公开(公告)号：US07801406B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11194805

申请日：2005-08-01

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  John Yasaitis ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  John Yasaitis ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/131 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12169

摘要： A method of forming a low loss crystal quality waveguide is provided. The method includes providing a substrate and forming a dielectric layer on the substrate. A channel is formed by etching a portion of the dielectric layer. A selective growth of a Si Ge, or SiGe layer is performed in the area that defines the channel. Furthermore, the method includes thermally annealing the waveguide at a defined temperature range.

摘要翻译： 提供了形成低损耗晶体质量波导的方法。 该方法包括提供衬底并在衬底上形成电介质层。 通过蚀刻介电层的一部分形成通道。 在限定通道的区域中执行Si Ge或SiGe层的选择性生长。 此外，该方法包括在限定的温度范围内对波导进行热退火。

公开(公告)号：US08160404B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US11561474

申请日：2006-11-20

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02F1/035 ,  G02B6/12 ,  G02B6/10

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02B2006/12142 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2201/04 ,  G02F2201/16 ,  G02F2202/105 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic device includes an input waveguide structure that receives an input optical signal. A GeSi/Si waveguide structure receives from the input waveguide the input optical signal and performs selective optoelectronic operations on the input optical signal. The GeSi/Si waveguide structure outputs an optical or electrical output signal associated with the selective optoelectronic operations performed on the input optical signal. An output waveguide structure receives the output optical signal from the GeSi/Si waveguide structure and provides the optical output signal for further processing.

摘要翻译： 光电子器件包括接收输入光信号的输入波导结构。 GeSi / Si波导结构从输入波导接收输入光信号，并对输入光信号进行选择性光电子操作。 GeSi / Si波导结构输出与在输入光信号上执行的选择性光电子操作相关联的光或电输出信号。 输出波导结构接收来自GeSi / Si波导结构的输出光信号，并提供光输出信号用于进一步处理。

公开(公告)号：US07596158B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11553141

申请日：2006-10-26

申请人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

发明人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/3223 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3427

摘要： A laser structure includes at least one active layer having doped Ge so as to produce light emissions at approximately 1550 nm from the direct band gap of Ge. A first confinement structure is positioned on a top region of the at least one active layer. A second confinement structure is positioned on a bottom region the at least one active layer.

摘要翻译： 激光结构包括具有掺杂Ge的至少一个有源层，以便从Ge的直接带隙产生大约1550nm的光发射。 第一限制结构位于至少一个活性层的顶部区域上。 第二限制结构位于至少一个活性层的底部区域上。

公开(公告)号：US20070025670A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11194805

申请日：2005-08-01

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  John Yasaitis ,  Lionel Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  John Yasaitis ,  Lionel Kimerling

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/131 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12169

摘要： A method of forming a low loss crystal quality waveguide is provided. The method includes providing a substrate and forming a dielectric layer on the substrate. A channel is formed by etching a portion of the dielectric layer. A selective growth of a Si Ge, or SiGe layer is performed in the area that defines the channel. Furthermore, the method includes thermally annealing the waveguide at a defined temperature range.

摘要翻译： 提供了形成低损耗晶体质量波导的方法。 该方法包括提供衬底并在衬底上形成电介质层。 通过蚀刻介电层的一部分形成通道。 在限定通道的区域中执行Si Ge或SiGe层的选择性生长。 此外，该方法包括在限定的温度范围内对波导进行热退火。

公开(公告)号：US20080199123A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11624357

申请日：2007-01-18

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Lionel C. Kimerling ,  James F. McMillan ,  Michael D. Sockin ,  Chee Wei Wong

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Lionel C. Kimerling ,  James F. McMillan ,  Michael D. Sockin ,  Chee Wei Wong

IPC分类号： G02F1/035

CPC分类号： G02F1/3132 ,  G02B6/12007 ,  G02F1/3136

摘要： An optical modulator structure includes at least two waveguide structures for inputting and outputting an optical signal. At least one ring resonator structure provides coupling between the at least two waveguide structures. The at least one ring resonator structure includes Ge or SiGe.

摘要翻译： 光调制器结构包括用于输入和输出光信号的至少两个波导结构。 至少一个环形谐振器结构提供了至少两个波导结构之间的耦合。 所述至少一个环形谐振器结构包括Ge或SiGe。

公开(公告)号：US07840099B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11624357

申请日：2007-01-18

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Lionel C. Kimerling ,  James F. McMillan ,  Michael D. Sockin ,  Chee Wei Wong

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Lionel C. Kimerling ,  James F. McMillan ,  Michael D. Sockin ,  Chee Wei Wong

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02F1/295

CPC分类号： G02F1/3132 ,  G02B6/12007 ,  G02F1/3136

摘要： An optical modulator structure includes at least two waveguide structures for inputting and outputting an optical signal. At least one ring resonator structure provides coupling between the at least two waveguide structures. The at least one ring resonator structure includes Ge or SiGe.

摘要翻译： 光调制器结构包括用于输入和输出光信号的至少两个波导结构。 至少一个环形谐振器结构提供了至少两个波导结构之间的耦合。 所述至少一个环形谐振器结构包括Ge或SiGe。

公开(公告)号：US07606499B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11194343

申请日：2005-08-01

申请人： Dong Pan ,  Jurgen Michel ,  Edward H. Sargent ,  Wojciech P. Giziewicz ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jurgen Michel ,  Edward H. Sargent ,  Wojciech P. Giziewicz ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H04B10/00

CPC分类号： H01S5/0262 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/183 ,  H01S5/423 ,  H01L2924/00014

摘要： A bidirectional transceiver assembly includes a VCSEL structure that emits light at a defined wavelength on a substrate structure. A photodetector receives the light. A hole structure is formed on the substrate structure to allow the light from the VCSEL structure to be emitted so as to form an optical path.

摘要翻译： 双向收发器组件包括在衬底结构上以限定的波长发射光的VCSEL结构。 光电检测器接收光。 在衬底结构上形成孔结构以允许来自VCSEL结构的光被发射以形成光路。

公开(公告)号：US07480430B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11349761

申请日：2006-02-08

申请人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Sajan Saini ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech Giziewicz ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/26

CPC分类号： H01L29/768

摘要： An optical waveguide structure includes an air-via region that receives an optical signal from an optical source. A photonic crystal cladding region is formed on the surface of the air-via region. The photonic crystal cladding region confines the optical signal within the air-via region and propagates the optical signal along the axial direction while ensuring near complete transmission of the optical signal.

摘要翻译： 光波导结构包括从光源接收光信号的通气区域。 在透气区域的表面上形成光子晶体包层区域。 光子晶体覆盖区域将光信号限制在通气区域内，并且沿着轴向传播光信号，同时确保光信号的接近完全传输。

公开(公告)号：US20070274642A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11730173

申请日：2007-03-29

申请人： Takayoshi Inujima ,  Mikihiko Kato ,  Satoshi Takahashi ,  Yukiya Miyachi ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech P. Giziewicz

发明人： Takayoshi Inujima ,  Mikihiko Kato ,  Satoshi Takahashi ,  Yukiya Miyachi ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Dong Pan ,  Wojciech P. Giziewicz

IPC分类号： G02B6/36

CPC分类号： G02B6/4202 ,  G02B6/02033

摘要： A high-speed optical transmission system includes an optical fiber for transmitting light and an optical receiver for receiving light transmitted from the optical fiber. The optical fiber is a plastic optical fiber (POF), and the optical receiver has a lateral pin structure.

摘要翻译： 高速光传输系统包括用于发射光的光纤和用于接收从光纤传输的光的光接收器。 光纤是塑料光纤（POF），光接收器具有横向引脚结构。

公开(公告)号：US20070105251A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11553141

申请日：2006-10-26

申请人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

发明人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/3223 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3427

摘要： A laser structure includes at least one active layer having doped Ge so as to produce light emissions at approximately 1550 nm from the direct band gap of Ge. A first confinement structure is positioned on a top region of the at least one active layer. A second confinement structure is positioned on a bottom region the at least one active layer.

摘要翻译： 激光结构包括具有掺杂Ge的至少一个有源层，以便从Ge的直接带隙产生大约1550nm的光发射。 第一限制结构位于至少一个活性层的顶部区域上。 第二限制结构位于至少一个活性层的底部区域上。