公开(公告)号：US20160181511A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：US15057101

申请日：2016-02-29

申请人： HYUNGJOON KWON ,  SECHUNG OH ,  VLADIMIR URAZAEV ,  KEN TOKASHIKI ,  JONGCHUL PARK ,  Gwang-Hyun BAEK ,  Jaehun SEO ,  SANGMIN LEE

发明人： HYUNGJOON KWON ,  SECHUNG OH ,  VLADIMIR URAZAEV ,  KEN TOKASHIKI ,  JONGCHUL PARK ,  Gwang-Hyun BAEK ,  Jaehun SEO ,  SANGMIN LEE

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： Provided are semiconductor devices and methods of fabricating the same. The semiconductor device may include lower wires, upper wires crossing the lower wires, select elements provided at intersections between the lower and upper wires, and memory elements provided between the select elements and the upper wires. Each of the memory elements may include a lower electrode having a top width greater than a bottom width, and a data storage layer including a plurality of magnetic layers stacked on a top surface of the lower electrode and having a rounded edge.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件可以包括下部布线，穿过下部布线的上部布线，在下部布线和上部布线之间的交叉处提供的选择元件以及设置在选择元件和上部布线之间的存储元件。 每个存储元件可以包括具有大于底部宽度的顶部宽度的下部电极，以及包括堆叠在下部电极的顶表面上并且具有圆形边缘的多个磁性层的数据存储层。

公开(公告)号：US20140124881A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US14070471

申请日：2013-11-01

申请人： HYUNGJOON KWON ,  SECHUNG OH ,  VLADIMIR URAZAEV ,  KEN TOKASHIKI ,  JONGCHUL PARK ,  Gwang-Hyun BAEK ,  Jaehun SEO ,  SANGMIN LEE

发明人： HYUNGJOON KWON ,  SECHUNG OH ,  VLADIMIR URAZAEV ,  KEN TOKASHIKI ,  JONGCHUL PARK ,  Gwang-Hyun BAEK ,  Jaehun SEO ,  SANGMIN LEE

IPC分类号： H01L43/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： Provided are semiconductor devices and methods of fabricating the same. The semiconductor device may include lower wires, upper wires crossing the lower wires, select elements provided at intersections between the lower and upper wires, and memory elements provided between the select elements and the upper wires. Each of the memory elements may include a lower electrode having a top width greater than a bottom width, and a data storage layer including a plurality of magnetic layers stacked on a top surface of the lower electrode and having a rounded edge.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件可以包括下部布线，穿过下部布线的上部布线，在下部布线和上部布线之间的交叉处提供的选择元件以及设置在选择元件和上部布线之间的存储元件。 每个存储元件可以包括具有大于底部宽度的顶部宽度的下部电极，以及包括堆叠在下部电极的顶表面上并且具有圆形边缘的多个磁性层的数据存储层。

公开(公告)号：US20140021566A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13763464

申请日：2013-02-08

申请人： ChanJin Park ,  WOOJIN KIM ,  HYUNGJOON KWON ,  SOONOH PARK ,  JONGCHUL PARK ,  SECHUNG OH

发明人： ChanJin Park ,  WOOJIN KIM ,  HYUNGJOON KWON ,  SOONOH PARK ,  JONGCHUL PARK ,  SECHUNG OH

IPC分类号： H01L43/02

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Provided are a magnetic memory device and a method of fabricating the same. The device may include a magnetic tunnel junction including a lower magnetic structure, an upper magnetic structure, and a tunnel barrier interposed therebetween. The tunnel barrier may have a width greater than that of the lower magnetic structure.

摘要翻译： 提供一种磁存储器件及其制造方法。 该装置可以包括磁性隧道结，其包括下部磁性结构，上部磁性结构和插入其间的隧道屏障。 隧道势垒可以具有大于下部磁性结构的宽度的宽度。

公开(公告)号：US20170170387A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：US15339064

申请日：2016-10-31

申请人： KI WOONG KIM ,  JUHYUN KIM ,  YONG SUNG PARK ,  SECHUNG OH ,  JOONMYOUNG LEE ,  WOO CHANG LIM

发明人： KI WOONG KIM ,  JUHYUN KIM ,  YONG SUNG PARK ,  SECHUNG OH ,  JOONMYOUNG LEE ,  WOO CHANG LIM

IPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： G11C11/1657 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A magnetic memory device and a method of fabricating the same are provided. The method includes forming a first magnetic layer on a substrate, forming a tunnel barrier layer on the first magnetic layer, and forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer. The forming of the tunnel barrier layer includes forming a first metal oxide layer on the first magnetic layer, forming a first metal layer on the first metal oxide layer, forming a second metal oxide layer on the first metal layer, and performing a first thermal treatment process to oxidize at least a portion of the first metal layer.