公开(公告)号：US07268074B2

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：US10867346

申请日：2004-06-14

申请人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

发明人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/107 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

摘要： A multilayer metal cap over a metal-filled interconnect feature in a dielectric layer for incorporation into a multilayer integrated circuit device, and a method for forming the cap.

摘要翻译： 在用于结合到多层集成电路器件中的电介质层中的金属填充的互连特征上的多层金属帽以及用于形成帽的方法。

公开(公告)号：US07332193B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11085304

申请日：2005-03-21

申请人： Charles Valverde ,  Nicolai Petrov ,  Eric Yakobson ,  Qingyun Chen ,  Vincent Paneccasio, Jr. ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt

发明人： Charles Valverde ,  Nicolai Petrov ,  Eric Yakobson ,  Qingyun Chen ,  Vincent Paneccasio, Jr. ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt

IPC分类号： C23C18/16 ,  C23C18/36 ,  C23C18/32

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H05K3/244

摘要： An electroless plating method and composition for depositing Co, Ni, or alloys thereof onto a metal-based substrate in manufacture of microelectronic devices, involving a source of deposition ions selected from the group consisting of Co ions and Ni ions, a reducing agent for reducing the depositions ions to metal onto the substrate, and a hydrazine-based leveling agent.

摘要翻译： 一种用于在制造微电子器件时将Co，Ni或其合金沉积在金属基底上的化学镀方法和组合物，其包括选自Co离子和Ni离子的沉积离子源，用于还原的还原剂 沉积到金属到基底上的离子，以及基于肼的流平剂。

公开(公告)号：US07393781B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11852513

申请日：2007-09-10

申请人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

发明人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/107 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

摘要： A multilayer metal cap over a metal-filled interconnect feature in a dielectric layer for incorporation into a multilayer integrated circuit device, and a method for forming the cap.

摘要翻译： 在用于结合到多层集成电路器件中的电介质层中的金属填充的互连特征上的多层金属帽以及用于形成帽的方法。

公开(公告)号：US20070298609A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11852513

申请日：2007-09-10

申请人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

发明人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/107 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

摘要： A multilayer metal cap over a metal-filled interconnect feature in a dielectric layer for incorporation into a multilayer integrated circuit device, and a method for forming the cap.

摘要翻译： 在用于结合到多层集成电路器件中的电介质层中的金属填充的互连特征上的多层金属帽以及用于形成帽的方法。

公开(公告)号：US20060083850A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11085304

申请日：2005-03-21

申请人： Charles Valverde ,  Nicolai Petrov ,  Eric Yakobson ,  Qingyun Chen ,  Vincent Paneccasio ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt

发明人： Charles Valverde ,  Nicolai Petrov ,  Eric Yakobson ,  Qingyun Chen ,  Vincent Paneccasio ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D1/18 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36

CPC分类号： H01L21/76849 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H05K3/244

摘要： An electroless plating method and composition for depositing Co, Ni, or alloys thereof onto a metal-based substrate in manufacture of microelectronic devices, involving a source of deposition ions selected from the group consisting of Co ions and Ni ions, a reducing agent for reducing the depositions ions to metal onto the substrate, and a hydrazine-based leveling agent.

摘要翻译： 一种用于在制造微电子器件时将Co，Ni或其合金沉积在金属基底上的化学镀方法和组合物，其包括选自Co离子和Ni离子的沉积离子源，用于还原的还原剂 沉积到金属到基底上的离子，以及基于肼的流平剂。

公开(公告)号：US20050275100A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10867346

申请日：2004-06-14

申请人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

发明人： Eric Yakobson ,  Richard Hurtubise ,  Christian Witt ,  Qingyun Chen

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H05K3/10 ,  H05K3/24 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H05K3/107 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

摘要： A multilayer metal cap over a metal-filled interconnect feature in a dielectric layer for incorporation into a multilayer integrated circuit device, and a method for forming the cap.

摘要翻译： 在用于结合到多层集成电路器件中的电介质层中的金属填充的互连特征上的多层金属帽以及用于形成帽的方法。

公开(公告)号：US07615491B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11243876

申请日：2005-10-05

申请人： Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Vincent Paneccasio ,  Nicolai Petrov ,  Daniel Stritch ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

发明人： Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Vincent Paneccasio ,  Nicolai Petrov ,  Daniel Stritch ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C09D5/10 ,  C23C18/34 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and compositions for electrolessly depositing Co, Ni, or alloys thereof onto a substrate in manufacture of microelectronic devices. Grain refiners, levelers, oxygen scavengers, and stabilizers for electroless Co and Ni deposition solutions.

公开(公告)号：US20070066058A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11243624

申请日：2005-10-05

申请人： Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Vincent Paneccasio ,  Nicolai Petrov ,  Daniel Stritch ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

发明人： Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Vincent Paneccasio ,  Nicolai Petrov ,  Daniel Stritch ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L23/48

CPC分类号： C09D5/10 ,  C23C18/34 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and compositions for electrolessly depositing Co, Ni, or alloys thereof onto a substrate in manufacture of microelectronic devices. Grain refiners, levelers, oxygen scavengers, and stabilizers for electroless Co and Ni deposition solutions.

公开(公告)号：US20060280860A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11148724

申请日：2005-06-09

申请人： Vincent Paneccasio ,  Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Nicolai Petrov ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

发明人： Vincent Paneccasio ,  Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Nicolai Petrov ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

IPC分类号： B05D5/12 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36

CPC分类号： C23C18/34 ,  C23C18/50

摘要： An electroless plating method and composition for depositing Co or Co alloys onto a metal-based substrate in manufacture of microelectronic devices, involving a source of Co ions, a reducing agent for reducing the depositions ions to metal onto the substrate, and an oxime-based compound stabilizer.

摘要翻译： 一种用于在制造包含Co离子源的微电子器件的金属基底上沉积Co或Co合金的化学镀方法和组合物，用于减少沉积到衬底上的金属离子的还原剂和基于肟的 复合稳定剂。

公开(公告)号：US20070066057A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11230912

申请日：2005-09-20

申请人： Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Vincent Paneccasio ,  Nicolai Petrov ,  Daniel Stritch ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

发明人： Qingyun Chen ,  Charles Valverde ,  Vincent Paneccasio ,  Nicolai Petrov ,  Daniel Stritch ,  Christian Witt ,  Richard Hurtubise

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C09D5/10 ,  C23C18/34 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and compositions for electrolessly depositing Co, Ni, or alloys thereof onto a substrate in manufacture of microelectronic devices. Grain refiners, levelers, oxygen scavengers, and stabilizers for electroless Co and Ni deposition solutions.

摘要翻译： 在制造微电子器件时，将Co，Ni或其合金无电沉积到衬底上的方法和组合物。 晶粒细化剂，整理剂，除氧剂和用于无电解Co和Ni沉积溶液的稳定剂。