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    Method of measuring focus of a lithographic projection apparatus
    6.
    发明授权
    Method of measuring focus of a lithographic projection apparatus 有权
    测量光刻投影设备的焦点的方法

    公开(公告)号：US08289516B2

    公开(公告)日：2012-10-16

    申请号：US12273772

    申请日：2008-11-19

    申请人： Gerardus Carolus Johannus Hofmans ,  Hubertus Antonius Geraets ,  Mark Zellenrath ,  Sven Gunnar Krister Magnusson

    发明人： Gerardus Carolus Johannus Hofmans ,  Hubertus Antonius Geraets ,  Mark Zellenrath ,  Sven Gunnar Krister Magnusson

    IPC分类号： G01B11/00

    CPC分类号： G03F7/70641 ,  G03F7/70683

    摘要： A method of measuring focus of a lithographic projection apparatus includes exposure of a photoresist covered test substrate with a plurality of verification fields. Each of the verification fields includes a plurality of verification markers, and the verification fields are exposed using a predetermined focus offset FO. After developing, an alignment offset for each of the verification markers is measured and translated into defocus data using a transposed focal curve. The method according to an embodiment of the invention may result in a focus-versus alignment shift sensitivity up to 50 times higher (typically dX,Y/dZ=20) than conventional approaches.

    摘要翻译： 测量光刻投影设备的焦点的方法包括用多个验证场曝光含有光致抗蚀剂的测试基板。 每个验证字段包括多个验证标记，并且使用预定的对焦偏移FO曝光验证字段。 在显影之后，使用转置的焦点曲线测量每个验证标记的对准偏移并将其转换为散焦数据。 根据本发明的实施例的方法可以导致与常规方法相比高达50倍（通常为dX，Y / dZ = 20）的聚焦相对于对准偏移灵敏度。

    Calibration method and inspection apparatus
    7.
    发明授权
    Calibration method and inspection apparatus 有权
    校准方法和检验仪器

    公开(公告)号：US08908148B2

    公开(公告)日：2014-12-09

    申请号：US13181905

    申请日：2011-07-13

    申请人： Hubertus Antonius Geraets ,  Gerardus Carolus Johannus Hofmans ,  Sven Gunnar Krister Magnusson

    发明人： Hubertus Antonius Geraets ,  Gerardus Carolus Johannus Hofmans ,  Sven Gunnar Krister Magnusson

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G01N21/93 ,  G01N21/956

    CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01N21/93 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/95676

    摘要： A method of calibrating an inspection apparatus. Obtaining a surface level measurements (LS) at respective level sensing locations LS(x,y). Determining focus settings (LPA, LPB) for exposure field regions (EFA, EFB) in accordance with surface level measurements (LSA, LSB) having level sensing locations corresponding to the respective exposure field region. Exposing exposure field regions (EFA, EFB) with focus offsets (FO1, FO2) defined with reference to the respective focus settings (LPA, LPB) to produce target patterns at respective target locations. Obtaining focus-dependent property measurements, such as Critical Dimension (CD) and/or side wall angle (SWA) of the target patterns measured using the inspection apparatus; and calibrating the inspection apparatus using the focus-dependent property measurements (CD/SWA) and the respective focus offsets (FO1, FO2). The calibration uses surface level measurements (e.g., LSB(3)) having a level sensing location (e.g., LSLB(3)) corresponding to the respective target location (TLB). Each offset value is thus corrected in the calibration for the local wafer stack unflatness present during exposure.

    摘要翻译： 一种校准检查装置的方法。 在各个电平感测位置LS（x，y）处获得表面电平测量（LS）。 根据具有与各个曝光区域对应的电平感测位置的表面电平测量（LSA，LSB）确定曝光场区域（EFA，EFB）的焦点设置（LPA，LPB）。 以相应的焦点设置（LPA，LPB）来定义具有对焦偏移（FO1，FO2）的曝光场区域（EFA，EFB），以在各个目标位置产生目标图案。 获得使用检查装置测量的目标图案的重点相关属性测量，例如临界尺寸（CD）和/或侧壁角度（SWA）; 并使用与焦点相关的属性测量（CD / SWA）和相应的焦点偏移（FO1，FO2）来校准检查装置。 校准使用具有对应于各个目标位置（TLB）的电平感测位置（例如，LSLB（3））的表面电平测量（例如，LSB（3））。 因此，在曝光期间存在的局部晶片堆不平坦度的校准中校正了每个偏移值。

    Calibration Method and Inspection Apparatus
    8.
    发明申请
    Calibration Method and Inspection Apparatus 有权
    校准方法和检验仪器

    公开(公告)号：US20120013875A1

    公开(公告)日：2012-01-19

    申请号：US13181905

    申请日：2011-07-13

    申请人： Hubertus Antonius GERAETS ,  Gerardus Carolus Johannus Hofmans ,  Sven Gunnar Krister Magnusson

    发明人： Hubertus Antonius GERAETS ,  Gerardus Carolus Johannus Hofmans ,  Sven Gunnar Krister Magnusson

    IPC分类号： G03B27/52

    CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01N21/93 ,  G01N21/956 ,  G01N2021/95676

    摘要： A method of calibrating an inspection apparatus. Obtaining a surface level measurements (LS) at respective level sensing locations LS(x,y). Determining focus settings (LPA, LPB) for exposure field regions (EFA, EFB) in accordance with surface level measurements (LSA, LSB) having level sensing locations corresponding to the respective exposure field region. Exposing exposure field regions (EFA, EFB) with focus offsets (FO1, FO2) defined with reference to the respective focus settings (LPA, LPB) to produce target patterns at respective target locations. Obtaining focus-dependent property measurements, such as Critical Dimension (CD) and/or side wall angle (SWA) of the target patterns measured using the inspection apparatus; and calibrating the inspection apparatus using the focus-dependent property measurements (CD/SWA) and the respective focus offsets (FO1, FO2). The calibration uses surface level measurements (e.g., LSB(3)) having a level sensing location (e.g., LSLB(3)) corresponding to the respective target location (TLB). Each offset value is thus corrected in the calibration for the local wafer stack unflatness present during exposure.

    摘要翻译： 一种校准检查装置的方法。 在各个电平感测位置LS（x，y）处获得表面电平测量（LS）。 根据具有与各个曝光区域对应的电平感测位置的表面电平测量（LSA，LSB）确定曝光场区域（EFA，EFB）的焦点设置（LPA，LPB）。 以相应的焦点设置（LPA，LPB）来定义具有对焦偏移（FO1，FO2）的曝光场区域（EFA，EFB），以在各个目标位置产生目标图案。 获得使用检查装置测量的目标图案的重点相关属性测量，例如临界尺寸（CD）和/或侧壁角度（SWA）; 并使用与焦点相关的属性测量（CD / SWA）和相应的焦点偏移（FO1，FO2）来校准检查装置。 校准使用具有对应于各个目标位置（TLB）的电平感测位置（例如，LSLB（3））的表面电平测量（例如，LSB（3））。 因此，在曝光期间存在的局部晶片堆不平坦度的校准中校正了每个偏移值。