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    METHOD USING LOW TEMPERATURE WAFER BONDING TO FABRICATE TRANSISTORS WITH HETEROJUNCTIONS OF Si(Ge) TO III-N MATERIALS
    5.
    发明申请
    METHOD USING LOW TEMPERATURE WAFER BONDING TO FABRICATE TRANSISTORS WITH HETEROJUNCTIONS OF Si(Ge) TO III-N MATERIALS 失效
    使用低温波形与Si（Ge）至III-N材料的异相结合制造晶体管的方法

    公开(公告)号：US20110169050A1

    公开(公告)日：2011-07-14

    申请号：US13069725

    申请日：2011-03-23

    申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

    发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

    IPC分类号： H01L29/72 ,  H01L29/267 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786

    摘要： A method for fabricating an electronic device, comprising wafer bonding a first semiconductor material to a III-nitride semiconductor, at a temperature below 550° C., to form a device quality heterojunction between the first semiconductor material and the III-nitride semiconductor, wherein the first semiconductor material is different from the III-nitride semiconductor and is selected for superior properties, or preferred integration or fabrication characteristics in the injector region as compared to the III-nitride semiconductor.

    摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括在低于550℃的温度下将第一半导体材料晶体结合到III族氮化物半导体，以在第一半导体材料和III族氮化物半导体之间形成器件质量异质结，其中 第一半导体材料与III族氮化物半导体不同，并且与III族氮化物半导体相比被选择用于喷射器区域中的优异性能或优选的集成或制造特性。

    Method using low temperature wafer bonding to fabricate transistors with heterojunctions of Si(Ge) to III-N materials
    6.
    发明授权
    Method using low temperature wafer bonding to fabricate transistors with heterojunctions of Si(Ge) to III-N materials 失效
    使用低温晶片接合制造具有Si（Ge）至III-N材料的异质结的晶体管的方法

    公开(公告)号：US08558285B2

    公开(公告)日：2013-10-15

    申请号：US13069725

    申请日：2011-03-23

    申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

    发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786

    摘要： A method for fabricating an electronic device, comprising wafer bonding a first semiconductor material to a III-nitride semiconductor, at a temperature below 550° C., to form a device quality heterojunction between the first semiconductor material and the III-nitride semiconductor, wherein the first semiconductor material is different from the III-nitride semiconductor and is selected for superior properties, or preferred integration or fabrication characteristics in the injector region as compared to the III-nitride semiconductor.

    摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括在低于550℃的温度下将第一半导体材料晶体结合到III族氮化物半导体，以在第一半导体材料和III族氮化物半导体之间形成器件质量异质结，其中 第一半导体材料与III族氮化物半导体不同，并且与III族氮化物半导体相比被选择用于喷射器区域中的优异性能或优选的集成或制造特性。

    METHOD TO FABRICATE III-N SEMICONDUCTOR DEVICES ON THE N-FACE OF LAYERS WHICH ARE GROWN IN THE III-FACE DIRECTION USING WAFER BONDING AND SUBSTRATE REMOVAL
    7.
    发明申请
    METHOD TO FABRICATE III-N SEMICONDUCTOR DEVICES ON THE N-FACE OF LAYERS WHICH ARE GROWN IN THE III-FACE DIRECTION USING WAFER BONDING AND SUBSTRATE REMOVAL 审中-公开
    使用波形焊接和基板去除在III面形成的层的N面上制造III-N半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20090085065A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US12059907

    申请日：2008-03-31

    申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy ,  Chang Soo Suh ,  Siddharth Rajan

    发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy ,  Chang Soo Suh ,  Siddharth Rajan

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/187 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

    摘要： A method for fabricating III-N semiconductor devices on the N-face of layers comprising (a) growing a III-nitride semiconductor device structure in a Ga-polar direction on a substrate, (b) attaching a Ga face of the III-nitride semiconductor device structure to a host substrate, and (c) removing the substrate to expose the N-face surface of the III-nitride semiconductor device structure. An N-polar (000-1) oriented III-nitride semiconductor device is also disclosed, comprising one or more (000-1) oriented nitride layers, each having an N-face opposite a group III-face, wherein at least one N-face is an at least partially exposed N-face, and a host substrate attached to one of the group III-faces.

    摘要翻译： 一种用于在层的N面上制造III-N半导体器件的方法，包括（a）在衬底上生长Ga极性方向上的III族氮化物半导体器件结构，（b）将III族氮化物的Ga面 半导体器件结构，以及（c）去除衬底以露出III族氮化物半导体器件结构的N面。 还公开了一种N极（000-1）取向的III族氮化物半导体器件，其包括一个或多个（000-1）取向的氮化物层，每个具有与III族面相反的N面，其中至少一个N 表面是至少部分暴露的N面，以及附着到III组面中的一个的主体衬底。

    METHOD USING LOW TEMPERATURE WAFER BONDING TO FABRICATE TRANSISTORS WITH HETEROJUNCTIONS OF Si(Ge) TO III-N MATERIALS
    8.
    发明申请
    METHOD USING LOW TEMPERATURE WAFER BONDING TO FABRICATE TRANSISTORS WITH HETEROJUNCTIONS OF Si(Ge) TO III-N MATERIALS 审中-公开
    使用低温波形与Si（Ge）至III-N材料的异相结合制造晶体管的方法

    公开(公告)号：US20080296617A1

    公开(公告)日：2008-12-04

    申请号：US12113847

    申请日：2008-05-01

    申请人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

    发明人： Umesh K. Mishra ,  Lee S. McCarthy

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/30 ,  H01L29/737

    CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/187 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7786

    摘要： A method for fabricating an electronic device, comprising wafer bonding a first semiconductor material to a III-nitride semiconductor, at a temperature below 550° C., to form a device quality heterojunction between the first semiconductor material and the III-nitride semiconductor, wherein the first semiconductor material is different from the III-nitride semiconductor and is selected for superior properties, or preferred integration or fabrication characteristics in the injector region as compared to the III-nitride semiconductor.

    摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括在低于550℃的温度下将第一半导体材料晶体结合到III族氮化物半导体，以在第一半导体材料和III族氮化物半导体之间形成器件质量异质结，其中 第一半导体材料与III族氮化物半导体不同，并且与III族氮化物半导体相比被选择用于喷射器区域中的优异性能或优选的集成或制造特性。