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    OPTIMIZED ELECTRODES FOR RE-RAM
    1.
    发明申请
    OPTIMIZED ELECTRODES FOR RE-RAM 有权
    优化的RE-RAM电极

    公开(公告)号：US20120280201A1

    公开(公告)日：2012-11-08

    申请号：US13553411

    申请日：2012-07-19

    申请人： Deepak C. Sekar ,  April Schricker ,  Xiying Chen ,  Klaus Schuegraf

    发明人： Deepak C. Sekar ,  April Schricker ,  Xiying Chen ,  Klaus Schuegraf

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

    摘要： Optimized electrodes for ReRAM memory cells and methods for forming the same are discloses. One aspect comprises forming a first electrode, forming a state change element in contact with the first electrode, treating the state change element, and forming a second electrode. Treating the state change element increases the barrier height at the interface between the second electrode and the state change element. Another aspect comprises forming a first electrode in a manner to deliberately establish a certain degree of amorphization in the first electrode, forming a state change element in contact with the first electrode. The degree of amorphization of the first electrode is either at least as great as the degree of amorphization of the state change element or no more than 5 percent less than the degree of amorphization of the state change element.

    摘要翻译： 公开了用于ReRAM存储单元的优化电极及其形成方法。 一个方面包括形成第一电极，形成与第一电极接触的状态变化元件，处理状态变化元件，以及形成第二电极。 处理状态改变元件增加了在第二电极和状态改变元件之间的界面处的势垒高度。 另一方面包括以故意在第一电极中形成一定程度的非晶化的方式形成第一电极，形成与第一电极接触的状态改变元件。 第一电极的非晶化程度至少与状态变化元件的非晶化程度一样大，或者比状态变化元件的非晶化程度小不超过5％。

    Optimized electrodes for Re-RAM
    2.
    发明授权
    Optimized electrodes for Re-RAM 有权
    用于Re-RAM的优化电极

    公开(公告)号：US08637845B2

    公开(公告)日：2014-01-28

    申请号：US13553411

    申请日：2012-07-19

    申请人： Deepak C. Sekar ,  April Schricker ,  Xiying Chen ,  Klaus Schuegraf

    发明人： Deepak C. Sekar ,  April Schricker ,  Xiying Chen ,  Klaus Schuegraf

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

    摘要： Optimized electrodes for ReRAM memory cells and methods for forming the same are discloses. One aspect comprises forming a first electrode, forming a state change element in contact with the first electrode, treating the state change element, and forming a second electrode. Treating the state change element increases the barrier height at the interface between the second electrode and the state change element. Another aspect comprises forming a first electrode in a manner to deliberately establish a certain degree of amorphization in the first electrode, forming a state change element in contact with the first electrode. The degree of amorphization of the first electrode is either at least as great as the degree of amorphization of the state change element or no more than 5 percent less than the degree of amorphization of the state change element.

    摘要翻译： 公开了用于ReRAM存储单元的优化电极及其形成方法。 一个方面包括形成第一电极，形成与第一电极接触的状态变化元件，处理状态变化元件，以及形成第二电极。 处理状态改变元件增加了在第二电极和状态改变元件之间的界面处的势垒高度。 另一方面包括以故意在第一电极中形成一定程度的非晶化的方式形成第一电极，形成与第一电极接触的状态改变元件。 第一电极的非晶化程度至少与状态变化元件的非晶化程度一样大，或者比状态变化元件的非晶化程度小不超过5％。

    METAL OXIDE MATERIALS AND ELECTRODES FOR RE-RAM
    3.
    发明申请
    METAL OXIDE MATERIALS AND ELECTRODES FOR RE-RAM 有权
    用于RE-RAM的金属氧化物材料和电极

    公开(公告)号：US20100117053A1

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：US12364707

    申请日：2009-02-03

    申请人： Deepak C. Sekar ,  April Schricker

    发明人： Deepak C. Sekar ,  April Schricker

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

    摘要： Rewritable switching materials and methods for forming the same are described herein. One embodiment is a storage device comprising a first electrode, a state change element in contact with the first electrode, the state change element comprises ZrxYyOz, and a second electrode in contact with the state change element. A method for forming such a storage device is also disclosed herein. Another embodiment is a storage device comprising a first electrode a state change element in contact with the first electrode, the state change comprises at least one of cerium oxide or bismuth oxide, and a second electrode in contact with the state change element. A method for forming such a storage device is also disclosed herein.

    摘要翻译： 这里描述了可重写的开关材料及其形成方法。 一个实施例是一种存储装置，包括第一电极，与第一电极接触的状态改变元件，状态改变元件包括Zr x Y y O z和与状态改变元件接触的第二电极。 这里也公开了形成这种存储装置的方法。 另一个实施例是一种存储装置，包括与第一电极接触的状态改变元件的第一电极，状态变化包括氧化铈或氧化铋中的至少一种以及与状态变化元件接触的第二电极。 这里也公开了形成这种存储装置的方法。

    OPTIMIZED ELECTRODES FOR RE-RAM
    10.
    发明申请
    OPTIMIZED ELECTRODES FOR RE-RAM 有权
    优化的RE-RAM电极

    公开(公告)号：US20100117069A1

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：US12364732

    申请日：2009-02-03

    申请人： Depak C. Sekar ,  April Schricker ,  Xiying Chen ,  Klaus Schuegraf ,  Raghuveer S. Makala

    发明人： Depak C. Sekar ,  April Schricker ,  Xiying Chen ,  Klaus Schuegraf ,  Raghuveer S. Makala

    IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/26

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

    摘要： Optimized electrodes for ReRAM memory cells and methods for forming the same are discloses. One aspect comprises forming a first electrode, forming a state change element in contact with the first electrode, treating the state change element, and forming a second electrode. Treating the state change element increases the barrier height at the interface between the second electrode and the state change element. Another aspect comprises forming a first electrode in a manner to deliberately establish a certain degree of amorphization in the first electrode, forming a state change element in contact with the first electrode. The degree of amorphization of the first electrode is either at least as great as the degree of amorphization of the state change element or no more than 5 percent less than the degree of amorphization of the state change element.

    摘要翻译： 公开了用于ReRAM存储单元的优化电极及其形成方法。 一个方面包括形成第一电极，形成与第一电极接触的状态变化元件，处理状态变化元件，以及形成第二电极。 处理状态改变元件增加了在第二电极和状态改变元件之间的界面处的势垒高度。 另一方面包括以故意在第一电极中形成一定程度的非晶化的方式形成第一电极，形成与第一电极接触的状态改变元件。 第一电极的非晶化程度至少与状态变化元件的非晶化程度一样大，或者比状态变化元件的非晶化程度小不超过5％。