利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

19 条记录 (耗时 0.025 秒)

    Optical thumbtack
    8.
    发明授权
    Optical thumbtack 失效
    光学图钉

    公开(公告)号：US06792179B2

    公开(公告)日：2004-09-14

    申请号：US10334749

    申请日：2002-12-31

    申请人： Daoqiang Lu ,  Gilroy J. Vandentop ,  Steven N. Towle ,  Henning Braunisch

    发明人： Daoqiang Lu ,  Gilroy J. Vandentop ,  Steven N. Towle ,  Henning Braunisch

    IPC分类号： G02B632

    CPC分类号： G02B6/43 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/181

    摘要： An optical or optoelectroronic component is mounted to a substrate, and an optical thumbtack is inserted into a through-hole of the substrate. The optical thumbtack is positioned to receive light from or send light to the optical or optoelectronic component and provide a conditioned, for example collimated or focused, beam. The optical thumbtack comprises a lens portion, a spacer portion, and a foot portion. Light may enter the thumbtack from either direction.

    摘要翻译： 将光学或光电元件安装到基板上，并将光学图钉插入基板的通孔中。 光学图钉被定位成从光学或光电子部件接收光或发光，并提供经调理的例如准直或聚焦的光束。 光学图钉包括透镜部分，间隔部分和脚部分。 光可以从任一方向进入图钉。

    Highly selective etch process for submicron contacts
    9.
    发明授权
    Highly selective etch process for submicron contacts 失效
    亚微米接触的高选择性蚀刻工艺

    公开(公告)号：US06001699A

    公开(公告)日：1999-12-14

    申请号：US589903

    申请日：1996-01-23

    申请人： Phi L. Nguyen ,  Mark A. Fradkin ,  Gilroy J. Vandentop

    发明人： Phi L. Nguyen ,  Mark A. Fradkin ,  Gilroy J. Vandentop

    IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  C03C15/00

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/31116

    摘要： A method for forming contacts with vertical sidewalls, high aspect ratios, improved salicide and photoresist etch selectivity at submicron dimensions. In one currently preferred embodiment, an opening is formed in a dual oxide layer by etching the undoped oxide layer at a first rate and then etching the doped oxide layer at a second rate. The etch process is performed in a low density parallel plate reactor. The process parameters of the etch are fixed in ranges which optimize the etch process and allow greater control over the critical dimensions of the opening. For example, the oxide layer is etched at a pressure in the range of approximately 100-300 mTorr and with an etch chemistry having a CHF.sub.3 :CF.sub.4 gas flow ratio in the range of approximately 3:1-1:1, respectively.

    摘要翻译： 用于在亚微米尺寸处形成具有垂直侧壁的接触的方法，高纵横比，改进的自对准硅化物和光致抗蚀剂蚀刻选择性。 在一个当前优选的实施例中，通过以第一速率蚀刻未掺杂的氧化物层，然后以第二速率蚀刻掺杂的氧化物层，在双重氧化物层中形成开口。 蚀刻工艺在低密度平行板反应器中进行。 蚀刻的工艺参数固定在优化蚀刻工艺并允许对开口的关键尺寸的更大控制的范围内。 例如，氧化物层在大约100-300mTorr的压力下蚀刻，并且蚀刻化学物质的CHF 3：CF 4气体流动比分别在大约3:1-1:1范围内。