置到备用物理存储器位置的对应重新映射。 MMU还可以具有到OTP NVM的第二接口。 第二接口可以允许从OTP NVM的备用物理存储器位置读取或写入更新的数据。 还公开了由MMU执行的方法，以及用于制造MMU的方法和制品。