公开(公告)号：US07646068B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11483913

申请日：2006-07-10

申请人： Chih-Hsin Ko ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chih-Hsin Ko ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A semiconductor chip includes a semiconductor substrate 126, in which first and second active regions are disposed. A resistor 124 is formed in the first active region and the resistor 124 includes a doped region 128 formed between two terminals 136. A strained channel transistor 132 is formed in the second active region. The transistor includes a first and second stressor 141, formed in the substrate oppositely adjacent a strained channel region 143.

摘要翻译： 半导体芯片包括其中设置有第一和第二有源区的半导体衬底126。 电阻器124形成在第一有源区域中，并且电阻器124包括形成在两个端子136之间的掺杂区域128.应变沟道晶体管132形成在第二有源区域中。 该晶体管包括第一和第二应力源141，该第一和第二应力器141形成在与基片相反的相邻的应变通道区域143之间。

公开(公告)号：US07459756B2

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：US11467980

申请日：2006-08-29

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

摘要： Provided is a semiconductor device and a method for its fabrication. The device includes a semiconductor substrate, a first silicide in a first region of the substrate, and a second silicide in a second region of the substrate. The first silicide may differ from the second silicide. The first silicide and the second silicide may be an alloy silicide.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法。 该器件包括半导体衬底，衬底的第一区域中的第一硅化物和衬底的第二区域中的第二硅化物。 第一硅化物可能与第二硅化物不同。 第一硅化物和第二硅化物可以是合金硅化物。

公开(公告)号：US07335929B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US10967917

申请日：2004-10-18

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chenming Hu

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/802

摘要： A transistor structure comprises a channel region overlying a substrate region. The substrate region comprises a first semiconductor material with a first lattice constant. The channel region comprises a second semiconductor material with a second lattice constant. The source and drain regions are oppositely adjacent the channel region and the top portion of the source and drain regions comprise the first semiconductor material. A gate dielectric layer overlies the channel region and a gate electrode overlies the gate dielectric layer.

摘要翻译： 晶体管结构包括覆盖衬底区域的沟道区域。 衬底区域包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。 沟道区域包括具有第二晶格常数的第二半导体材料。 源极区和漏极区相对地邻近沟道区，并且源极和漏极区的顶部包括第一半导体材料。 栅极电介质层覆盖沟道区，栅电极覆盖在栅介质层上。

公开(公告)号：US07312136B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10899270

申请日：2004-07-26

申请人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Kuo-Nan Yang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Kuo-Nan Yang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76259 ,  H01L29/1054

摘要： A method for making a SOI wafer with a strained silicon layer for increased electron and hole mobility is achieved. The method forms a porous silicon layer on a seed wafer. A H2 anneal is used to form a smooth surface on the porous silicon. A strain free (relaxed) epitaxial SixGe1-x layer is deposited and a bonding layer is formed. The seed wafer is then bonded to a handle wafer having an insulator on the surface. A spray etch is used to etch the porous Si layer resulting in a SOI handle wafer having portions of the porous Si layer on the relaxed SixGe1-x. The handle wafer is then annealed in H2 to convert the porous Si to a smooth strained Si layer on the relaxed SiGe layer of the SOI wafer.

摘要翻译： 实现了制造具有用于增加电子和空穴迁移率的应变硅层的SOI晶片的方法。 该方法在种子晶片上形成多孔硅层。 使用H 2 H 2退火在多孔硅上形成光滑表面。 沉积无应变的（松弛的）外延的Si 1 x 1-x层，并形成结合层。 然后将种子晶片结合到在表面上具有绝缘体的手柄晶片。 使用喷涂蚀刻来蚀刻多孔Si层，导致SOI处理晶片，其具有在松弛的Si 1 x 1-x x上的多孔Si层的部分。 然后将手柄晶片在H 2 2中退火以将多孔Si转化为SOI晶片的松弛SiGe层上的平滑应变Si层。

公开(公告)号：US06953972B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10730778

申请日：2003-12-09

申请人： Yee-Chia Yeo ,  Chun-Chieh Lin ,  Fu-Liang Yang ,  Chen Ming Hu

发明人： Yee-Chia Yeo ,  Chun-Chieh Lin ,  Fu-Liang Yang ,  Chen Ming Hu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28167 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7846

摘要： A process for fabricating CMOS devices, featuring a channel region comprised with a strained SiGe layer, has been developed. The process features the selective growth of a composite silicon layer on the top surface of N well and P well regions. The composite silicon layer is comprised of a thin, strained SiGe layer sandwiched between selectively grown, undoped silicon layers. The content of Ge in the SiGe layer, between about 20 to 40 weight percent, allows enhanced carrier mobility to exist without creation of silicon defects. A thin silicon dioxide gate insulator is thermally grown from a top portion of the selectively grown silicon layer, located overlying the selectively grown SiGe layer.

摘要翻译： 已经开发了用于制造具有包含应变SiGe层的沟道区的CMOS器件的工艺。 该工艺的特点是在N阱和P阱区的顶表面上复合硅层的选择性生长。 复合硅层由夹在选择性生长的未掺杂硅层之间的薄的应变SiGe层组成。 SiGe层中Ge的含量在约20至40重量％之间，允许存在增加的载流子迁移率而不产生硅缺陷。 薄的二氧化硅栅极绝缘体从选择性地生长的硅层的顶部热生长，位于覆盖选择性生长的SiGe层上。

公开(公告)号：US20050133817A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US10710012

申请日：2004-06-11

申请人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Chao-Hsiung Wang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chien-Chao Huang ,  Yee-Chia Yeo ,  Chao-Hsiung Wang ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/933

摘要： A method comprises providing a semiconductor alloy layer on a semiconductor substrate, forming a gate structure on the semiconductor alloy layer, forming source and drain regions in the semiconductor substrate on both sides of the gate structure, removing at least a portion of the semiconductor alloy layer overlying the source and drain regions, and forming a metal silicide region over the source and drain regions.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底上提供半导体合金层，在半导体合金层上形成栅极结构，在半导体衬底的栅极结构的两侧形成源区和漏极区，去除半导体合金层的至少一部分 覆盖源极和漏极区域，并且在源极和漏极区域上形成金属硅化物区域。

公开(公告)号：US20050035409A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：US10729095

申请日：2003-12-05

申请人： Chih-Hsin Ko ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chih-Hsin Ko ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chun-Chieh Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/01 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： A semiconductor chip includes a semiconductor substrate 126, in which first and second active regions are disposed. A resistor 124 is formed in the first active region and the resistor 124 includes a doped region 128 formed between two terminals 136. A strained channel transistor 132 is formed in the second active region. The transistor includes a first and second stressor 141, formed in the substrate oppositely adjacent a strained channel region 143.

摘要翻译： 半导体芯片包括其中设置有第一和第二有源区的半导体衬底126。 电阻器124形成在第一有源区域中，并且电阻器124包括形成在两个端子136之间的掺杂区域128.应变沟道晶体管132形成在第二有源区域中。 该晶体管包括第一和第二应力源141，该第一和第二应力器141形成在与基片相反的相邻的应变通道区域143之间。

公开(公告)号：US07381604B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11423457

申请日：2006-06-12

申请人： Chun-Chieh Lin ,  Yee-Chia Yeo

发明人： Chun-Chieh Lin ,  Yee-Chia Yeo

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823425 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848

摘要： A strained-channel semiconductor structure and method of fabricating the same. The strained-channel semiconductor structure comprises a substrate composed of a first semiconductor material with a first natural lattice constant. A channel region is disposed in the substrate and a gate stack is disposed over the strained channel region. A pair of source/drain regions are oppositely disposed in the substrate adjacent to the channel region, wherein each of the source/drain regions comprises a lattice-mismatched zone comprising a second semiconductor material with a second natural lattice constant rather than the first natural lattice constant, an inner side and an outer side corresponding to the gate stack, and at least one outer sides laterally contacts the first semiconductor material of the substrate.

摘要翻译： 应变通道半导体结构及其制造方法。 应变通道半导体结构包括由具有第一自然晶格常数的第一半导体材料构成的衬底。 通道区域设置在衬底中，并且栅堆叠设置在应变通道区域上。 一对源极/漏极区域相邻地设置在衬底中，与沟道区域相邻，其中源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域包括具有第二自然晶格常数而不是第一自然晶格的第二半导体材料的晶格失配区域 常数，对应于栅极叠层的内侧和外侧，并且至少一个外侧横向接触基板的第一半导体材料。

公开(公告)号：US07357838B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11074738

申请日：2005-03-08

申请人： Chun Chieh Lin ,  Yee-Chia Yeo ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tien-Chih Chang ,  Chenming Hu ,  Fu-Liang Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang ,  Liang-Gi Yao

发明人： Chun Chieh Lin ,  Yee-Chia Yeo ,  Chien-Chao Huang ,  Chao-Hsiung Wang ,  Tien-Chih Chang ,  Chenming Hu ,  Fu-Liang Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang ,  Liang-Gi Yao

IPC分类号： C30B23/00

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/324

摘要： A method of forming a strained silicon layer on a relaxed, low defect density semiconductor alloy layer such as SiGe is provided.

摘要翻译： 提供了在松弛的低缺陷密度半导体合金层（例如SiGe）上形成应变硅层的方法。

公开(公告)号：US20060286740A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11467980

申请日：2006-08-29

申请人： Chun-Chieh LIN ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

发明人： Chun-Chieh LIN ,  Wen-Chin Lee ,  Yee-Chia Yeo ,  Chuan-Yi Lin ,  Chenming Hu

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78648

摘要： Provided is a semiconductor device and a method for its fabrication. The device includes a semiconductor substrate, a first silicide in a first region of the substrate, and a second silicide in a second region of the substrate. The first silicide may differ from the second silicide. The first silicide and the second silicide may be an alloy silicide.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法。 该器件包括半导体衬底，衬底的第一区域中的第一硅化物和衬底的第二区域中的第二硅化物。 第一硅化物可能与第二硅化物不同。 第一硅化物和第二硅化物可以是合金硅化物。