公开(公告)号：US06518151B1

公开(公告)日：2003-02-11

申请号：US09924118

申请日：2001-08-07

申请人： David Mark Dobuzinsky ,  Babar Ali Khan ,  Joyce C. Liu ,  Paul R. Wensley ,  Chienfan Yu

发明人： David Mark Dobuzinsky ,  Babar Ali Khan ,  Joyce C. Liu ,  Paul R. Wensley ,  Chienfan Yu

IPC分类号： H01L2122

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10873

摘要： A method of fabricating an integrated circuit chip having a first region of a first layout rule and a second region of a second layout rule. The method includes using a first material to establish a first hard mask pattern in only the first region and using a second material to establish a second hard mask pattern on top of the first hard mask pattern. The second material is additionally used to establish a third hard mask pattern in the second region.

摘要翻译： 一种制造集成电路芯片的方法，该集成电路芯片具有第一布局规则的第一区域和第二布局规则的第二区域。 该方法包括使用第一材料仅在第一区域中建立第一硬掩模图案，并且使用第二材料在第一硬掩模图案的顶部上建立第二硬掩模图案。 第二材料另外用于在第二区域中建立第三硬掩模图案。

公开(公告)号：US5876788A

公开(公告)日：1999-03-02

申请号：US783868

申请日：1997-01-16

申请人： Gary Bela Bronner ,  Stephan Alan Cohen ,  David Mark Dobuzinsky ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Herbert Lei Ho ,  Karen Popek Madden

发明人： Gary Bela Bronner ,  Stephan Alan Cohen ,  David Mark Dobuzinsky ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Herbert Lei Ho ,  Karen Popek Madden

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3185

摘要： A method of fabricating a dielectric material useful in advanced memory applications which comprises a metal oxide such as TiO.sub.2 or Ta.sub.2 O.sub.5 interdiffused into a Si.sub.3 N.sub.4 film is provided.

摘要翻译： 提供了一种制造用于先进存储器应用的电介质材料的方法，其包括相互扩散到Si 3 N 4膜中的诸如TiO 2或Ta 2 O 5的金属氧化物。

公开(公告)号：US6046487A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US989303

申请日：1997-12-12

申请人： John Preston Benedict ,  David Mark Dobuzinsky ,  Philip Lee Flaitz ,  Erwin N. Hammerl ,  Herbert Ho ,  James F. Moseman ,  Herbert Palm ,  Seiko Yoshida ,  Hiroshi Takato

发明人： John Preston Benedict ,  David Mark Dobuzinsky ,  Philip Lee Flaitz ,  Erwin N. Hammerl ,  Herbert Ho ,  James F. Moseman ,  Herbert Palm ,  Seiko Yoshida ,  Hiroshi Takato

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/762

摘要： Disclosed is an improved process and liner for trench isolation which includes either a single oxynitride layer or a dual oxynitride (or oxide)/nitride layer. Such a process and liner has an improved process window as well as being an effective O.sub.2 diffusion barrier and resistant to hot phosphoric and hydrofluoric acids.

摘要翻译： 公开了用于沟槽隔离的改进的工艺和衬垫，其包括单一氮氧化物层或双氮氧化物（或氧化物）/氮化物层。 这种工艺和衬里具有改进的工艺窗口，并且是有效的O 2扩散阻挡层并且耐热磷酸和氢氟酸。

公开(公告)号：US5899724A

公开(公告)日：1999-05-04

申请号：US647392

申请日：1996-05-09

申请人： David Mark Dobuzinsky ,  Stephen Gerard Fugardi ,  Erwin Hammerl ,  Herbert Lei Ho ,  Samuel C. Ramac ,  Alvin Wayne Strong

发明人： David Mark Dobuzinsky ,  Stephen Gerard Fugardi ,  Erwin Hammerl ,  Herbert Lei Ho ,  Samuel C. Ramac ,  Alvin Wayne Strong

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/24

摘要： According to the preferred embodiment of the present invention, an improved resistor and method of fabrication is provided. The method for fabricating a resistive element into an integrated circuit semiconductor device comprises the steps of: depositing a dielectric film, such as silicon nitride; depositing a titanium film upon the dielectric film; and annealing the titanium and dielectric films. This causes titanium to be diffused into the dielectric film. This creates a resistive element having a relatively high resistivity. The preferred embodiment method has the advantage of being easily integrated into conventional integrated circuit fabrication techniques.

摘要翻译： 根据本发明的优选实施例，提供一种改进的电阻器和制造方法。 将电阻元件制造成集成电路半导体器件的方法包括以下步骤：沉积诸如氮化硅的介电膜; 在电介质膜上沉积钛膜; 并对钛和介电膜进行退火。 这导致钛扩散到电介质膜中。 这产生具有相对较高电阻率的电阻元件。 优选的实施方式具有易于集成到常规集成电路制造技术中的优点。

公开(公告)号：US5763315A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US790266

申请日：1997-01-28

申请人： John Preston Benedict ,  David Mark Dobuzinsky ,  Philip Lee Flaitz ,  Erwin N. Hammerl ,  Herbert Ho ,  James F. Moseman ,  Herbert Palm ,  Seiko Yoshida ,  Hiroshi Takato

发明人： John Preston Benedict ,  David Mark Dobuzinsky ,  Philip Lee Flaitz ,  Erwin N. Hammerl ,  Herbert Ho ,  James F. Moseman ,  Herbert Palm ,  Seiko Yoshida ,  Hiroshi Takato

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76232 ,  H01L21/762

摘要： Disclosed is an improved process and liner for trench isolation which includes either a single oxynitride layer or a dual oxynitride (or oxide)/nitride layer. Such a process and liner has an improved process window as well as being an effective O.sub.2 diffusion barrier and resistant to hot phosphoric and hydrofluoric acids.

公开(公告)号：US06014310A

公开(公告)日：2000-01-11

申请号：US177143

申请日：1998-10-21

申请人： Gary Bela Bronner ,  Stephan Alan Cohen ,  David Mark Dobuzinsky ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Herbert Lei Ho ,  Karen Popek Madden

发明人： Gary Bela Bronner ,  Stephan Alan Cohen ,  David Mark Dobuzinsky ,  Jeffrey Peter Gambino ,  Herbert Lei Ho ,  Karen Popek Madden

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01G4/06 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3185

摘要： A composite dielectric material useful in advanced memory applications such as dynamic random access memory (DRAM) cells is provided. The composite dielectric material of the present invention includes a mixed oxide such as TiO.sub.2 or Ta.sub.2 O.sub.5 that is interdiffused into a Si.sub.3 N.sub.4 film. Capacitors including the composite dielectric material of the present invention are also disclosed.

摘要翻译： 提供了一种用于诸如动态随机存取存储器（DRAM）单元的高级存储器应用中的复合介电材料。 本发明的复合电介质材料包括相互扩散到Si 3 N 4膜中的诸如TiO 2或Ta 2 O 5的混合氧化物。 还公开了包括本发明的复合介电材料的电容器。

公开(公告)号：US5885899A

公开(公告)日：1999-03-23

申请号：US557224

申请日：1995-11-14

申请人： Michael David Armacost ,  David Mark Dobuzinsky ,  Jeffery Peter Gambino ,  Mark Anthony Jaso

发明人： Michael David Armacost ,  David Mark Dobuzinsky ,  Jeffery Peter Gambino ,  Mark Anthony Jaso

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/3212

摘要： A method of forming interlevel studs in an insulating layer on a semiconductor wafer. First, a conformal BPSG layer is formed on a Front End of the Line (FEOL) semiconductor structure. Vias are opened through the BPSG layer to the FEOL structure. A layer of poly is formed (deposited) on the BPSG layer, filling the vias. The poly layer may be insitu doped poly or implanted after it is deposited. The wafer is annealed to diffuse dopant from the poly to form diffusions wherever the poly contacts the substrate. A non-selective slurry of colloidal silica and at least 1% ammonium hydroxide is used to chem-mech polish the poly from the BPSG layer and, simultaneously, planarize the BPSG layer.

摘要翻译： 在半导体晶片上的绝缘层中形成层间螺柱的方法。 首先，在线的前端（FEOL）半导体结构上形成共形的BPSG层。 通孔通过BPSG层打开到FEOL结构。 在BPSG层上形成（沉积）一层多孔，填充通孔。 多层可以在沉积之后进行多晶或多晶硅掺杂。 将晶片退火以从聚合物扩散掺杂剂，以在聚合物接触衬底的地方形成扩散。 使用胶体二氧化硅和至少1％氢氧化铵的非选择性浆料来化学研磨来自BPSG层的聚合物，并同时平坦化BPSG层。