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    Process for the production of silicon
    5.
    发明授权
    Process for the production of silicon 失效
    生产硅的工艺

    公开(公告)号：US4525334A

    公开(公告)日：1985-06-25

    申请号：US589204

    申请日：1984-03-13

    申请人： Peter Woditsch ,  Martin Abels ,  Berthold Brazel

    发明人： Peter Woditsch ,  Martin Abels ,  Berthold Brazel

    IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/033 ,  C01B33/00

    CPC分类号： C01B33/033

    摘要： A process for the production of silicon comprising reacting a gaseous silicon compound of the formula SiH.sub.n X.sub.4-n, wherein X is halogen and n is 0 to 3, with aluminum in solid state. The resulting silicon can be highly pure and will have the particle size of the aluminum feed, making it especially useful for production of solar cells.

    摘要翻译： 一种制备硅的方法，包括使式SiHnX4-n的气态硅化合物（其中X为卤素且n为0至3）与固态的铝反应。 所得到的硅可以是高纯度的，并且具有铝进料的粒度，使其特别适用于生产太阳能电池。

    Hydrolyzable titanyl sulphate solutions by decomposition of ternary raw material mixtures
    6.
    发明授权
    Hydrolyzable titanyl sulphate solutions by decomposition of ternary raw material mixtures 失效
    通过三元原料混合物的分解可水解的硫酸氧钛溶液

    公开(公告)号：US4304758A

    公开(公告)日：1981-12-08

    申请号：US213540

    申请日：1980-12-05

    申请人： Hilmar Rieck ,  Walter Gutsche ,  Peter Woditsch ,  Peter Panek

    发明人： Hilmar Rieck ,  Walter Gutsche ,  Peter Woditsch ,  Peter Panek

    IPC分类号： C01G23/00 ,  C22B34/12 ,  C01G23/053

    CPC分类号： C22B34/125 ,  C01G23/008

    摘要： A process for the preparation of a hydrolyzable titanyl sulphate solution comprising adding sulphuric acid having a concentration greater than about 86% to a ternary mixture of two slags and an ilmenite to bring the proportion by weight of H.sub.2 SO.sub.4 to TiO.sub.2 to from about 1.7:1 to 2.2:1 and adding water, dilute sulphuric acid or oleum in amount sufficient to bring the H.sub.2 SO.sub.4 concentration to from about 86 to 96%, thereby to form the titanyl sulphate solution, the first slag having a TiO.sub.2 content greater than about 80% and a Ti(III) content of about 22 to 40%, the second slag having a TiO.sub.2 content of about 60 to 80% and a Ti(III) content of about 5 to 15%, and the ilmenite having a ratio of Fe(III) to Fe(II) of from about 1:1 to 10:1, the slags and ilmenite being present in such proportions that the ternary mixture of raw materials obtained has a molar ratio of Ti(III) to Fe(III).gtoreq.1.4.

    摘要翻译： 一种制备可水解硫酸氧钛溶液的方法，其包括将浓度大于约86％的硫酸添加到两种炉渣和钛铁矿的三元混合物中，以使H 2 SO 4的重量比例从约1.7:1提高到约1.7:1至 2.2:1，并加入水，稀硫酸或发烟硫酸，其量足以使H 2 SO 4浓度达到约86％至96％，从而形成硫酸氧钛溶液，第一炉渣的TiO 2含量大于约80％，并且 Ti（III）含量为约22〜40％，第二炉渣的TiO 2含量为约60〜80％，Ti（III）含量为5〜15％左右，钛铁矿的Fe（III） 对于Fe（II）为约1：1至10：1，炉渣和钛铁矿以以下比例存在：获得的原料的三元混合物具有Ti（III）与Fe（III）的摩尔比> 1.4。

    Stabilizing titanium dioxide pigments with vanadates
    7.
    发明授权
    Stabilizing titanium dioxide pigments with vanadates 失效
    用钒酸盐稳定二氧化钛颜料

    公开(公告)号：US4179306A

    公开(公告)日：1979-12-18

    申请号：US913711

    申请日：1978-06-08

    申请人： Peter Woditsch ,  Eckhard Bayer ,  Peter Panek ,  Heribert Stutgens

    发明人： Peter Woditsch ,  Eckhard Bayer ,  Peter Panek ,  Heribert Stutgens

    IPC分类号： C09C1/36 ,  G04B31/02

    CPC分类号： C09C1/3661 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/60

    摘要： A process for the production of a light-stable and weather-stable titanium dioxide pigment comprising precipitating onto the pigment in aqueous suspension a colorless vanadate of at least one of zinc, magnesium, calcium, strontium and barium at a pH-value above 7 in about 0.01 to 5% by weight, expressed as V.sub.2 O.sub.5, based on TiO.sub.2. Advantageously the pigment either before or after precipitation of the vanadate is coated with at least one oxide, oxide hydrate or phosphate of titanium, silicon, aluminum or zirconium.

    摘要翻译： 一种用于生产光稳定和天气稳定的二氧化钛颜料的方法，其包括在水性悬浮液中在pH值高于7的情况下将至少一种锌，镁，钙，锶和钡的无色钒酸盐沉淀在颜料上， 约0.01至5重量％，以V 2 O 5表示，基于TiO 2。 有利地，在钒酸盐沉淀之前或之后，颜料涂覆有至少一种钛，硅，铝或锆的氧化物，氧化物水合物或磷酸盐。

    Coated stabilized cadmium chalcogenide pigments
    8.
    发明授权
    Coated stabilized cadmium chalcogenide pigments 失效
    涂层稳定的镉硫属化物颜料

    公开(公告)号：US4093777A

    公开(公告)日：1978-06-06

    申请号：US620092

    申请日：1975-10-06

    申请人： Heinrich Heine ,  Peter Woditsch ,  Theodor Bohmann ,  Dieter Rade

    发明人： Heinrich Heine ,  Peter Woditsch ,  Theodor Bohmann ,  Dieter Rade

    IPC分类号： C01B19/00 ,  C01G11/00 ,  C09C1/10 ,  B32B9/04

    CPC分类号： C09C1/10 ,  C01B19/007 ,  C01G11/00 ,  C01P2006/80 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2998 ,  Y10T428/31667

    摘要： A stabilized cadmium chalcogenide, in which optionally zinc and/or mercury is present in the lattice, carrying at least one coating of a sparingly-soluble sulfide is produced by adding at least one water-soluble salt of an element forming a sparingly-soluble sulfide to an aqueous chalcogenide suspension, mixing with a compound releasing sulfide ions and/or mixing the cadmium chalcogenide suspension with a soluble thio-compound of an element forming a sparingly-soluble sulfide thereby to precipitate a sparingly-soluble sulfide onto the chalcogenide, subsequently filtering, optionally washing, drying and annealing the aftertreated chalcogenide. Suitable sparingly-soluble sulfides are, for example, the sulfides of the elements Zn, Hg, In, Sn, Pb, As, Sb, Bi, V, Mo, W, Cu and Ag.

    摘要翻译： 稳定的镉硫族化物，其中任选地锌和/或汞存在于晶格中，携带至少一种微溶于硫化物的涂层，通过加入至少一种形成微溶的硫化物的元素的水溶性盐 与硫酸氢盐水溶液混合，和/或将硫属镉硫化物悬浮液与形成微溶性硫化物的元素的可溶性硫代化合物混合，从而将少量溶解的硫化物沉淀到硫族化物上，随后过滤 ，任选地对后处理的硫属化物进行洗涤，干燥和退火。 合适的微溶硫化物是例如元素Zn，Hg，In，Sn，Pb，As，Sb，Bi，V，Mo，W，Cu和Ag的硫化物。

    Strip-shaped films of metals, a process and an apparatus for the production thereof and the use thereof
    9.
    发明授权
    Strip-shaped films of metals, a process and an apparatus for the production thereof and the use thereof 失效
    金属条带状膜，其制造方法和装置及其用途

    公开(公告)号：US4790871A

    公开(公告)日：1988-12-13

    申请号：US589612

    申请日：1984-03-14

    申请人： Ingo Schwirtlich ,  Peter Woditsch

    发明人： Ingo Schwirtlich ,  Peter Woditsch

    IPC分类号： C30B13/06 ,  C22C1/02 ,  C30B13/00 ,  C30B13/32 ,  C30B29/06 ,  C30B29/64 ,  C22B9/16

    CPC分类号： C30B13/32 ,  C30B13/00 ,  C30B29/60 ,  Y10T428/12458

    摘要： In the recrystallization and purification of a strip-shaped film of a metal or metalloid wherein one or more locally restricted melting zones are produced and are moved through the film, the improvement which comprises advancing the film, and melting it in zones which are transverse to the direction of advance of the strip-shaped film. Advantageously the film is melted by passing a current through a spirally wound coil which is placed near the film; the film is advantageously advanced in a plane so that the melt zones are diagonal relative to the film.

    摘要翻译： 在金属或准金属的带状膜的再结晶和纯化中，其中产生一个或多个局部受限的熔融区并移动通过该膜，其改进包括使膜前进并在横向于 带状膜的前进方向。 有利地，通过使电流通过放置在膜附近的螺旋卷绕的线圈而熔化膜; 薄膜有利地在平面中前进，使得熔体区域相对于薄膜是对角线的。

    Process and apparatus for producing semi-conductor foils
    10.
    发明授权
    Process and apparatus for producing semi-conductor foils 失效
    用于生产半导体箔的工艺和设备

    公开(公告)号：US4670096A

    公开(公告)日：1987-06-02

    申请号：US730982

    申请日：1985-05-06

    申请人： Ingo Schwirtlich ,  Peter Woditsch

    发明人： Ingo Schwirtlich ,  Peter Woditsch

    IPC分类号： H01L31/04 ,  C01B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B29/64 ,  H01L21/208 ,  C03B19/02

    CPC分类号： C30B15/007 ,  Y10S117/915

    摘要： In the production of a semi-conductor foil by solidification of a liquid semi-conductor on a horizontal support, the improvement which comprises positioning a molding body on the horizontal support, supplying the liquid semi-conductor to the molding body, and effecting relative movement between the molding body and support in a direction parallel to the support. Thereby fault-free silicon foils can readily be produced.

    摘要翻译： 在通过在水平支撑件上固定液体半导体的半导体箔的制造中，改进之处在于，将成型体定位在水平支撑件上，将液体半导体供应到成型体，并实现相对运动 在成型体和支撑体之间沿平行于支撑件的方向。 从而可以容易地制造出无故障的硅箔。