公开(公告)号：US20100155786A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US11881739

申请日：2007-07-27

申请人： David L. Heald ,  Jian Chen ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  J. Wallace Parce ,  Srikanth Ranganathan

发明人： David L. Heald ,  Jian Chen ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  J. Wallace Parce ,  Srikanth Ranganathan

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0754 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/78

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, formation of arrays in spin-on-dielectrics, solvent annealing after nanostructure deposition, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices). Methods for protecting nanostructures from fusion during high temperature processing are also provided.

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团，自旋电介质中阵列形成，纳米结构沉积后的溶剂退火，使用抗蚀剂图案化和/或使用促进阵列形成的器件的涂层上形成阵列。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。 还提供了在高温处理过程中保护纳米结构不熔化的方法。

公开(公告)号：US20080150003A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11641956

申请日：2006-12-20

申请人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Karen Cruden ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  Srikanth Ranganathan ,  Francisco Leon ,  J. Wallace Parce

发明人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Karen Cruden ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  Srikanth Ranganathan ,  Francisco Leon ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7881 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517

摘要： Methods and apparatuses for electronic devices such as non-volatile memory devices are described. The memory devices include a multi-layer control dielectric, such as a double or triple layer. The multi-layer control dielectric includes a combination of high-k dielectric materials such as aluminum oxide (Al2O3), hafnium oxide (HfO2), and/or hybrid films of hafnium aluminum oxide. The multi-layer control dielectric provides enhanced characteristics, including increased charge retention, enhanced memory program/erase window, improved reliability and stability, with feasibility for single or multistate (e.g., two, three or four bit) operation.

摘要翻译： 描述诸如非易失性存储器件的电子设备的方法和装置。 存储器件包括多层控制电介质，例如双层或三层。 多层控制电介质包括高k电介质材料如氧化铝（Al 2 O 3），氧化铪（HfO 2）和/或铪铝氧化物的混合膜的组合。 多层控制电介质提供增强的特性，包括增加的电荷保留，增强的存储器编程/擦除窗口，改进的可靠性和稳定性，具有单或多（例如二，三或四位）操作的可行性。

公开(公告)号：US20110204432A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13098082

申请日：2011-04-29

申请人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  J. Wallace Parce ,  Srikanth Ranganathan

发明人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  J. Wallace Parce ,  Srikanth Ranganathan

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0754 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/78

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, formation of arrays in spin-on-dielectrics, solvent annealing after nanostructure deposition, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices). Methods for protecting nanostructures from fusion during high temperature processing are also provided.

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团，自旋电介质中阵列形成，纳米结构沉积后的溶剂退火，使用抗蚀剂图案化和/或使用促进阵列形成的器件的涂层上形成阵列。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。 还提供了在高温处理过程中保护纳米结构不熔化的方法。

公开(公告)号：US07968273B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US11881739

申请日：2007-07-27

申请人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  J. Wallace Parce ,  Srikanth Ranganathan

发明人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  J. Wallace Parce ,  Srikanth Ranganathan

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0754 ,  G03F7/165 ,  G03F7/168 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/78

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, formation of arrays in spin-on-dielectrics, solvent annealing after nanostructure deposition, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices). Methods for protecting nanostructures from fusion during high temperature processing are also provided.

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团，自旋电介质中阵列形成，纳米结构沉积后的溶剂退火，使用抗蚀剂图案化和/或使用促进阵列形成的器件的涂层上形成阵列。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。 还提供了在高温处理过程中保护纳米结构不熔化的方法。

公开(公告)号：US20080150004A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11688087

申请日：2007-03-19

申请人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Karen Cruden ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  Srikanth Ranganathan ,  Francisco Leon ,  J. Wallace Parce

发明人： Jian Chen ,  Xiangfeng Duan ,  Karen Cruden ,  Chao Liu ,  Madhuri L. Nallabolu ,  Srikanth Ranganathan ,  Francisco Leon ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7881

摘要： Methods and apparatuses for electronic devices such as non-volatile memory devices are described. The memory devices include a multi-layer control dielectric, such as a double or triple layer. The multi-layer control dielectric includes a combination of high-k dielectric materials such as aluminum oxide (Al2O3), hafnium oxide (HfO2), and/or hybrid films of hafnium aluminum oxide. The multi-layer control dielectric provides enhanced characteristics, including increased charge retention, enhanced memory program/erase window, improved reliability and stability, with feasibility for single or multistate (e.g., two, three or four bit) operation.

公开(公告)号：US20090065764A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12291101

申请日：2008-11-05

申请人： David L. Heald ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

发明人： David L. Heald ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： G03F7/0757 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3124 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices).

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，使用抗蚀剂进行图案化和/或使用便于阵列形成的装置。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。

公开(公告)号：US08143703B2

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：US12291101

申请日：2008-11-05

申请人： David L. Heald ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

发明人： David L. Heald ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： G03F7/0757 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3124 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices).

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团的涂层上形成阵列，使用抗蚀剂进行图案化和/或使用便于阵列形成的装置。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。

公开(公告)号：US07501315B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11148001

申请日：2005-06-07

申请人： David L. Heald ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

发明人： David L. Heald ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC分类号： G03F7/0757 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C13/00 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3124 ,  Y10S977/755 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices).

公开(公告)号：US08507390B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12803568

申请日：2010-06-29

申请人： Jian Chen ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

发明人： Jian Chen ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/28008 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/782 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, formation of arrays in spin-on-dielectrics, solvent annealing after nanostructure deposition, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices).

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团，自旋电介质中阵列形成，纳米结构沉积后的溶剂退火，使用抗蚀剂图案化和/或使用促进阵列形成的器件的涂层上形成阵列。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。

公开(公告)号：US20110034038A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12803568

申请日：2010-06-29

申请人： Jian Chen ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

发明人： Jian Chen ,  Karen Chu Cruden ,  Xiangfeng Duan ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/28008 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/782 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： Methods for forming or patterning nanostructure arrays are provided. The methods involve formation of arrays on coatings comprising nanostructure association groups, formation of arrays in spin-on-dielectrics, solvent annealing after nanostructure deposition, patterning using resist, and/or use of devices that facilitate array formation. Related devices for forming nanostructure arrays are also provided, as are devices including nanostructure arrays (e.g., memory devices).

摘要翻译： 提供了形成或构图纳米结构阵列的方法。 所述方法包括在包含纳米结构缔合基团，自旋电介质中阵列形成，纳米结构沉积后的溶剂退火，使用抗蚀剂图案化和/或使用促进阵列形成的器件的涂层上形成阵列。 还提供了用于形成纳米结构阵列的相关器件，以及包括纳米结构阵列（例如，存储器件）的器件。