公开(公告)号：US20110101414A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12939044

申请日：2010-11-03

申请人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Steven P. DenBaars ,  Frederick F. Lange ,  MaryAnn E. Lange ,  Jin Hyeok Kim

发明人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Steven P. DenBaars ,  Frederick F. Lange ,  MaryAnn E. Lange ,  Jin Hyeok Kim

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  C01G9/02

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method for fabricating a Light Emitting Diode (LED) with increased light extraction efficiency, comprising providing a III-Nitride based LED structure comprising a light emitting active layer between a p-type layer and an n-type layer; growing a Zinc Oxide (ZnO) layer epitaxially on the p-type layer by submerging a surface of the p-type layer in a low temperature aqueous solution, wherein the ZnO layer is a transparent current spreading layer; and depositing a p-type contact on the ZnO layer. The increase in efficiency may be more than 93% with very little or no increase in cost.

摘要翻译： 一种制造具有提高光提取效率的发光二极管（LED）的方法，包括提供包括p型层和n型层之间的发光有源层的基于III氮化物的LED结构; 通过将p型层的表面浸没在低温水溶液中，在p型层上外延生长氧化锌（ZnO）层，其中ZnO层是透明电流扩散层; 以及在ZnO层上沉积p型接触。 效率的提高可能超过93％，成本很少或没有增加。

公开(公告)号：US09653655B2

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：US12939044

申请日：2010-11-03

申请人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Steven P. DenBaars ,  Jin Hyeok Kim ,  MaryAnn E. Lange

发明人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Steven P. DenBaars ,  Frederick F. Lange ,  Jin Hyeok Kim

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L21/288 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method for fabricating a Light Emitting Diode (LED) with increased light extraction efficiency, comprising providing a III-Nitride based LED structure comprising a light emitting active layer between a p-type layer and an n-type layer; growing a Zinc Oxide (ZnO) layer epitaxially on the p-type layer by submerging a surface of the p-type layer in a low temperature aqueous solution, wherein the ZnO layer is a transparent current spreading layer; and depositing a p-type contact on the ZnO layer. The increase in efficiency may be more than 93% with very little or no increase in cost.

公开(公告)号：US20110266551A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：US12938948

申请日：2010-11-03

申请人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

IPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A high brightness III-Nitride based Light Emitting Diode (LED), comprising multiple surfaces covered by Zinc Oxide (ZnO) layers, wherein the ZnO layers are grown in a low temperature aqueous solution and each have a (0001) c-orientation and a top surface that is a (0001) plane.

摘要翻译： 一种高亮度III-Nitride型发光二极管（LED），包括由氧化锌（ZnO）层覆盖的多个表面，其中ZnO层在低温水溶液中生长，并且各自具有（0001）c取向和 （0001）面的顶面。

公开(公告)号：US08536618B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US12938872

申请日：2010-11-03

申请人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method of fabricating a Light Emitting Diode with improved light extraction efficiency, comprising depositing a plurality of Zinc Oxide (ZnO) nanorods on one or more surfaces of a III-Nitride based LED, by growing the ZnO nanorods from an aqueous solution, wherein the surfaces are different from c-plane surfaces of III-Nitride and transmit light generated by the LED.

摘要翻译： 一种制备具有改进的光提取效率的发光二极管的方法，包括通过从水溶液中生长ZnO纳米棒，在III-氮化物基LED的一个或多个表面上沉积多个氧化锌（ZnO）纳米棒，其中 表面与III型氮化物的c面不同，透过LED产生的光。

公开(公告)号：US08637334B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12938948

申请日：2010-11-03

申请人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Maryann E. Lange

发明人： Daniel B. Thompson ,  Jacob J. Richardson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A high brightness III-Nitride based Light Emitting Diode (LED), comprising multiple surfaces covered by Zinc Oxide (ZnO) layers, wherein the ZnO layers are grown in a low temperature aqueous solution and each have a (0001) c-orientation and a top surface that is a (0001) plane.

摘要翻译： 一种高亮度III-Nitride型发光二极管（LED），包括由氧化锌（ZnO）层覆盖的多个表面，其中ZnO层在低温水溶液中生长，并且各自具有（0001）c取向和 （0001）面的顶面。

公开(公告)号：US20110108873A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12938872

申请日：2010-11-03

申请人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Jacob J. Richardson ,  Daniel B. Thompson ,  Ingrid Koslow ,  Jun Seok Ha ,  Frederick F. Lange ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/26 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/288 ,  H01L33/007 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

摘要： A method of fabricating a Light Emitting Diode with improved light extraction efficiency, comprising depositing a plurality of Zinc Oxide (ZnO) nanorods on one or more surfaces of a III-Nitride based LED, by growing the ZnO nanorods from an aqueous solution, wherein the surfaces are different from c-plane surfaces of III-Nitride and transmit light generated by the LED.

摘要翻译： 一种制备具有改进的光提取效率的发光二极管的方法，包括通过从水溶液中生长ZnO纳米棒，在III-氮化物基LED的一个或多个表面上沉积多个氧化锌（ZnO）纳米棒，其中 表面与III型氮化物的c面不同，透过LED产生的光。

公开(公告)号：US08334151B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12752977

申请日：2010-04-01

申请人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341

摘要： An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

摘要翻译： An（Al，Ga，In）N和ZnO直接晶圆键合发光二极管（LED），其中光通过导电ZnO。 为（Al，Ga，In）N和ZnO晶圆制备平坦且干净的表面。 然后在（Al，Ga，In）N和ZnO晶片之间进行晶片接合工艺，其中（Al，Ga，In）N和ZnO晶片被接合在一起，然后在氮气氛下在单轴压力下在 设定温度一段时间。 在晶片接合工艺之后，ZnO被成形为用于从LED内部增加光提取。

公开(公告)号：US20100187555A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12752977

申请日：2010-04-01

申请人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341

摘要： An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

摘要翻译： An（Al，Ga，In）N和ZnO直接晶圆键合发光二极管（LED），其中光通过导电ZnO。 为（Al，Ga，In）N和ZnO晶圆制备平坦且干净的表面。 然后在（Al，Ga，In）N和ZnO晶片之间进行晶片接合工艺，其中（Al，Ga，In）N和ZnO晶片被接合在一起，然后在氮气氛下在单轴压力下在 设定温度一段时间。 在晶片接合工艺之后，ZnO被成形为用于从LED内部增加光提取。

公开(公告)号：US07719020B2

公开(公告)日：2010-05-18

申请号：US11454691

申请日：2006-06-16

申请人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

发明人： Akihiko Murai ,  Christina Ye Chen ,  Daniel B. Thompson ,  Lee S. McCarthy ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh K. Mishra

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/1838 ,  H01S5/32341

摘要： An (Al, Ga, In)N and ZnO direct wafer bonded light emitting diode (LED), wherein light passes through electrically conductive ZnO. Flat and clean surfaces are prepared for both the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers. A wafer bonding process is then performed between the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers, wherein the (Al, Ga, In)N and ZnO wafers are joined together and then wafer bonded in a nitrogen ambient under uniaxial pressure at a set temperature for a set duration. After the wafer bonding process, ZnO is shaped for increasing light extraction from inside of LED.

摘要翻译： An（Al，Ga，In）N和ZnO直接晶圆键合发光二极管（LED），其中光通过导电ZnO。 为（Al，Ga，In）N和ZnO晶圆制备平坦且干净的表面。 然后在（Al，Ga，In）N和ZnO晶片之间进行晶片接合工艺，其中（Al，Ga，In）N和ZnO晶片被接合在一起，然后在氮气氛下在单轴压力下在 设定温度一段时间。 在晶片接合工艺之后，ZnO被成形为用于从LED内部增加光提取。