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    METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20080248637A1

    公开(公告)日：2008-10-09

    申请号：US11962416

    申请日：2007-12-21

    申请人： Dong Ho Lee ,  Kwon Hong ,  Jae Mun Kim ,  Hee Soo Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Dong Ho Lee ,  Kwon Hong ,  Jae Mun Kim ,  Hee Soo Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

    摘要： In one embodiment, a gate insulating layer, a conductive layer, and a metal layer are formed over a semiconductor substrate. An ion implantation region is formed in an interface of the conductive layer and the metal layer by performing an ion implantation process. A flash annealing process is performed on the ion-implanted semiconductor substrate. The metal layer, the conductive layer, and the gate insulating layer are patterned.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在半导体衬底上形成栅绝缘层，导电层和金属层。 通过进行离子注入工艺，在导电层和金属层的界面上形成离子注入区。 在离子注入的半导体衬底上进行闪光退火处理。 图案化金属层，导电层和栅极绝缘层。

    Method of fabricating semiconductor device
    3.
    发明授权
    Method of fabricating semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07674696B2

    公开(公告)日：2010-03-09

    申请号：US11962416

    申请日：2007-12-21

    申请人： Dong Ho Lee ,  Kwon Hong ,  Jae Mun Kim ,  Hee Soo Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Dong Ho Lee ,  Kwon Hong ,  Jae Mun Kim ,  Hee Soo Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

    摘要： In one embodiment, a gate insulating layer, a conductive layer, and a metal layer are formed over a semiconductor substrate. An ion implantation region is formed in an interface of the conductive layer and the metal layer by performing an ion implantation process. A flash annealing process is performed on the ion-implanted semiconductor substrate. The metal layer, the conductive layer, and the gate insulating layer are patterned.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在半导体衬底上形成栅绝缘层，导电层和金属层。 通过进行离子注入工艺，在导电层和金属层的界面上形成离子注入区。 在离子注入的半导体衬底上进行闪光退火处理。 图案化金属层，导电层和栅极绝缘层。

    Method of Forming Gate Electrode
    5.
    发明申请
    Method of Forming Gate Electrode 失效
    形成栅极电极的方法

    公开(公告)号：US20090181528A1

    公开(公告)日：2009-07-16

    申请号：US12345832

    申请日：2008-12-30

    申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/4925

    摘要： The present invention discloses to a method of forming a gate electrode, the method according to the present invention comprises the steps of forming a lower amorphous silicon layer using silane (SiH4) gas and nitrous oxide (N2O) gas; forming an upper amorphous silicon layer on the lower amorphous silicon layer; and crystallizing the lower and upper amorphous silicon layers through a thermal process.

    摘要翻译： 本发明公开了一种形成栅电极的方法，根据本发明的方法包括以下步骤：使用硅烷（SiH4）气和一氧化二氮（N2O）气形成下一非晶硅层; 在所述下部非晶硅层上形成上部非晶硅层; 并通过热过程使下部和上部非晶硅层结晶。

    Method of fabricating flash memory device
    6.
    发明授权
    Method of fabricating flash memory device 失效
    制造闪存设备的方法

    公开(公告)号：US07592222B2

    公开(公告)日：2009-09-22

    申请号：US12147178

    申请日：2008-06-26

    申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/11521

    摘要： The present invention relates to a method of fabricating a flash memory device. According to a method of fabricating a flash memory device in accordance with an aspect of the present invention, a semiconductor substrate over which a tunnel insulating layer and a first conductive layer are formed is provided. A first oxide layer is formed on the first conductive layer using a plasma oxidization process in a state where a back bias voltage is applied. A nitride layer is formed on the first oxide layer. A second oxide layer is formed on the nitride layer. A second conductive layer is formed on the second oxide layer.

    摘要翻译： 本发明涉及一种制造闪速存储器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造闪速存储器件的方法，提供了形成隧道绝缘层和第一导电层的半导体衬底。 在施加反向偏置电压的状态下，使用等离子体氧化工艺在第一导电层上形成第一氧化物层。 在第一氧化物层上形成氮化物层。 在氮化物层上形成第二氧化物层。 在第二氧化物层上形成第二导电层。

    Method of forming gate electrode
    7.
    发明授权
    Method of forming gate electrode 失效
    形成栅电极的方法

    公开(公告)号：US07795123B2

    公开(公告)日：2010-09-14

    申请号：US12345832

    申请日：2008-12-30

    申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/28035 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/4925

    摘要： The present invention discloses to a method of forming a gate electrode, the method according to the present invention comprises the steps of forming a lower amorphous silicon layer using silane (SiH4) gas and nitrous oxide (N2O) gas; forming an upper amorphous silicon layer on the lower amorphous silicon layer; and crystallizing the lower and upper amorphous silicon layers through a thermal process.

    摘要翻译： 本发明公开了一种形成栅电极的方法，根据本发明的方法包括以下步骤：使用硅烷（SiH4）气和一氧化二氮（N2O）气形成下一非晶硅层; 在所述下部非晶硅层上形成上部非晶硅层; 并通过热过程使下部和上部非晶硅层结晶。

    Method of fabricating semiconductor device
    8.
    发明授权
    Method of fabricating semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07648923B2

    公开(公告)日：2010-01-19

    申请号：US11963907

    申请日：2007-12-24

    申请人： Eun-Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Eun-Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L27/11517

    摘要： A method of fabricating a flash memory device is disclosed. The method comprises forming a first insulating layer on a semiconductor substrate; accumulating nitrogen at an interface between the semiconductor substrate and the first insulating layer to form a second insulating layer at the interface; and implanting oxygen into the second insulating layer to convert the second insulating layer to a third insulating layer.

    摘要翻译： 公开了一种制造闪速存储器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成第一绝缘层; 在所述半导体衬底和所述第一绝缘层之间的界面处积累氮以在所述界面处形成第二绝缘层; 以及将氧注入到所述第二绝缘层中，以将所述第二绝缘层转换成第三绝缘层。

    METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
    9.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20090098738A1

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：US11963907

    申请日：2007-12-24

    申请人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    发明人： Eun Shil Park ,  Kwon Hong ,  Jae Hong Kim ,  Jae Hyoung Koo

    IPC分类号： H01L21/314

    CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L27/11517

    摘要： A method of fabricating a flash memory device is disclosed. The method comprises forming a first insulating layer on a semiconductor substrate; accumulating nitrogen at an interface between the semiconductor substrate and the first insulating layer to form a second insulating layer at the interface; and implanting oxygen into the second insulating layer to convert the second insulating layer to a third insulating layer.

    摘要翻译： 公开了一种制造闪速存储器件的方法。 该方法包括在半导体衬底上形成第一绝缘层; 在所述半导体衬底和所述第一绝缘层之间的界面处积累氮以在所述界面处形成第二绝缘层; 以及将氧注入到所述第二绝缘层中，以将所述第二绝缘层转换成第三绝缘层。