公开(公告)号：US20140008770A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13984081

申请日：2012-02-07

申请人： Ewald Karl Michael Günther ,  Andreas Plößl ,  Heribert Zull ,  Thomas Veit ,  Mathias Kämpf ,  Jens Dennemarck ,  Bernd Böhm ,  Korbinian Perzlmaier

发明人： Ewald Karl Michael Günther ,  Andreas Plößl ,  Heribert Zull ,  Thomas Veit ,  Mathias Kämpf ,  Jens Dennemarck ,  Bernd Böhm ,  Korbinian Perzlmaier

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/0607 ,  H01L23/60 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66128 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265

摘要： A carrier substrate includes a first major face and a second major face opposite the first major face. A diode structure is formed between the first major face and the second major face, which diode structure electrically insulates the first major face from the second major face at least with regard to one polarity of an electrical voltage.

摘要翻译： 载体基板包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。 在第一主面和第二主面之间形成二极管结构，该二极管结构至少关于电压的一个极性使第一主面与第二主面电绝缘。

公开(公告)号：US09704945B2

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：US13984081

申请日：2012-02-07

申请人： Ewald Karl Michael Günther ,  Andreas Plöβl ,  Heribert Zull ,  Thomas Veit ,  Mathias Kämpf ,  Jens Dennemarck ,  Bernd Böhm ,  Korbinian Perzlmaier

发明人： Ewald Karl Michael Günther ,  Andreas Plöβl ,  Heribert Zull ,  Thomas Veit ,  Mathias Kämpf ,  Jens Dennemarck ,  Bernd Böhm ,  Korbinian Perzlmaier

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L25/16 ,  H01L29/66 ,  H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/64 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L29/0607 ,  H01L23/60 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/14 ,  H01L27/15 ,  H01L29/66128 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265

摘要： A carrier substrate includes a first major face and a second major face opposite the first major face. A diode structure is formed between the first major face and the second major face, which diode structure electrically insulates the first major face from the second major face at least with regard to one polarity of an electrical voltage.

公开(公告)号：US09324615B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US14111655

申请日：2012-04-04

申请人： Korbinian Perzlmaier ,  Heribert Zull ,  Franz Eberhard ,  Thomas Veit ,  Mathias Kämpf ,  Jens Dennemarck

发明人： Korbinian Perzlmaier ,  Heribert Zull ,  Franz Eberhard ,  Thomas Veit ,  Mathias Kämpf ,  Jens Dennemarck

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing a semiconductor body includes providing a semiconductor wafer having at least two chip regions and at least one separating region arranged between the chip regions, wherein the semiconductor wafer includes a layer sequence, an outermost layer of which has, at least within the separating region a transmissive layer transmissive to electromagnetic radiation, carrying out at least one of: removing the transmissive layer within the separating region, applying an absorbent layer within the separating region, increasing the absorption coefficient of the transmissive layer within the separating region, and separating the chip regions along the separating regions by a laser.

摘要翻译： 一种制造半导体本体的方法包括提供具有至少两个芯片区域和布置在芯片区域之间的至少一个分离区域的半导体晶片，其中半导体晶片包括层序列，其最外层具有至少在 分离区域对电磁辐射透射的透射层，执行以下至少一个：去除分离区域内的透射层，在分离区域内施加吸收层，增加分离区域内的透射层的吸收系数，以及分离 通过激光沿分离区域的芯片区域。

公开(公告)号：US09165816B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US14002754

申请日：2012-03-16

申请人： Heribert Zull ,  Korbinian Perzlmaier ,  Andreas Ploessl ,  Thomas Veit ,  Mathias Kaempf ,  Jens Dennemarck ,  Bernd Boehm

发明人： Heribert Zull ,  Korbinian Perzlmaier ,  Andreas Ploessl ,  Thomas Veit ,  Mathias Kaempf ,  Jens Dennemarck ,  Bernd Boehm

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L21/782 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/782 ,  H01L21/784 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0201

摘要： A method relates to separating a component composite into a plurality of component regions, wherein the component composite is provided having a semiconductor layer sequence comprising a region for generating or for receiving electromagnetic radiation. The component composite is mounted on a rigid subcarrier. The component composite is separated into the plurality of component regions, wherein one semiconductor body is produced from the semiconductor layer sequence for each component region. The component regions are removed from the subcarrier.

摘要翻译： 一种方法涉及将组分复合材料分离成多个组分区域，其中所述组分复合材料具有包括用于产生或用于接收电磁辐射的区域的半导体层序列。 组件复合材料安装在刚性副载波上。 组分复合材料被分离成多个组分区域，其中从每个组分区域的半导体层序列产生一个半导体本体。 从子载波去除分量区域。

公开(公告)号：US20140080286A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US14111655

申请日：2012-04-04

申请人： Korbinian Perzlmaier ,  Heribert Zull ,  Franz Eberhard ,  Thomas Veit ,  Mathias Kampf ,  Jens Dennemarck

发明人： Korbinian Perzlmaier ,  Heribert Zull ,  Franz Eberhard ,  Thomas Veit ,  Mathias Kampf ,  Jens Dennemarck

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L33/0095 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing a semiconductor body includes providing a semiconductor wafer having at least two chip regions and at least one separating region arranged between the chip regions, wherein the semiconductor wafer includes a layer sequence, an outermost layer of which has, at least within the separating region a transmissive layer transmissive to electromagnetic radiation, carrying out at least one of: removing the transmissive layer within the separating region, applying an absorbent layer within the separating region, increasing the absorption coefficient of the transmissive layer within the separating region, and separating the chip regions along the separating regions by a laser.

摘要翻译： 一种制造半导体本体的方法包括提供具有至少两个芯片区域和布置在芯片区域之间的至少一个分离区域的半导体晶片，其中半导体晶片包括层序列，其最外层具有至少在 分离区域对电磁辐射透射的透射层，执行以下至少一个：去除分离区域内的透射层，在分离区域内施加吸收层，增加分离区域内的透射层的吸收系数，以及分离 通过激光沿分离区域的芯片区域。

公开(公告)号：US20120070927A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13322662

申请日：2010-05-03

申请人： Elmar Baur ,  Alexander Heindl ,  Bernd Böhm ,  Patrick Rode ,  Heribert Zull

发明人： Elmar Baur ,  Alexander Heindl ,  Bernd Böhm ,  Patrick Rode ,  Heribert Zull

IPC分类号： H01L33/48

CPC分类号： H01L33/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L33/005 ,  H01L33/20

摘要： A method for producing an optoelectronic semiconductor component includes providing a first wafer having a patterned surface, wherein the patterned surface is formed at least in places by elevations having first and second heights, wherein the first height is greater than the second height; providing a second wafer; applying a photoresist to outer areas of the second wafer; patterning a surface of the photoresist facing away from the second wafer by impressing the patterned surface of the first wafer into the photoresist, wherein the elevations are impressed as trenches having a first and second depth into the photoresist; applying a patterning method to the patterned surface of the photoresist, wherein the structure applied on the photoresist is transferred at least in places to the outer area of the second wafer.

摘要翻译： 一种用于制造光电子半导体部件的方法包括提供具有图案化表面的第一晶片，其中所述图案化表面至少在具有第一和第二高度的高度的位置形成，其中所述第一高度大于所述第二高度; 提供第二晶片; 将光致抗蚀剂施加到第二晶片的外部区域; 通过将第一晶片的图案化表面压印到光致抗蚀剂中，将光致抗蚀剂的表面图案化为远离第二晶片，其中，将高度作为具有第一和第二深度的沟槽印刷到光致抗蚀剂中; 将图案化方法应用于光致抗蚀剂的图案化表面，其中施加在光致抗蚀剂上的结构至少在第二晶片的外部区域被转移。

公开(公告)号：US10026625B2

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：US14150291

申请日：2014-01-08

申请人： Christian Schmid ,  Tilman Schlenker ,  Heribert Zull ,  Ralph Paetzold ,  Markus Klein ,  Karsten Heuser

发明人： Christian Schmid ,  Tilman Schlenker ,  Heribert Zull ,  Ralph Paetzold ,  Markus Klein ,  Karsten Heuser

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L21/02 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L21/56 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/564 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

摘要： A device that includes a component and an encapsulation arrangement for the encapsulation of the component with respect to moisture and/or oxygen, wherein the encapsulation arrangement has a first layer and thereabove a second layer on at least one surface of the component, the first layer and the second layer each comprise an inorganic material, and the second layer is arranged directly on the first layer.

公开(公告)号：US20140141549A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14163240

申请日：2014-01-24

申请人： Christian Schmid ,  Tilman Schlenker ,  Heribert Zull ,  Ralph Paetzold ,  Markus Klein ,  Karsten Heuser

发明人： Christian Schmid ,  Tilman Schlenker ,  Heribert Zull ,  Ralph Paetzold ,  Markus Klein ,  Karsten Heuser

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L21/56 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/564 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing an electronic component comprising barrier layers for the encapsulation of the component comprises, in particular, the following steps: providing a substrate with at least one functional layer, applying at least one first barrier layer on the functional layer via plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD), and applying at least one second barrier layer on the functional layer by means of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), where the at least one first barrier layer is applied at a temperature of less than 100° C.

摘要翻译： 一种用于制造包含用于封装组件的阻挡层的电子部件的方法，特别地包括以下步骤：向衬底提供至少一个功能层，通过等离子体增强原子在功能层上施加至少一个第一阻挡层 层沉积（PEALD），以及通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在功能层上施加至少一个第二阻挡层，其中至少一个第一阻挡层在小于100℃的温度下被施加 。

公开(公告)号：US20140295589A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：US14234499

申请日：2012-07-23

申请人： Gudrun Lindberg ,  Lutz Höppel ,  Heribert Zull

发明人： Gudrun Lindberg ,  Lutz Höppel ,  Heribert Zull

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01S5/028

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/005 ,  H01S5/0282

摘要： An optoelectronic component includes a semiconductor layer sequence having an optoelectronically active region; a dielectric layer on the semiconductor layer sequence; and a metal layer on the dielectric layer, wherein an adhesion layer is arranged between the dielectric layer and the metal layer, the adhesion layer being covalently bonded to the dielectric layer and to the metal layer.

摘要翻译： 光电子部件包括具有光电活性区域的半导体层序列; 半导体层序列上的电介质层; 以及在所述电介质层上的金属层，其中在所述电介质层和所述金属层之间设置粘合层，所述粘附层共价键合到所述电介质层和所述金属层。

公开(公告)号：US20110049730A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12865646

申请日：2009-01-29

申请人： Christian Schmid ,  Tilman Schlenker ,  Heribert Zull ,  Ralph Paetzold ,  Markus Klein ,  Karsten Heuser

发明人： Christian Schmid ,  Tilman Schlenker ,  Heribert Zull ,  Ralph Paetzold ,  Markus Klein ,  Karsten Heuser

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L21/56 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/564 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

摘要： A device in accordance with one embodiment comprises a component (1) and an encapsulation arrangement (2) for the encapsulation of the component (1) with respect to moisture and/or oxygen, wherein the encapsulation arrangement (2) has a first layer (21) and thereabove a second layer (22) on at least one surface (19) of the component (1), the first layer (21) and the second layer (22) each comprise an inorganic material, and the second layer (22) is arranged directly on the first layer (21).

摘要翻译： 根据一个实施例的装置包括用于组件（1）相对于水分和/或氧气的封装的部件（1）和封装装置（2），其中封装装置（2）具有第一层 21），并且在组件（1）的至少一个表面（19）上方的第二层（22）上，第一层（21）和第二层（22）各自包括无机材料，并且第二层（22） ）直接布置在第一层（21）上。