公开(公告)号：US20080157056A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11819169

申请日：2007-06-26

申请人： Dong-Ming Yeh ,  Horng-Shyang Chen ,  Chih-Feng Lu ,  Chi-Feng Huang ,  Wen-Yu Shiao ,  Jian-Jang Huang ,  Yen-Cheng Lu ,  Chih-Chung Yang

发明人： Dong-Ming Yeh ,  Horng-Shyang Chen ,  Chih-Feng Lu ,  Chi-Feng Huang ,  Wen-Yu Shiao ,  Jian-Jang Huang ,  Yen-Cheng Lu ,  Chih-Chung Yang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/26 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16

摘要： A producing method of poly-wavelength light-emitting diode of utilizing nano-crystals and the light-emitting device thereof includes growing and processing a multiple-quantum-well layer based on stacking the mixture of at least two kinds of quantum wells to produce a two-wavelength light-emitting diode. Then, attaching nano-crystals on the two-wavelength light-emitting diode to transfer one of the wavelengths of the two-wavelength light-emitting diode to produce a poly-wavelength light-emitting diode. The device of the present invention can emit blue, green and red lights to produce white light.

摘要翻译： 利用纳米晶体的多波长发光二极管的制造方法及其发光装置包括：通过堆叠至少两种量子阱的混合物来生长和处理多量子阱层，以产生 双波长发光二极管。 然后，将纳米晶体附着在双波长发光二极管上，以传输双波长发光二极管的波长之一，以产生多波长发光二极管。 本发明的装置可以发出蓝色，绿色和红色的光以产生白光。

公开(公告)号：US20080124827A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11819520

申请日：2007-06-28

申请人： Chi-Feng Huang ,  Tsung-Yi Tang ,  Jeng-Jie Huang ,  Wen-Yu Shiao ,  Horng-Shyang Chen ,  Chih-Feng Lu ,  Jian-Jang Huang ,  Chih-Chung Yang

发明人： Chi-Feng Huang ,  Tsung-Yi Tang ,  Jeng-Jie Huang ,  Wen-Yu Shiao ,  Horng-Shyang Chen ,  Chih-Feng Lu ,  Jian-Jang Huang ,  Chih-Chung Yang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32

摘要： A method and structure for manufacturing long-wavelength visible light-emitting diode (LED) using the prestrained growth effect comprises the following steps: Growing a strained low-indium-content InGaN layer on the N-type GaN layer, and then growing a high-indium-content InGaN/GaN single- or multiple-quantum-well light-emitting structure on the low-indium-content InGaN layer to enhance the indium content of the high-indium quantum wells and hence to elongate the emission wavelength of the LED. The method of the invention can elongate emission wavelength of the LED by more than 50 nm (nanometer) such that an originally designated green LED can emit red light or orange light without influencing other electrical properties.

摘要翻译： 使用预制生长效应制造长波长可见发光二极管（LED）的方法和结构包括以下步骤：在N型GaN层上生长应变低铟含量InGaN层，然后生长高 在铟含量低的InGaN层上的InGaN / GaN单或多量子阱发光结构，以增强高铟量子阱的铟含量，从而延长LED的发射波长 。 本发明的方法可以使LED的发射波长可以超过50nm（纳米），使得原始指定的绿色LED可以发射红光或橙光而不影响其他电性能。

公开(公告)号：US20110175126A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13008702

申请日：2011-01-18

申请人： Hung-Chih YANG ,  Ming-Chi Hsu ,  Ta-Cheng Hsu ,  Chih-Chung Yang ,  Tsung-Yi Tang ,  Yung-Sheng Chen ,  Wen-Yu Shiao ,  Che-Hao Liao ,  Yu-Jiun Shen ,  Sheng-Horng Yen

发明人： Hung-Chih YANG ,  Ming-Chi Hsu ,  Ta-Cheng Hsu ,  Chih-Chung Yang ,  Tsung-Yi Tang ,  Yung-Sheng Chen ,  Wen-Yu Shiao ,  Che-Hao Liao ,  Yu-Jiun Shen ,  Sheng-Horng Yen

IPC分类号： H01L31/0352 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20

摘要： A light emitting diode device is provided, which comprises a substrate comprising a first growth surface and a bottom surface opposite to the first growth surface; a dielectric layer with a plurality of openings therein formed on the first growth surface; a plurality of semiconductor nano-scaled structures formed on the substrate protruding through the openings; a layer formed on the plurality of semiconductor nano-scaled structures with a second growth surface substantially parallel with the bottom surface; a light emitting diode structure formed on the second growth surface; wherein the diameters of the openings are smaller than 250 nm, and wherein the diameters of the plurality semiconductor nano-scaled structures are larger than the diameters of the corresponding openings.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管器件，其包括：衬底，其包括与第一生长表面相对的第一生长表面和底表面; 在第一生长表面上形成有多个开口的电介质层; 形成在所述基板上的多个半导体纳米尺度结构，所述多个半导体纳米级结构通过所述开口突出; 形成在所述多个半导体纳米级结构上的层，其具有基本上平行于所述底表面的第二生长表面; 形成在所述第二生长表面上的发光二极管结构; 其中所述开口的直径小于250nm，并且其中所述多个半导体纳米尺度结构的直径大于相应开口的直径。