公开(公告)号：US20080233366A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11690248

申请日：2007-03-23

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Alexandros Demos ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Steven E. Molis ,  Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Steven Reiter ,  Darryl D. Restaino ,  Kang Sub Yim

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Alexandros Demos ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Steven E. Molis ,  Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Steven Reiter ,  Darryl D. Restaino ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： B32B3/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/029 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/249961

摘要： Disclosed is a structure and method for forming a structure including a SiCOH layer having increased mechanical strength. The structure includes a substrate having a layer of dielectric or conductive material, a layer of oxide on the layer of dielectric or conductive material, the oxide layer having essentially no carbon, a graded transition layer on the oxide layer, the graded transition layer having essentially no carbon at the interface with the oxide layer and gradually increasing carbon towards a porous SiCOH layer, and a porous SiCOH (pSiCOH) layer on the graded transition layer, the porous pSiCOH layer having an homogeneous composition throughout the layer. The method includes a process wherein in the graded transition layer, there are no peaks in the carbon concentration and no dips in the oxygen concentration.

摘要翻译： 公开了一种用于形成包括具有增加的机械强度的SiCOH层的结构的结构和方法。 该结构包括具有电介质或导电材料层的基底，介电层或导电材料层上的氧化物层，氧化物层基本上不含碳，氧化物层上的渐变过渡层，梯度过渡层基本上 在与氧化物层的界面处没有碳并逐渐向多孔SiCOH层增加碳，并且在渐变过渡层上的多孔SiCOH（pSiCOH）层，多孔pSiCOH层在整个层中具有均匀的组成。 该方法包括一种方法，其中在渐变过渡层中，在碳浓度中没有峰，而在氧浓度中没有下降。

公开(公告)号：US07615482B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11690248

申请日：2007-03-23

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Alexandros Demos ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Steven E. Molis ,  Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Steven Reiter ,  Darryl D. Restaino ,  Kang Sub Yim

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Alexandros Demos ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Steven E. Molis ,  Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Steven Reiter ,  Darryl D. Restaino ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/029 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/249961

摘要： Disclosed is a structure and method for forming a structure including a SiCOH layer having increased mechanical strength. The structure includes a substrate having a layer of dielectric or conductive material, a layer of oxide on the layer of dielectric or conductive material, the oxide layer having essentially no carbon, a graded transition layer on the oxide layer, the graded transition layer having essentially no carbon at the interface with the oxide layer and gradually increasing carbon towards a porous SiCOH layer, and a porous SiCOH (pSiCOH) layer on the graded transition layer, the porous pSiCOH layer having an homogeneous composition throughout the layer. The method includes a process wherein in the graded transition layer, there are no peaks in the carbon concentration and no dips in the oxygen concentration.

摘要翻译： 公开了一种用于形成包括具有增加的机械强度的SiCOH层的结构的结构和方法。 该结构包括具有电介质或导电材料层的基底，介电层或导电材料层上的氧化物层，氧化物层基本上不含碳，氧化物层上的渐变过渡层，梯度过渡层基本上 在与氧化物层的界面处没有碳并逐渐向多孔SiCOH层增加碳，并且在渐变过渡层上的多孔SiCOH（pSiCOH）层，多孔pSiCOH层在整个层中具有均匀的组成。 该方法包括一种方法，其中在渐变过渡层中，在碳浓度中没有峰，而在氧浓度中没有下降。

公开(公告)号：US20100009161A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12548487

申请日：2009-08-27

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Alexandros Demos ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Steven E. Molis ,  Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Steven Reiter ,  Darryl D. Restaino ,  Kang Sub Yim

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Alexandros Demos ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Steven E. Molis ,  Vu Ngoc Tran Nguyen ,  Steven Reiter ,  Darryl D. Restaino ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： B32B5/14

CPC分类号： C23C16/401 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/029 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/249961

摘要： Disclosed is a structure and method for forming a structure including a SiCOH layer having increased mechanical strength. The structure includes a substrate having a layer of dielectric or conductive material, a layer of oxide on the layer of dielectric or conductive material, the oxide layer having essentially no carbon, a graded transition layer on the oxide layer, the graded transition layer having essentially no carbon at the interface with the oxide layer and gradually increasing carbon towards a porous SiCOH layer, and a porous SiCOH (pSiCOH) layer on the graded transition layer, the porous pSiCOH layer having an homogeneous composition throughout the layer. The method includes a process wherein in the graded transition layer, there are no peaks in the carbon concentration and no dips in the oxygen concentration.

摘要翻译： 公开了一种用于形成包括具有增加的机械强度的SiCOH层的结构的结构和方法。 该结构包括具有电介质或导电材料层的基底，介电层或导电材料层上的氧化物层，氧化物层基本上不含碳，氧化物层上的渐变过渡层，梯度过渡层基本上 在与氧化物层的界面处没有碳并逐渐向多孔SiCOH层增加碳，并且在渐变过渡层上的多孔SiCOH（pSiCOH）层，多孔pSiCOH层在整个层中具有均匀的组成。 该方法包括一种方法，其中在渐变过渡层中，在碳浓度中没有峰，而在氧浓度中没有下降。

公开(公告)号：US07067437B2

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：US10662022

申请日：2003-09-12

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Alfred Grill ,  Vishnubhai V. Patel ,  Darryl D. Restaino

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Alfred Grill ,  Vishnubhai V. Patel ,  Darryl D. Restaino

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： A semiconductor device structure and method for manufacture includes a substrate having a top first layer; a second thin transition layer located on top of the first layer; and, a third layer located on top of the transition layer, wherein the second thin transition layer provides strong adhesion and cohesive strength between the first and third layers of the structure. Additionally, a semiconductor device structure and method for manufacture includes an insulating structure comprising a multitude of dielectric and conductive layers with respective transition bonding layers disposed to enhance interfacial strength among the different layers. Further, an electronic device structure incorporates layers of insulating and conductive materials as intralevel or interlevel dielectrics in a back-end-of-the-line (“BEOL”) wiring structure in which the interfacial strength between different pairs of dielectric films is enhanced by a thin intermediate transition bonding layer.

摘要翻译： 半导体器件结构和制造方法包括具有顶部第一层的衬底; 位于所述第一层顶部的第二薄过渡层; 以及位于所述过渡层顶部的第三层，其中所述第二薄过渡层在所述结构的所述第一和第三层之间提供强粘合力和内聚强度。 此外，半导体器件结构和制造方法包括绝缘结构，其包括多个介电层和导电层，其中设置有各自的过渡键合层以增强不同层之间的界面强度。 此外，电子器件结构包括绝缘和导电材料层，作为后端线（“BEOL”）布线结构中的层间或层间电介质，其中不同对的介电膜之间的界面强度由 薄的中间过渡粘合层。

公开(公告)号：US07888741B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US11406595

申请日：2006-04-19

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Alfred Grill ,  Vishnubhai V. Patel ,  Darryl D. Restaino

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Alfred Grill ,  Vishnubhai V. Patel ,  Darryl D. Restaino

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

摘要： A semiconductor device structure and method for manufacture includes a substrate having a top first layer; a second thin transition layer located on top of the first layer; and, a third layer located on top of the transition layer, wherein the second thin transition layer provides strong adhesion and cohesive strength between the first and third layers of the structure. Additionally, a semiconductor device structure and method for manufacture includes an insulating structure comprising a multitude of dielectric and conductive layers with respective transition bonding layers disposed to enhance interfacial strength among the different layers. Further, an electronic device structure incorporates layers of insulating and conductive materials as intralevel or interlevel dielectrics in a back-end-of-the-line (“BEOL”) wiring structure in which the interfacial strength between different pairs of dielectric films is enhanced by a thin intermediate transition bonding layer.

摘要翻译： 半导体器件结构和制造方法包括具有顶部第一层的衬底; 位于所述第一层顶部的第二薄过渡层; 以及位于所述过渡层顶部的第三层，其中所述第二薄过渡层在所述结构的所述第一和第三层之间提供强粘合力和内聚强度。 此外，半导体器件结构和制造方法包括绝缘结构，其包括多个介电层和导电层，其中设置有各自的过渡键合层以增强不同层之间的界面强度。 此外，电子器件结构包括绝缘和导电材料层，作为后端线（“BEOL”）布线结构中的层间或层间电介质，其中不同对的介电膜之间的界面强度由 薄的中间过渡粘合层。

公开(公告)号：US20090181178A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12355316

申请日：2009-01-16

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： C23C16/22

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided that includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si—CH3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si—R—Si, wherein R is phenyl, —[CH2]n— where n is greater than or equal to 1, HC═CH, C═CH2, C═C or a [S]n linkage, where n is a defined above.

摘要翻译： 提供了一种用于包括互连和感测结构的电子结构中具有增强的内聚强度的低k电介质材料，其包括其中一部分C原子键合为Si-CH 3官能团的Si，C，O和H的原子 ，另一部分C原子键合为Si-R-Si，其中R为苯基， - [CH2] n-，其中n大于或等于1，HC-CH，C-CH2，CC或[ S] n连接，其中n是上面定义的。

公开(公告)号：US07892648B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US11040778

申请日：2005-01-21

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： B32B9/04

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided that includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si—CH3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si—R—Si, wherein R is phenyl, —[CH2]n— where n is greater than or equal to 1, HC═CH, C═CH2, C≡C or a [S]n linkage, where n is a defined above.

摘要翻译： 提供了一种用于包括互连和感测结构的电子结构中具有增强的内聚强度的低k电介质材料，其包括其中一部分C原子键合为Si-CH 3官能团的Si，C，O和H的原子 ，并且C原子的另一部分键合为Si-R-Si，其中R是苯基， - [CH 2] n - ，其中n大于或等于1，HC = CH，C = CH 2，C≡C或 一个[S] n连接，其中n是上面定义的。

公开(公告)号：US07479306B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11132108

申请日：2005-05-18

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： C23C16/22

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided that includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si—CH3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si—R—Si, wherein R is phenyl, —[CH2]n— where n is greater than or equal to 1, HC═CH, C═CH2, C≡C or a [S]n linkage, where n is a defined above.

摘要翻译： 提供了一种用于包括互连和感测结构的电子结构中具有增强的内聚强度的低k电介质材料，其包括其中一部分C原子键合为Si-CH 3官能团的Si，C，O和H的原子 ，另一部分C原子键合为Si-R-Si，其中R为苯基， - [CH2] n-，其中n大于或等于1，HC-CH，C-CH2，C≡C或 一个[S] n连接，其中n是上面定义的。

公开(公告)号：US08101236B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12355316

申请日：2009-01-16

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Qinghuang Lin ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： C23C16/40

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A method of fabricating a low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided. The method includes the deposition of the dielectric material from a first precursor which is an carbosilane or an alkoxycarbosilane molecule.

摘要翻译： 提供了一种制造具有增强的内聚强度的低k电介质材料的方法，用于包括互连和感测结构在内的电子结构中。 该方法包括从作为碳硅烷或烷氧基碳硅烷分子的第一前体沉积电介质材料。

公开(公告)号：US20110101489A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12986531

申请日：2011-01-07

申请人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

发明人： Daniel C. Edelstein ,  Stephen M. Gates ,  Alfred Grill ,  Michael Lane ,  Robert D. Miller ,  Deborah A. Neumayer ,  Son Van Nguyen

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L31/103 ,  Y10T428/31663

摘要： A low-k dielectric material with increased cohesive strength for use in electronic structures including interconnect and sensing structures is provided that includes atoms of Si, C, O, and H in which a fraction of the C atoms are bonded as Si—CH3 functional groups, and another fraction of the C atoms are bonded as Si—R—Si, wherein R is phenyl, —[CH2]n— where n is greater than or equal to 1, HC═CH, C═CH2, C≡C or a [S]n linkage, where n is a defined above.

摘要翻译： 提供了一种用于包括互连和感测结构的电子结构中具有增强的内聚强度的低k电介质材料，其包括其中一部分C原子键合为Si-CH 3官能团的Si，C，O和H的原子 ，并且C原子的另一部分键合为Si-R-Si，其中R是苯基， - [CH 2] n - ，其中n大于或等于1，HC = CH，C = CH 2，C≡C或 一个[S] n连接，其中n是上面定义的。