公开(公告)号：USD500281S1

公开(公告)日：2004-12-28

申请号：US29204220

申请日：2004-04-27

申请人： Hiroyasu Aruga ,  Hisao Arai ,  Kei Kitadate ,  Takafumi Nakatani ,  Kengo Hayashi ,  Yukihiko Nakata ,  Yasushi Ando ,  Naoki Futatsudera ,  Shinichiro Taura ,  Yuugo Fukuhara ,  Kenji Inaba ,  Kazuhide Shinoda ,  Yuichi Shimbo

设计人： Hiroyasu Aruga ,  Hisao Arai ,  Kei Kitadate ,  Takafumi Nakatani ,  Kengo Hayashi ,  Yukihiko Nakata ,  Yasushi Ando ,  Naoki Futatsudera ,  Shinichiro Taura ,  Yuugo Fukuhara ,  Kenji Inaba ,  Kazuhide Shinoda ,  Yuichi Shimbo

公开(公告)号：USD500282S1

公开(公告)日：2004-12-28

申请号：US29204221

申请日：2004-04-27

申请人： Hiroyasu Aruga ,  Hisao Arai ,  Kei Kitadate ,  Takafumi Nakatani ,  Kengo Hayashi ,  Yukihiko Nakata ,  Yasushi Ando ,  Naoki Futatsudera ,  Shinichiro Taura ,  Yuugo Fukuhara ,  Kenji Inaba ,  Kazuhide Shinoda ,  Yuichi Shimbo

设计人： Hiroyasu Aruga ,  Hisao Arai ,  Kei Kitadate ,  Takafumi Nakatani ,  Kengo Hayashi ,  Yukihiko Nakata ,  Yasushi Ando ,  Naoki Futatsudera ,  Shinichiro Taura ,  Yuugo Fukuhara ,  Kenji Inaba ,  Kazuhide Shinoda ,  Yuichi Shimbo

公开(公告)号：US20070105402A1

公开(公告)日：2007-05-10

申请号：US11619508

申请日：2007-01-03

申请人： Masashi Goto ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

发明人： Masashi Goto ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Disclosed is a film-forming method, comprising supplying into a plasma processing chamber at least three kinds of gases including a silicon compound gas, an oxidizing gas, and a rare gas, the percentage of the partial pressure of the rare gas (Pr) based on the total pressure being not smaller than 85%, i.e., 85%≦Pr

摘要翻译： 公开了一种成膜方法，包括向等离子体处理室供给包括硅化合物气体，氧化气体和稀有气体的至少三种气体，稀土气体（Pr）基分压的百分比 总压不小于85％，即85％

公开(公告)号：US5796116A

公开(公告)日：1998-08-18

申请号：US506692

申请日：1995-07-25

申请人： Yukihiko Nakata ,  Masaki Fujihara ,  Masahiro Date ,  Takuya Matsuo ,  Michiteru Ayukawa ,  Takashi Itoga

发明人： Yukihiko Nakata ,  Masaki Fujihara ,  Masahiro Date ,  Takuya Matsuo ,  Michiteru Ayukawa ,  Takashi Itoga

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32055 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

摘要： A thin film transistor includes: a substrate; a gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed above the substrate; and an insulating film and a semiconductor film formed between the gate electrode, and the source electrode and the drain electrode, wherein the semiconductor film includes an i-type silicon film, and a portion or the semiconductor film within 50 nm from the insulating film has a microcrystalline structure having a conductivity of 5.times.10.sup.-10 S/cm or more.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括：基板; 形成在基板上的栅电极，源电极和漏电极; 以及形成在栅电极和源电极与漏电极之间的绝缘膜和半导体膜，其中半导体膜包括i型硅膜，并且距绝缘膜50nm内的部分或半导体膜具有 导电率为5×10 -10 S / cm以上的微晶结构。

公开(公告)号：US08136479B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US11081528

申请日：2005-03-17

申请人： Hideo Sugai ,  Tetsuya Ide ,  Atsushi Sasaki ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

发明人： Hideo Sugai ,  Tetsuya Ide ,  Atsushi Sasaki ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： C23C16/511 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

CPC分类号： H01J37/32192

摘要： A plasma treatment apparatus generates a plasma in a treatment vessel by an electromagnetic wave radiated from an electromagnetic wave radiation portion into the treatment vessel to perform plasma treatment by the plasma. At least a part of a wall constituting the treatment vessel includes at least a part of an electromagnetic wave transmission path which transmits the electromagnetic wave.

摘要翻译： 等离子体处理装置通过从电磁波辐射部分辐射到处理容器中的电磁波在处理容器中产生等离子体，以通过等离子体进行等离子体处理。 构成处理容器的壁的至少一部分包括透过电磁波的电磁波传输路径的至少一部分。

公开(公告)号：US07446060B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US11619508

申请日：2007-01-03

申请人： Masashi Goto ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

发明人： Masashi Goto ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L29/78696 ,  C23C16/401 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Disclosed is a film-forming method, comprising supplying into a plasma processing chamber at least three kinds of gases including a silicon compound gas, an oxidizing gas, and a rare gas, the percentage of the partial pressure of the rare gas (Pr) based on the total pressure being not smaller than 85%, i.e., 85%≦Pr

摘要翻译： 公开了一种成膜方法，包括向等离子体处理室供给包括硅化合物气体，氧化气体和稀有气体的至少三种气体，稀土气体（Pr）基分压的百分比 总压不小于85％，即85％

公开(公告)号：US20050257891A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10388849

申请日：2003-03-13

申请人： Masashi Goto ,  Yukihiko Nakata

发明人： Masashi Goto ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00 ,  H05H1/30 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

摘要： There is provided a plasma treatment apparatus capable of treating a square shaped substrate having a large area even in the case of using reactive plasma, the plasma treatment apparatus including a waveguide 1, a waveguide antenna 2 made up of slots provided on the H-surface of the waveguide 1, an electromagnetic wave radiation window 4 made of a dielectric, a dielectric space 10 sandwiched between the waveguide 2 and the electromagnetic wave radiation window 4, and generating plasma by using the electromagnetic wave radiated from the waveguide antenna 2 through the electromagnetic wave radiation window 4, wherein an uneven portion 11 is provided on the surface of the waveguide 1 opposite to the electromagnetic wave radiation window 4.

摘要翻译： 提供了即使在使用反应性等离子体的情况下也能够对具有大面积的方形基板进行处理的等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括波导1，波导天线2，其由设置在H面上的槽 波导管1由电介质构成的电磁波辐射窗4，夹在波导2和电磁波辐射窗4之间的电介质空间10，并通过电磁波使用从波导天线2辐射的电磁波产生等离子体 波长辐射窗4，其中在波导1的与电磁波辐射窗4相对的表面上设置有不平坦部分11。

公开(公告)号：US20050205016A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11081528

申请日：2005-03-17

申请人： Hideo Sugai ,  Tetsuya Ide ,  Atsushi Sasaki ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

发明人： Hideo Sugai ,  Tetsuya Ide ,  Atsushi Sasaki ,  Kazufumi Azuma ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32192

摘要： A plasma treatment apparatus generates a plasma in a treatment vessel by an electromagnetic wave radiated from an electromagnetic wave radiation portion into the treatment vessel to perform plasma treatment by the plasma. At least a part of a wall constituting the treatment vessel includes at least a part of an electromagnetic wave transmission path which transmits the electromagnetic wave.

摘要翻译： 等离子体处理装置通过从电磁波辐射部分辐射到处理容器中的电磁波在处理容器中产生等离子体，以通过等离子体进行等离子体处理。 构成处理容器的壁的至少一部分包括透过电磁波的电磁波传输路径的至少一部分。

公开(公告)号：US20050205015A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：US11081035

申请日：2005-03-16

申请人： Atsushi Sasaki ,  Kazufumi Azuma ,  Tetsuya Ide ,  Yukihiko Nakata

发明人： Atsushi Sasaki ,  Kazufumi Azuma ,  Tetsuya Ide ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  C23F1/00 ,  G02F1/136 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01J37/32192 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244

摘要： An insulating film is formed with a plasma film forming apparatus which includes a vacuum vessel with an electromagnetic wave incident face F, first gas injection holes made in the vacuum vessel, and second gas injection holes made in the vacuum vessel farther away from the electromagnetic wave incident face F than the first gas injection holes. For example, a first gas is introduced from a position whose distance from the electromagnetic wave incident face F is less than 10 mm into the vacuum vessel. A second gas including an organic silicon compound is introduced from a position whose distance from the electromagnetic wave incident face is 10 mm or more into the vacuum vessel.

摘要翻译： 绝缘膜由等离子体膜形成装置形成，该等离子体膜形成装置包括具有电磁波入射面F的真空容器，在该真空容器中形成的第一气体注入孔以及在远离电磁波的真空容器中制造的第二气体注入孔 入射面F比第一个气体注入孔。 例如，从距离电磁波入射面F的距离小于10mm的位置引入第一气体到真空容器中。 从与电磁波入射面的距离为10mm以上的位置向真空容器引入包含有机硅化合物的第二气体。

公开(公告)号：US06900083B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US09945063

申请日：2001-08-31

申请人： Apostolos Voutsas ,  Yukihiko Nakata

发明人： Apostolos Voutsas ,  Yukihiko Nakata

IPC分类号： G02F1/13 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L29/78606

摘要： The present invention concerns a method of forming multi-layers such as base-coat and active layers for TFTs. In accordance with the preferred embodiment of the present invention, a first layer is formed on a transparent substrate using a physical vapor deposition. And a second layer is sequentially formed using a physical vapor deposition on the first layer without breaking vacuum.The present invention simplifies the TFT fabrication while decreasing the water or hydrogen content within multilayers including a base-coat (BC) layer.

摘要翻译： 本发明涉及形成多层的方法，例如TFT的底涂层和有源层。 根据本发明的优选实施例，使用物理气相沉积在透明基板上形成第一层。 并且使用第一层上的物理气相沉积顺序地形成第二层，而不破坏真空。 本发明简化了TFT制造，同时降低了包括底涂层（BC）层在内的多层中的水或氢含量。