公开(公告)号：US07790584B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US12246594

申请日：2008-10-07

申请人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

摘要： A method of growing a semi-polar nitride single crystal thin film. The method includes forming a semi-polar nitride single crystal base layer on an m-plane hexagonal system single crystal substrate, forming a dielectric pattern layer on the semi-polar nitride single crystal base layer, and growing the semi-polar nitride single crystal thin film on the semi-polar nitride single crystal base layer having the dielectric pattern layer in a lateral direction. The growing of the semi-polar nitride single crystal thin film in a lateral direction includes primarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that part of a growth plane on the semi-polar nitride single crystal base layer has an a-plane, and secondarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that sidewalls of the primarily grown semi-polar nitride single crystal thin film are combined to have a (11 22) plane.

摘要翻译： 生长半极性氮化物单晶薄膜的方法。 该方法包括在m面六方晶系单晶衬底上形成半极化氮化物单晶基底层，在半极化氮化物单晶基底层上形成电介质图案层，并生长半极化氮化物单晶薄膜 在具有横向方向上具有电介质图案层的半极性氮化物单晶基底层上的膜。 半极性氮化物单晶薄膜在横向上的生长包括主要在横向上生长半极性氮化物单晶薄膜，使得半极性氮化物单晶基底层上的生长面的一部分具有 a平面，并且在横向上二次生长半极性氮化物单晶薄膜，使得主要生长的半极性氮化物单晶薄膜的侧壁被组合成具有（1122）面。

公开(公告)号：US20090298214A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12263873

申请日：2008-11-03

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： There is provided a method of growing a nitride single crystal. A method of growing a nitride single crystal according to an aspect of the invention may include: growing a first nitride single crystal layer on a substrate; forming a dielectric pattern having an open area on the first nitride single crystal layer, the open area exposing a part of an upper surface of the first nitride single crystal layer; and growing a second nitride single crystal layer on the first nitride single crystal layer through the open area while the second nitride single crystal layer grows to be equal to or larger than a height of the dielectric pattern, wherein the height of the dielectric pattern is greater than a width of the open area so that dislocations in the second nitride single crystal layer move laterally, collide with side walls of the dielectric pattern, and are terminated.

摘要翻译： 提供了生长氮化物单晶的方法。 根据本发明的一个方面的生长氮化物单晶的方法可以包括：在衬底上生长第一氮化物单晶层; 在所述第一氮化物单晶层上形成具有开放区域的电介质图案，所述开放区域露出所述第一氮化物单晶层的上表面的一部分; 以及通过所述开放区域在所述第一氮化物单晶层上生长第二氮化物单晶层，而所述第二氮化物单晶层生长至等于或大于所述电介质图案的高度，其中所述电介质图案的高度较大 比第二氮化物单晶层的位错横向移动，与介质图案的侧壁碰撞而终止。

公开(公告)号：US20090155947A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12246594

申请日：2008-10-07

申请人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Jeong Wook Lee ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

摘要： A method of growing a semi-polar nitride single crystal thin film. The method includes forming a semi-polar nitride single crystal base layer on an m-plane hexagonal system single crystal substrate, forming a dielectric pattern layer on the semi-polar nitride single crystal base layer, and growing the semi-polar nitride single crystal thin film on the semi-polar nitride single crystal base layer having the dielectric pattern layer in a lateral direction. The growing of the semi-polar nitride single crystal thin film in a lateral direction includes primarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that part of a growth plane on the semi-polar nitride single crystal base layer has an a-plane, and secondarily growing the semi-polar nitride single crystal thin film in the lateral direction such that sidewalls of the primarily grown semi-polar nitride single crystal thin film are combined to have a (11 22) plane.

摘要翻译： 生长半极性氮化物单晶薄膜的方法。 该方法包括在m面六方晶系单晶衬底上形成半极化氮化物单晶基底层，在半极化氮化物单晶基底层上形成电介质图案层，并生长半极化氮化物单晶薄膜 在具有横向方向上具有电介质图案层的半极性氮化物单晶基底层上的膜。 半极性氮化物单晶薄膜在横向上的生长包括主要在横向上生长半极性氮化物单晶薄膜，使得半极性氮化物单晶基底层上的生长面的一部分具有 a平面，并且在横向上二次生长半极性氮化物单晶薄膜，使得主要生长的半极性氮化物单晶薄膜的侧壁被组合成具有（11 22）飞机。

公开(公告)号：US08148178B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12263873

申请日：2008-11-03

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Jeong Wook Lee ,  Il Hyung Jung ,  Youn Joon Sung

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12

摘要： There is provided a method of growing a nitride single crystal. A method of growing a nitride single crystal according to an aspect of the invention may include: growing a first nitride single crystal layer on a substrate; forming a dielectric pattern having an open area on the first nitride single crystal layer, the open area exposing a part of an upper surface of the first nitride single crystal layer; and growing a second nitride single crystal layer on the first nitride single crystal layer through the open area while the second nitride single crystal layer grows to be equal to or larger than a height of the dielectric pattern, wherein the height of the dielectric pattern is greater than a width of the open area so that dislocations in the second nitride single crystal layer move laterally, collide with side walls of the dielectric pattern, and are terminated.

摘要翻译： 提供了生长氮化物单晶的方法。 根据本发明的一个方面的生长氮化物单晶的方法可以包括：在衬底上生长第一氮化物单晶层; 在所述第一氮化物单晶层上形成具有开放区域的电介质图案，所述开放区域露出所述第一氮化物单晶层的上表面的一部分; 以及通过所述开放区域在所述第一氮化物单晶层上生长第二氮化物单晶层，而所述第二氮化物单晶层生长至等于或大于所述电介质图案的高度，其中所述电介质图案的高度较大 比第二氮化物单晶层的位错横向移动，与介质图案的侧壁碰撞而终止。

公开(公告)号：US20090134410A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12275536

申请日：2008-11-21

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Tan Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： There is provided a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an aspect of the invention may include: nitriding a surface of an m-plane sapphire substrate; forming a high-temperature buffer layer on the m-plane sapphire substrate; depositing a semi-polar (11-22) plane nitride thin film on the high-temperature buffer layer; and forming a light emitting structure including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer on the semi-polar (11-22) plane nitride thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造氮化物半导体发光器件的方法可以包括：氮化m面蓝宝石衬底的表面; 在m面蓝宝石衬底上形成高温缓冲层; 在高温缓冲层上沉积半极（11-22）面氮化物薄膜; 以及在所述半极性（11-22）面氮化物薄膜上形成包括第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构。

公开(公告)号：US08253125B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12275536

申请日：2008-11-21

申请人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Ten Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

发明人： Ho Sun Paek ,  Sung Nam Lee ,  Ten Sakong ,  Youn Joon Sung ,  In Hoe Hur

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

摘要： There is provided a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting device according to an aspect of the invention may include: nitriding a surface of an m-plane sapphire substrate; forming a high-temperature buffer layer on the m-plane sapphire substrate; depositing a semi-polar (11-22) plane nitride thin film on the high-temperature buffer layer; and forming a light emitting structure including a first nitride semiconductor layer, an active layer, and a second nitride semiconductor layer on the semi-polar (11-22) plane nitride thin film.

摘要翻译： 提供了一种制造氮化物半导体发光器件的方法。 根据本发明的一个方面的制造氮化物半导体发光器件的方法可以包括：氮化m面蓝宝石衬底的表面; 在m面蓝宝石衬底上形成高温缓冲层; 在高温缓冲层上沉积半极（11-22）面氮化物薄膜; 以及在所述半极性（11-22）面氮化物薄膜上形成包括第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构。

公开(公告)号：US08163579B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12073293

申请日：2008-03-04

申请人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

发明人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor laser diode. The method includes the steps of: preparing a GaN substrate having an a-plane or m-plane GaN layer formed thereon; forming a plurality of laser diode structures on the GaN layer; etching the GaN substrate such that a cutting reference line is formed in a groove shape along the crystal surface of the a-plane or m-plane, not a main plane; and cutting the GaN substrate along the cutting reference line so as to form a mirror surface of the semiconductor laser diode, the mirror surface coinciding with the crystal surface of the a-plane or m-plane, not the main plane.

摘要翻译： 提供一种制造半导体激光二极管的方法。 该方法包括以下步骤：制备其上形成有a面或m面GaN层的GaN衬底; 在所述GaN层上形成多个激光二极管结构; 蚀刻GaN衬底，使得切割参考线沿着a面或m面的晶体表面而不是主平面形成为沟槽形状; 并且沿着切割参考线切割GaN衬底以形成半导体激光二极管的镜面，镜面与a面或m面的晶体表面重合，而不是主平面。

公开(公告)号：US20090155945A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12073293

申请日：2008-03-04

申请人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

发明人： Youn Joon Sung ,  Ho Sun Paek

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/0201 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202

摘要： Provided is a method of manufacturing a semiconductor laser diode. The method includes the steps of: preparing a GaN substrate having an a-plane or m-plane GaN layer formed thereon; forming a plurality of laser diode structures on the GaN layer; etching the GaN substrate such that a cutting reference line is formed in a groove shape along the crystal surface of the a-plane or m-plane, not a main plane; and cutting the GaN substrate along the cutting reference line so as to form a mirror surface of the semiconductor laser diode, the mirror surface coinciding with the crystal surface of the a-plane or m-plane, not the main plane.

摘要翻译： 提供一种制造半导体激光二极管的方法。 该方法包括以下步骤：制备其上形成有a面或m面GaN层的GaN衬底; 在所述GaN层上形成多个激光二极管结构; 蚀刻GaN衬底，使得切割参考线沿着a面或m面的晶体表面而不是主平面形成为沟槽形状; 并且沿着切割参考线切割GaN衬底以形成半导体激光二极管的镜面，镜面与a面或m面的晶体表面重合，而不是主平面。

公开(公告)号：US20090200565A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：US12251872

申请日：2008-10-15

申请人： Tan Sakong ,  Cheol Soo Sone ,  Ho Sun Paek ,  Suk Ho Yoon ,  Jeong Wook Lee

发明人： Tan Sakong ,  Cheol Soo Sone ,  Ho Sun Paek ,  Suk Ho Yoon ,  Jeong Wook Lee

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/06 ,  H01L33/34

摘要： There is provided a GaN-based semiconductor light emitting device including: a substrate; and an n-type GaN-based semiconductor layer, an active layer and a p-type GaN-based semiconductor layer sequentially deposited on the substrate, wherein the active layer includes: a first barrier layer including AlxInyGa1−x−yN, where 0

摘要翻译： 提供一种GaN基半导体发光器件，包括：衬底; 以及依次沉积在所述衬底上的n型GaN基半导体层，有源层和p型GaN基半导体层，其中所述有源层包括：包含Al x In y Ga 1-x-y N的第一势垒层， x <1,0

公开(公告)号：US08558268B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12343452

申请日：2008-12-23

申请人： Hyung Kun Kim ,  Ho Sun Paek ,  Suk Ho Jung ,  Jeong Wook Lee

发明人： Hyung Kun Kim ,  Ho Sun Paek ,  Suk Ho Jung ,  Jeong Wook Lee

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/504 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Provided is a light emitting diode (LED) package. The LED package includes a package main body, first and second electrode structures, first and second LED chips, and first and second resin packing parts. The package main body includes a concave portion and a barrier wall dividing the concave portion into at least first and second accommodation recesses. The first and second electrode structures are formed at the package main body and are exposed at bottom surfaces of the first and second accommodation recesses respectively. The first and second LED chips are electrically connected to the first and second electrode structures are respectively mounted on the bottom surfaces of the first and second accommodation recesses. The first and second resin packing parts include at least one fluorescent material and are formed in the first and second accommodation recesses for packing the first and second LED chips.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管（LED）封装。 LED封装包括封装主体，第一和第二电极结构，第一和第二LED芯片以及第一和第二树脂封装部件。 包装主体包括凹部和将凹部分成至少第一和第二容纳凹部的阻挡壁。 第一和第二电极结构形成在封装主体处，分别暴露在第一和第二容纳凹槽的底表面处。 第一和第二LED芯片电连接到第一和第二电极结构分别安装在第一和第二容纳凹部的底表面上。 第一和第二树脂包装部分包括至少一种荧光材料，并且形成在用于包装第一和第二LED芯片的第一和第二容纳凹部中。