公开(公告)号：US08796687B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13236068

申请日：2011-09-19

申请人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Mallanagouda Dyamanagouda Patil ,  Lili Tian ,  Natesan Venkataraman

发明人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Mallanagouda Dyamanagouda Patil ,  Lili Tian ,  Natesan Venkataraman

IPC分类号： H01L29/04 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B11/00 ,  C30B13/24

CPC分类号： C30B11/002 ,  C30B13/24 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： A method of treating a sheet of semiconducting material comprises forming a sinterable first layer over each major surface of a sheet of semiconducting material, forming a second layer over each of the first layers to form a particle-coated semiconductor sheet, placing the particle-coated sheet between end members, heating the particle-coated sheet to a temperature effective to at least partially sinter the first layer and at least partially melt the semiconducting material, and cooling the particle-coated sheet to solidify the semiconducting material and form a treated sheet of semiconducting material.

摘要翻译： 一种处理半导体材料片的方法包括在半导体材料片的每个主表面上形成可烧结的第一层，在每个第一层上形成第二层以形成颗粒涂覆的半导体片，将颗粒涂覆 将所述颗粒包覆的片材加热到有效地至少部分地烧结所述第一层并且至少部分地熔化所述半导体材料的温度，以及冷却所述颗粒涂覆的片材以固化所述半导体材料并形成经处理的片材 半导体材料。

公开(公告)号：US20120074528A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13236068

申请日：2011-09-19

申请人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Mallanagouda Dyamanagouda Patil ,  Lili Tian ,  Natesan Venkataraman

发明人： Glen Bennett Cook ,  Prantik Mazumder ,  Mallanagouda Dyamanagouda Patil ,  Lili Tian ,  Natesan Venkataraman

IPC分类号： H01L29/30 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B11/002 ,  C30B13/24 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06

摘要： A method of treating a sheet of semiconducting material comprises forming a sinterable first layer over each major surface of a sheet of semiconducting material, forming a second layer over each of the first layers to form a particle-coated semiconductor sheet, placing the particle-coated sheet between end members, heating the particle-coated sheet to a temperature effective to at least partially sinter the first layer and at least partially melt the semiconducting material, and cooling the particle-coated sheet to solidify the semiconducting material and form a treated sheet of semiconducting material.

摘要翻译： 一种处理半导体材料片的方法包括在半导体材料片的每个主表面上形成可烧结的第一层，在每个第一层上形成第二层以形成颗粒涂覆的半导体片，将颗粒涂覆 将所述颗粒包覆的片材加热到有效地至少部分地烧结所述第一层并且至少部分地熔化所述半导体材料的温度，以及冷却所述颗粒涂覆的片材以固化所述半导体材料并形成经处理的片材 半导体材料。

公开(公告)号：US09296183B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US13687208

申请日：2012-11-28

申请人： David Eugene Baker ,  Carme Gomez Carbonell ,  David Francis Dawson-Elli ,  Prantik Mazumder ,  Valerio Pruneri ,  Lili Tian

发明人： David Eugene Baker ,  Carme Gomez Carbonell ,  David Francis Dawson-Elli ,  Prantik Mazumder ,  Valerio Pruneri ,  Lili Tian

IPC分类号： B32B3/10 ,  B32B33/00 ,  B05D3/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

CPC分类号： B05D3/007 ,  B05D3/0254 ,  B32B33/00 ,  C03C17/06 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806 ,  Y10T428/24355

摘要： Described herein are improved dewetting methods and improved patterned articles produced using such methods. The improved methods and articles generally implement continuous ultra-thin metal-containing films or film stacks as the materials to be dewetted. For example, a method can involve the steps of providing a substrate that has a continuous ultra-thin metal-containing film or film stack disposed on a surface thereof, and dewetting at least a portion of the continuous ultra-thin metal-containing film or film stack to produce a plurality of discrete metal-containing dewetted islands on the surface of the substrate.

摘要翻译： 本文描述了改进的去湿方法和使用这种方法制备的改进的图案化制品。 改进的方法和制品通常实现连续的超薄含金属膜或膜叠层作为要脱色的材料。 例如，一种方法可以包括以下步骤：提供具有设置在其表面上的连续的含超薄金属膜或薄膜叠层的基板，并且将至少一部分连续的超薄金属含膜膜或 膜堆叠以在基板的表面上产生多个离散的含金属的脱色岛。

公开(公告)号：US20130149496A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13693379

申请日：2012-12-04

申请人： Prantik Mazumder ,  Valerio Pruneri ,  Mark Alejandro Quesada ,  Wageesha Senaratne ,  Lili Tian

发明人： Prantik Mazumder ,  Valerio Pruneri ,  Mark Alejandro Quesada ,  Wageesha Senaratne ,  Lili Tian

IPC分类号： C09D7/12

CPC分类号： G02B1/18 ,  B82Y30/00 ,  C09D7/66 ,  G02B27/0006 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/24372

摘要： Described herein are various methods for making textured articles, textured articles that have improved fingerprint resistance, and methods of using the textured articles. The textured articles generally include a substrate and at least two different sets of nanostructured topographical features that are created in or on a surface of the substrate. Each set of nanostructured topographical features will have at least one average dimensional attribute that is different from that of any other set of nanostructured topographical features.

摘要翻译： 本文描述了用于制造纹理制品，具有改善的耐指纹性的纹理制品以及使用纹理制品的方法的各种方法。 纹理制品通常包括衬底和在衬底的表面中或表面上形成的至少两组不同的纳米结构化形貌特征。 每组纳米结构的地形特征将具有与任何其他一组纳米结构化地形特征不同的至少一个平均尺寸属性。

公开(公告)号：US20130136894A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13687208

申请日：2012-11-28

申请人： David Eugene Baker ,  Carme Gomex Carbonell ,  David Francis Dawson-Elli ,  Prantik Mazumder ,  Valerio Pruneri ,  Lili Tian

发明人： David Eugene Baker ,  Carme Gomex Carbonell ,  David Francis Dawson-Elli ,  Prantik Mazumder ,  Valerio Pruneri ,  Lili Tian

IPC分类号： B32B33/00 ,  B05D3/02

CPC分类号： B05D3/007 ,  B05D3/0254 ,  B32B33/00 ,  C03C17/06 ,  C23C14/185 ,  C23C14/5806 ,  Y10T428/24355

摘要： Described herein are improved dewetting methods and improved patterned articles produced using such methods. The improved methods and articles generally implement continuous ultra-thin metal-containing films or film stacks as the materials to be dewetted. For example, a method can involve the steps of providing a substrate that has a continuous ultra-thin metal-containing film or film stack disposed on a surface thereof, and dewetting at least a portion of the continuous ultra-thin metal-containing film or film stack to produce a plurality of discrete metal-containing dewetted islands on the surface of the substrate.

摘要翻译： 本文描述了改进的去湿方法和使用这种方法制备的改进的图案化制品。 改进的方法和制品通常实现连续的超薄含金属膜或膜叠层作为要脱色的材料。 例如，一种方法可以包括以下步骤：提供具有设置在其表面上的连续的含超薄金属膜或薄膜叠层的基板，并且将至少一部分连续的超薄金属含膜膜或 膜堆叠以在基板的表面上产生多个离散的含金属的脱色岛。

公开(公告)号：US20130157007A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13687227

申请日：2012-11-28

申请人： Albert Carrilero ,  Prantik Mazumder ,  Johann Osmond ,  Valerio Pruneri ,  Paul Arthur Sachenik ,  Lili Tian

发明人： Albert Carrilero ,  Prantik Mazumder ,  Johann Osmond ,  Valerio Pruneri ,  Paul Arthur Sachenik ,  Lili Tian

IPC分类号： C23F1/02

CPC分类号： C23F1/02 ,  B08B17/065 ,  C03C15/00 ,  C03C17/06 ,  C03C2218/33 ,  C03C2218/34 ,  G03F7/00 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/89 ,  Y10T428/24355

摘要： Described herein are various methods for making textured articles, textured articles that have improved fingerprint resistance, and methods of using the textured articles. The methods generally make use of masks comprising nanostructured metal-containing features to produce textured surfaces that also comprise nanostructured features. These nanostructured features in the textured surfaces can render the surfaces hydrophobic and oleophobic, thereby beneficially providing the articles with improved fingerprint resistance relative to similar or identical articles that lack the texturing.

摘要翻译： 本文描述了用于制造纹理制品，具有改善的耐指纹性的纹理制品以及使用纹理制品的方法的各种方法。 所述方法通常使用包含纳米结构的含金属特征的掩模以产生也包含纳米结构特征的纹理表面。 纹理表面中的这些纳米结构特征可以使表面疏水和疏油，从而有利地为制品提供相对于缺乏纹理的类似或相同制品的改进的指纹抗性。

公开(公告)号：US20110094577A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12887761

申请日：2010-09-22

申请人： Dilip Kumar Chatterjee ,  Curtis Robert Fekety ,  Lenwood Lynell Fields ,  Zhen Song ,  Lili Tian ,  Ji Wang

发明人： Dilip Kumar Chatterjee ,  Curtis Robert Fekety ,  Lenwood Lynell Fields ,  Zhen Song ,  Lili Tian ,  Ji Wang

IPC分类号： H01L31/0216 ,  B32B5/00 ,  B32B17/06 ,  B32B18/00 ,  B32B15/04 ,  B32B27/06 ,  C01B11/00 ,  C01G19/02

CPC分类号： C23C18/1216 ,  C03C17/253 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3678 ,  C03C2217/94 ,  C23C18/1258 ,  C23C18/1291 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/265

摘要： Article comprising a substrate; and a conductive metal oxide film adjacent to a surface of the substrate, wherein the conductive metal oxide film has an electron mobility (cm2/V-s) of 35 or greater are described. Photovoltaic devices comprising conductive metal oxide films are also described.

摘要翻译： 制品包括基材; 以及与基板的表面相邻的导电性金属氧化物膜，其中，导电性金属氧化物膜的电子迁移率（cm2 / V-s）为35以上。 还描述了包括导电金属氧化物膜的光伏器件。

公开(公告)号：US20150251873A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14437625

申请日：2013-10-22

申请人： Sean Matthew GARNER ,  Richard Jonathan KOHLER ,  Sue Camille LEWIS ,  Lynn Bernard SIMPSON ,  Lili TIAN ,  CORNING INCORPORATED

发明人： Sean Matthew Garner ,  Richard Jonathon Kohler ,  Sue Camille Lewis ,  Lynn Bernard Simpson ,  Lili Tian

IPC分类号： B65H69/06

CPC分类号： B65H69/06 ,  B65H19/18 ,  B65H19/1852 ,  B65H2301/4621 ,  B65H2301/4631 ,  B65H2801/61 ,  B65H2801/87 ,  C03B33/02 ,  C03B33/0235 ,  C03B33/074 ,  Y10T83/0405 ,  Y10T428/18 ,  Y10T428/192

摘要： Glass web including a first glass-web portion (30), a second portion (40), and a splice joint (50) coupling the first glass-web portion to the second portion, wherein the slice joint includes a splice member (60) with at least one gas-permeable attachment portion. In further examples, methods of splicing a first glass-web portion to a second portion include the step of splicing the first glass-web portion to the second portion with a splice member, wherein the step of splicing includes attaching a gas-permeable attachment portion of the splice member to the first glass-web portion.

摘要翻译： 玻璃纤维网包括第一玻璃纤维网部分（30），第二部分（40）和将第一玻璃纤维网部分连接到第二部分的接合接头（50），其中切片接头包括接合部件（60） 具有至少一个透气附着部分。 在另外的实施例中，将第一玻璃纤维网部分拼接到第二部分的方法包括用接合部件将第一玻璃纤维网部分拼接到第二部分的步骤，其中拼接步骤包括将透气的附着部分 的接合构件连接到第一玻璃纤维网部分。

公开(公告)号：US20120145308A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13309844

申请日：2011-12-02

申请人： Jiangwei Feng ,  Mike Xu Ouyang ,  Lynn Bernard Simpson ,  Yawei Sun ,  Lili Tian

发明人： Jiangwei Feng ,  Mike Xu Ouyang ,  Lynn Bernard Simpson ,  Yawei Sun ,  Lili Tian

IPC分类号： B32B37/02 ,  B32B38/10

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/031 ,  C03C27/08 ,  Y10T156/1052

摘要： Methods and apparatus provide for: disposing an intermediate layer formed from at least one of: a metal, a conductive oxide, and combined layers of the metal and the conductive oxide, on one of a first material layer and a second material layer; and coupling the first and second material layers together via an anodic bond between the intermediate layer and the other of the first and second material layers.

摘要翻译： 方法和装置提供：在第一材料层和第二材料层之一上设置由金属，导电氧化物和金属和导电氧化物的组合层中的至少一种形成的中间层; 以及通过所述中间层和所述第一和第二材料层中的另一个之间的阳极结合将所述第一和第二材料层连接在一起。

公开(公告)号：US20120129293A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13300829

申请日：2011-11-21

申请人： Sergey Potapenko ,  Balram Suman ,  Lili Tian ,  Alex Usenko

发明人： Sergey Potapenko ,  Balram Suman ,  Lili Tian ,  Alex Usenko

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/22

CPC分类号： C30B11/002 ,  C30B29/06 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： The invention relates to methods of making unsupported articles of semiconducting material using thermally active molds having an external surface temperature, Tsurface, and a core temperature, Tcore, whererin Tsurface>Tcore.

摘要翻译： 本发明涉及使用具有外表面温度Tsurface和核心温度Tcore，其中T表面> Tcore的热活性模具制造无支撑物品的半导体材料的方法。