公开(公告)号：US20120211829A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13029490

申请日：2011-02-17

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/26586 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

摘要： A field-effect transistor has a gate, a source, and a drain. The gate has a via extending through a semiconductor chip substrate from one surface to an opposite surface of the semiconductor chip substrate. The source has a first toroid of ion dopants implanted in the semiconductor chip substrate surrounding one end of the via on the one surface of the semiconductor chip substrate. The drain has a second toroid of ion dopants implanted in the semiconductor chip substrate surrounding an opposite end of the via on the opposite surface of the semiconductor chip substrate.

摘要翻译： 场效应晶体管具有栅极，源极和漏极。 栅极具有从半导体芯片基板的一个表面延伸穿过半导体芯片基板的相对表面的通孔。 源极在半导体芯片衬底的一个表面上具有注入在半导体芯片衬底中的第一环状的离子掺杂剂，该半导体芯片衬底围绕通孔的一端。 漏极具有注入在半导体芯片衬底中的第二环形离子掺杂剂，该环状氧化物围绕半导体芯片衬底的相对表面上的通孔的相对端。

公开(公告)号：US20100026337A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12181376

申请日：2008-07-29

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： G06F21/75 ,  G06F21/86 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227

摘要： An integrated circuit assembly comprising a microchip that shares an interdependent function with a second, stacked microchip. Alternation of the physical arrangement or functionality of the microchips may initiate a defense action intended to protect security sensitive circuitry associated with one of the microchips. The microchips may communicate using through-silicon vias or other interconnects.

摘要翻译： 一种集成电路组件，包括与第二堆叠微芯片共享相互依赖功能的微芯片。 微芯片的物理布置或功能的交替可以启动旨在保护与微芯片中的一个相关联的安全敏感电路的防御动作。 微芯片可以使用硅通孔或其他互连进行通信。

公开(公告)号：US20100026336A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12181367

申请日：2008-07-29

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： H03K19/00

CPC分类号： G06F21/86 ,  G06F21/75 ,  H01L23/57 ,  H01L2224/32225

摘要： An integrated circuit assembly and associated method of detecting microchip tampering may include multiple connections in electrical communication with a conductive layer. Defensive circuitry may inhibit analysis of the microchip where a connection no longer connects to the conductive layer. The defensive circuitry may similarly be initiated where a connection unintended to be in electrical communication with the conductive layer is nonetheless connected.

摘要翻译： 检测微芯片篡改的集成电路组件和相关联的方法可以包括与导电层电连通的多个连接。 防御性电路可能会阻止微芯片的分析，其中连接不再连接到导电层。 防御性电路可以类似地启动，其中连接不想与导电层电连通的连接是连接的。

公开(公告)号：US20100025479A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12181401

申请日：2008-07-29

申请人： Gerald K Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Todd A. Christensen ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Todd A. Christensen ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： G06K19/06

CPC分类号： G06F21/87

摘要： A method and apparatus include conductive material doped within a microchip that accumulates a detectable charge in the presence of ions. Such ions may result from a focused ion beam or other unwelcome technology exploitation effort. Circuitry sensing the charge buildup in the embedded, doped material may initiate a defensive action intended to defeat the tampering operation.

摘要翻译： 一种方法和装置包括掺杂在微芯片内的导电材料，其在离子存在下累积可检测的电荷。 这样的离子可能由聚焦离子束或其他不受欢迎的技术开发而产生。 感测嵌入的掺杂材料中的电荷积累的电路可以启动旨在击败篡改操作的防御动作。

公开(公告)号：US20120146711A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US12966303

申请日：2010-12-13

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： G11C5/14 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L23/481 ,  H01L29/785 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/014

摘要： A semiconductor chip has a gated through silicon via (TSVG). The TSVG may be switched so that the TSVG can be made conducting or non-conducting. The semiconductor chip may be used between a lower level semiconductor chip and a higher semiconductor chip to control whether a voltage supply on the lower level semiconductor chip is connected to or disconnected from a voltage domain in the upper level semiconductor chip. The TSVG comprises an FET controlled by the lower level chip as a switch.

摘要翻译： 半导体芯片具有选通硅通孔（TSVG）。 可以切换TSVG，使得TSVG可以导通或不导通。 半导体芯片可以在下位半导体芯片和较高半导体芯片之间使用，以控制下位半导体芯片上的电压供应是连接到上级半导体芯片中的电压域还是与其断开。 TSVG包括由下级芯片作为开关控制的FET。

公开(公告)号：US08466024B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US12966303

申请日：2010-12-13

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L23/481 ,  H01L29/785 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/014

摘要： A semiconductor chip has a gated through silicon via (TSVG). The TSVG may be switched so that the TSVG can be made conducting or non-conducting. The semiconductor chip may be used between a lower level semiconductor chip and a higher semiconductor chip to control whether a voltage supply on the lower level semiconductor chip is connected to or disconnected from a voltage domain in the upper level semiconductor chip. The TSVG comprises an FET controlled by the lower level chip as a switch.

摘要翻译： 半导体芯片具有选通硅通孔（TSVG）。 可以切换TSVG，使得TSVG可以导通或不导通。 半导体芯片可以在下位半导体芯片和较高半导体芯片之间使用，以控制下位半导体芯片上的电压供应是连接到上级半导体芯片中的电压域还是与其断开。 TSVG包括由下级芯片作为开关控制的FET。

公开(公告)号：US08172140B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12181401

申请日：2008-07-29

申请人： Gerald K Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Todd A. Christensen ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Todd A. Christensen ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： G06K7/08

CPC分类号： G06F21/87

摘要： A method and apparatus include conductive material doped within a microchip that accumulates a detectable charge in the presence of ions. Such ions may result from a focused ion beam or other unwelcome technology exploitation effort. Circuitry sensing the charge buildup in the embedded, doped material may initiate a defensive action intended to defeat the tampering operation.

摘要翻译： 一种方法和装置包括掺杂在微芯片内的导电材料，其在离子存在下累积可检测的电荷。 这样的离子可能由聚焦离子束或其他不受欢迎的技术开发而产生。 感测嵌入的掺杂材料中的电荷积累的电路可以启动旨在击败篡改操作的防御动作。

公开(公告)号：US20100026326A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12181387

申请日：2008-07-29

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson ,  John E. Sheets, II

IPC分类号： G01R27/08

CPC分类号： G06F21/755 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

摘要： A method, program product and apparatus include resistance structures positioned proximate security sensitive microchip circuitry. Alteration in the position, makeup or arrangement of the resistance structures may be detected and initiate an action for defending against a reverse engineering or other exploitation effort. The resistance structures may be automatically and selectively designated for monitoring. Some of the resistance structures may have different resistivities. The sensed resistance may be compared to an expected resistance, ratio or other resistance-related value. The structures may be intermingled with false structures, and may be overlapped or otherwise arranged relative to one another to further complicate unwelcome analysis.

摘要翻译： 一种方法，程序产品和装置包括位于安全敏感的微芯片电路附近的电阻结构。 可以检测抵抗结构的位置，构成或布置的变化，并启动防止逆向工程或其他开发工作的动作。 电阻结构可以被自动和选择性地指定用于监测。 一些电阻结构可能具有不同的电阻率。 感测的电阻可以与期望的电阻，比率或其他电阻相关值进行比较。 结构可能与假结构混合，并且可以相对于彼此重叠或以其它方式布置，以进一步使不受欢迎的分析复杂化。

公开(公告)号：US20100031375A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12181352

申请日：2008-07-29

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson

IPC分类号： G06F21/02

CPC分类号： G06F21/75 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0401

摘要： Method and apparatus and associated method of detecting microchip tampering may include a conductive element in electrical communication with multiple sensors for verifying that signal degradation occurs at an expected region of the conductive element. A detected variance from the expected region may automatically trigger an action for impeding an integrated circuit exploitation process.

摘要翻译： 用于检测微芯片篡改的方法和装置以及相关联的方法可以包括与多个传感器电连通的导电元件，用于验证在导电元件的预期区域处发生信号劣化。 检测到的与预期区域的差异可以自动地触发阻止集成电路开发过程的动作。

公开(公告)号：US20090183364A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：US12016261

申请日：2008-01-18

申请人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson

发明人： Gerald K. Bartley ,  Darryl J. Becker ,  Paul E. Dahlen ,  Philip R. Germann ,  Andrew B. Maki ,  Mark O. Maxson

IPC分类号： H05K3/30

CPC分类号： H05K1/147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73253 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/141 ,  H05K2201/046 ,  H05K2201/10159 ,  H05K2201/10484 ,  H05K2201/10515 ,  Y10T29/4913

摘要： A method of serially connecting devices utilizing flexible circuits in a semi-stacking configuration includes positioning a first flexible circuit on a carrier, the first flexible circuit includes a bottom surface and a top surface, a portion of the bottom surface is mounted to the carrier while another portion of the bottom surface is elevated at a first angle with respect to the carrier; coupling a first device on a portion of the top surface of the first flexible circuit, the first device being elevated at the first angle; positioning a second flexible circuit on the carrier, the second flexible circuit having an upper surface and a lower surface, a portion of the lower surface is mounted to the carrier while another portion of the lower surface is elevated at a second angle with respect to the carrier and overlapped over a top surface portion of the first device; and coupling a second device on a portion of the upper surface of the second flexible circuit, the second device being elevated at the second angle.

摘要翻译： 使用半堆叠配置中的柔性电路串联连接装置的方法包括将第一柔性电路定位在载体上，第一柔性电路包括底表面和顶表面，底表面的一部分安装到载体上， 底表面的另一部分相对于载体以第一角度升高; 将第一装置联接在第一柔性电路的顶表面的一部分上，第一装置以第一角度升高; 将第二柔性电路定位在所述载体上，所述第二柔性电路具有上表面和下表面，所述下表面的一部分安装到所述载体上，而所述下表面的另一部分相对于所述下表面以第二角度升高 载体并重叠在第一装置的顶表面部分上; 以及将所述第二装置联接在所述第二柔性电路的所述上表面的一部分上，所述第二装置以第二角度升高。