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    DRIFT MANAGEMENT IN A PHASE CHANGE MEMORY AND SWITCH (PCMS) MEMORY DEVICE
    1.
    发明申请
    DRIFT MANAGEMENT IN A PHASE CHANGE MEMORY AND SWITCH (PCMS) MEMORY DEVICE 有权
    相变存储器和开关（PCMS）存储器件中的DRIFT管理

    公开(公告)号：US20120331204A1

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：US13166214

    申请日：2011-06-22

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C11/21

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/76

    摘要： The present disclosure relates to the drift management for a memory device. In at least one embodiment, the memory device of the present disclosure may include a phase change memory and switch (hereinafter “PCMS”) memory cell and a memory controller that is capable of implementing drift management to control drift. Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 本公开涉及存储器件的漂移管理。 在至少一个实施例中，本公开的存储器件可以包括相变存储器和开关（以下称为PCMS）存储器单元和能够实现漂移管理以控制漂移的存储器控​​制器。 描述和要求保护其他实施例。

    LOW POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL
    2.
    发明申请
    LOW POWER PHASE CHANGE MEMORY CELL 有权
    低功率相变存储器单元

    公开(公告)号：US20140003123A1

    公开(公告)日：2014-01-02

    申请号：US13534267

    申请日：2012-06-27

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Kuo-Wei Chang ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Kuo-Wei Chang ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

    摘要： A memory may include two electrodes and phase change material having an amorphous reset state and a partially crystalized set state, coupled between the two electrodes. The phase change material in the set state may have a highly nonlinear current-voltage response in a subthreshold voltage region. The phase change material may be an alloy of indium, antimony, and tellurium.

    摘要翻译： 存储器可以包括耦合在两个电极之间的具有非晶复位状态和部分结晶化设置状态的两个电极和相变材料。 设定状态下的相变材料在亚阈值电压区域中可能具有高度非线性的电流 - 电压响应。 相变材料可以是铟，锑和碲的合金。

    METHOD AND APPARATUS TO RESET A PHASE CHANGE MEMORY AND SWITCH (PCMS) MEMORY CELL
    3.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS TO RESET A PHASE CHANGE MEMORY AND SWITCH (PCMS) MEMORY CELL 有权
    复位相变存储器和开关（PCMS）存储器单元的方法和装置

    公开(公告)号：US20120243306A1

    公开(公告)日：2012-09-27

    申请号：US13052211

    申请日：2011-03-21

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076

    摘要： The present disclosure relates to the fabrication of non-volatile memory devices. In at least one embodiment, the non-volatile memory of the present disclosure may include a phase change memory and switch (hereinafter “PCMS”) memory cell and a process for resetting the PCMS memory utilizing a “look-up” table to calculate a current required to place a bit above a reference level to maximum threshold voltage.

    摘要翻译： 本公开涉及非易失性存储器件的制造。 在至少一个实施例中，本公开的非易失性存储器可以包括相变存储器和开关（以下称为“PCMS”）存储器单元和利用“查找”表来重新计算PCMS存储器的过程，以计算 将参考电平位置高于最大阈值电压所需的电流。

    Method and apparatus to reset a phase change memory and switch (PCMS) memory cell
    4.
    发明授权
    Method and apparatus to reset a phase change memory and switch (PCMS) memory cell 有权
    复位相变存储器和开关（PCMS）存储单元的方法和装置

    公开(公告)号：US08462537B2

    公开(公告)日：2013-06-11

    申请号：US13052211

    申请日：2011-03-21

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0076

    摘要： The present disclosure relates to the fabrication of non-volatile memory devices. In at least one embodiment, the non-volatile memory of the present disclosure may include a phase change memory and switch (hereinafter “PCMS”) memory cell and a process for resetting the PCMS memory utilizing a “look-up” table to calculate a current required to place a bit above a reference level to maximum threshold voltage.

    摘要翻译： 本公开涉及非易失性存储器件的制造。 在至少一个实施例中，本公开的非易失性存储器可以包括相变存储器和开关（以下称为“PCMS”）存储器单元和利用“查找”表来重新计算PCMS存储器的过程，以计算 将参考电平位置高于最大阈值电压所需的电流。

    Drift management in a phase change memory and switch (PCMS) memory device
    5.
    发明授权
    Drift management in a phase change memory and switch (PCMS) memory device 有权
    相变存储器和交换机（PCMS）存储器件中的漂移管理

    公开(公告)号：US09021227B2

    公开(公告)日：2015-04-28

    申请号：US13166214

    申请日：2011-06-22

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/76

    摘要： The present disclosure relates to the drift management for a memory device. In at least one embodiment, the memory device of the present disclosure may include a phase change memory and switch (hereinafter “PCMS”) memory cell and a memory controller that is capable of implementing drift management to control drift. Other embodiments are described and claimed.

    摘要翻译： 本公开涉及存储器件的漂移管理。 在至少一个实施例中，本公开的存储器件可以包括相变存储器和开关（以下称为“PCMS”）存储器单元和能够实现漂移管理以控制漂移的存储器控​​制器。 描述和要求保护其他实施例。

    Low power phase change memory cell
    6.
    发明授权
    Low power phase change memory cell 有权
    低功率相变存储单元

    公开(公告)号：US08971089B2

    公开(公告)日：2015-03-03

    申请号：US13534267

    申请日：2012-06-27

    申请人： Elijah V. Karpov ,  Kuo-Wei Chang ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Elijah V. Karpov ,  Kuo-Wei Chang ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/144 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

    摘要： A memory may include two electrodes and phase change material having an amorphous reset state and a partially crystalized set state, coupled between the two electrodes. The phase change material in the set state may have a highly nonlinear current-voltage response in a subthreshold voltage region. The phase change material may be an alloy of indium, antimony, and tellurium.

    摘要翻译： 存储器可以包括耦合在两个电极之间的具有非晶复位状态和部分结晶化设置状态的两个电极和相变材料。 设定状态下的相变材料在亚阈值电压区域中可能具有高度非线性的电流 - 电压响应。 相变材料可以是铟，锑和碲的合金。

    Fabricating current-confining structures in phase change memory switch cells
    8.
    发明授权
    Fabricating current-confining structures in phase change memory switch cells 有权
    在相变存储器开关单元中制造电流限制结构

    公开(公告)号：US08404514B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US13553948

    申请日：2012-07-20

    申请人： Jong-Won Sean Lee ,  DerChang Kau ,  Gianpaolo Spadini

    发明人： Jong-Won Sean Lee ,  DerChang Kau ,  Gianpaolo Spadini

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/1675 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

    摘要： In one or more embodiments, methods of fabricating current-confining stack structures in a phase-change memory switch (PCMS) cell are provided. One embodiment shows a method of fabricating a PCMS cell with current in an upper chalcogenide confined in the row and column directions. In one embodiment, methods of fabricating a PCMS cell with sub-lithographic critical dimension memory chalcogenide are shown. In another embodiment, methods of fabricating a PCMS cell with sub-lithographic critical dimension middle electrode heaters are disclosed.

    摘要翻译： 在一个或多个实施例中，提供了在相变存储器开关（PCMS）单元中制造电流限制堆叠结构的方法。 一个实施例示出了制造具有限制在行和列方向上的上硫属化物中的电流的PCMS电池的方法。 在一个实施例中，示出了制造具有亚光刻临界尺度存储硫族化物的PCMS单元的方法。 在另一个实施例中，公开了制造具有亚光刻临界尺寸中间电极加热器的PCMS单元的方法。