公开(公告)号：US20080199978A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11707662

申请日：2007-02-16

申请人： Hsueh-Hung Fu ,  Chih-Wei Chang ,  Shih-Chang Chen ,  Chin-Piao Chang ,  Shing-Chyang Pan ,  Wei-Jung Lin ,  Tsung-Hsun Huang

发明人： Hsueh-Hung Fu ,  Chih-Wei Chang ,  Shih-Chang Chen ,  Chin-Piao Chang ,  Shing-Chyang Pan ,  Wei-Jung Lin ,  Tsung-Hsun Huang

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2831 ,  H01L22/12

摘要： A method of testing a wafer after a current top layer is formed over the wafer. Stress data is collected for the wafer after forming the current top layer. The stress data is derived from changes in wafer curvature. The stress data includes: stress-xx in an x direction and stress-yy in a y direction for each area of a set of finite areas on the wafer, the stress-xx and stress-yy both being derived from wafer-curvature-change-xx in the x direction for each area of the set of finite areas and from wafer-curvature-change-yy in the y direction for each area of the set of finite areas; and the stress-xy being derived from wafer-curvature-change-xy, wherein wafer-curvature-change-xy is a change in wafer twist in the x-y plane for each area of the set of finite areas. A stress gradient vector (and/or its norm) is calculated and used to evaluate the investigating single or multiple accumulated layer.

摘要翻译： 在晶片上形成当前顶层之后测试晶片的方法。 在形成当前顶层之后，为晶片收集应力数据。 应力数据来源于晶片曲率的变化。 应力数据包括：在x方向上的应力x x和在晶片上的一组有限区域的每个区域的ay方向上的应力yy，应力xx和应力yy都源自晶片曲率变化 - x x在x方向上对于有限区域集合中的每个区域以及从y方向的晶片曲率变化yy到该有限区域集合中的每个区域; 并且应力xy从晶片曲率变化xy得到，其中晶片曲率变化xy是在该有限区域的每个区域的x-y平面中的晶片扭转的变化。 应力梯度矢量（和/或其范数）被计算并用于评估调查单个或多个累积层。

公开(公告)号：US07805258B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11707662

申请日：2007-02-16

申请人： Hsueh-Hung Fu ,  Chih-Wei Chang ,  Shih-Chang Chen ,  Chin-Piao Chang ,  Shing-Chyang Pan ,  Wei-Jung Lin ,  Tsung-Hsun Huang

发明人： Hsueh-Hung Fu ,  Chih-Wei Chang ,  Shih-Chang Chen ,  Chin-Piao Chang ,  Shing-Chyang Pan ,  Wei-Jung Lin ,  Tsung-Hsun Huang

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/40

CPC分类号： G01R31/2831 ,  H01L22/12

摘要： A method of testing a wafer after a current top layer is formed over the wafer. Stress data is collected for the wafer after forming the current top layer. The stress data is derived from changes in wafer curvature. The stress data includes: stress-xx in an x direction and stress-yy in a y direction for each area of a set of finite areas on the wafer, the stress-xx and stress-yy both being derived from wafer-curvature-change-xx in the x direction for each area of the set of finite areas and from wafer-curvature-change-yy in the y direction for each area of the set of finite areas; and the stress-xy being derived from wafer-curvature-change-xy, wherein wafer-curvature-change-xy is a change in wafer twist in the x-y plane for each area of the set of finite areas. A stress gradient vector (and/or its norm) is calculated and used to evaluate the investigating single or multiple accumulated layer.

摘要翻译： 在晶片上形成当前顶层之后测试晶片的方法。 在形成当前顶层之后，为晶片收集应力数据。 应力数据来源于晶片曲率的变化。 应力数据包括：在x方向上的应力x x和在晶片上的一组有限区域的每个区域的ay方向上的应力yy，应力xx和应力yy都源自晶片曲率变化 - x x在x方向上对于有限区域集合中的每个区域以及从y方向的晶片曲率变化yy到该有限区域集合中的每个区域; 并且应力xy从晶片曲率变化xy得到，其中晶片曲率变化xy是在该有限区域的每个区域的x-y平面中的晶片扭转的变化。 应力梯度矢量（和/或其范数）被计算并用于评估调查单个或多个累积层。

公开(公告)号：US07180116B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10861148

申请日：2004-06-04

申请人： Min-Hsiung Chiang ,  Chih-Ta Wu ,  Tsung-Hsun Huang

发明人： Min-Hsiung Chiang ,  Chih-Ta Wu ,  Tsung-Hsun Huang

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a capacitor comprising the following steps. An inchoate capacitor is formed on a substrate within a capacitor area whereby portions of the substrate separate the inchoate capacitor from isolating shallow trench isolation (STI) structures. STIs. A first dielectric layer is formed over the structure. The first dielectric layer is patterned to: form a portion masking the inchoate capacitor; and expose at least portions of the STIs and the substrate portions separating the inchoate capacitor from the shallow trench isolation structures. Metal portions are formed at least over the substrate portions. A second dielectric layer is formed over the patterned first dielectric layer portion, the metal portions and the STIs, whereby the metal portions formed at least over the substrate portions prevent formation of native oxide on at least the substrate portions. The invention also includes the structures formed thereby.

摘要翻译： 一种形成电容器的方法，包括以下步骤。 在电容器区域中的衬底上形成初始电容器，由此衬底的一部分使得初始电容器与隔离浅沟槽隔离（STI）结构分离。 性传播感染 在结构上形成第一介电层。 将第一电介质层图案化为：形成遮蔽复合电容器的部分; 并且暴露STI和至少部分将初步电容器与浅沟槽隔离结构分开的衬底部分。 金属部分至少形成在衬底部分上。 在图案化的第一介电层部分，金属部分和STI上形成第二电介质层，由此至少在衬底部分上形成的金属部分防止在至少衬底部分上形成自然氧化物。 本发明还包括由此形成的结构。

公开(公告)号：US20060278959A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11149575

申请日：2005-06-10

申请人： Tsung-Hsun Huang ,  Kuo-Yin Lin ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Tsung-Hsun Huang ,  Kuo-Yin Lin ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76828

摘要： A method for reducing leakage current in a semiconductor structure is disclosed. One or more dielectric layers are formed on a semiconductor substrate, on which at least one device is constructed. A hydrogen-containing layer is formed over the dielectric layers. A silicon nitride passivation layer covers the dielectric layers and the hydrogen-containing layer. The hydrogen atoms of the hydrogen-containing layer are introduced into the dielectric layers without being blocked by the silicon nitride layer, thereby reducing leakage current therein.

摘要翻译： 公开了一种用于减小半导体结构中的漏电流的方法。 一个或多个电介质层形成在半导体衬底上，其上构造有至少一个器件。 在电介质层上形成含氢层。 氮化硅钝化层覆盖电介质层和含氢层。 含氢层的氢原子被引入到电介质层中而不被氮化硅层阻挡，从而减少其中的漏电流。

公开(公告)号：US07799654B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11291880

申请日：2005-12-01

申请人： Yuan-Chih Hsieh ,  Chung-Yi Yu ,  Tsung-Hsun Huang ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Yuan-Chih Hsieh ,  Chung-Yi Yu ,  Tsung-Hsun Huang ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L31/062 ,  H01L31/111 ,  H01L27/148 ,  H01L29/768

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14687

摘要： An image sensor device includes a semiconductor substrate and a plurality of pixels on the substrate. An etch-stop layer is formed over the pixels and has a thickness less than about 600 Angstroms. The image sensor device further includes an interlayer dielectric (ILD) overlying the etch stop layer. The etch-stop layer has a refractive index less than about 2 and an extinction coefficient less than about 0.1.

摘要翻译： 图像传感器装置包括半导体衬底和衬底上的多个像素。 在像素上方形成蚀刻停止层，其厚度小于约600埃。 图像传感器装置还包括覆盖在蚀刻停止层上的层间电介质（ILD）。 蚀刻停止层的折射率小于约2，消光系数小于约0.1。

公开(公告)号：US20070111438A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11622506

申请日：2007-01-12

申请人： Min-Hsiung Chiang ,  Chih-Ta Wu ,  Tsung-Hsun Huang

发明人： Min-Hsiung Chiang ,  Chih-Ta Wu ,  Tsung-Hsun Huang

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a capacitor comprising the following steps. An inchoate capacitor is formed on a substrate within a capacitor area whereby portions of the substrate separate the inchoate capacitor from isolating shallow trench isolation (STI) structures. STIs. A first dielectric layer is formed over the structure. The first dielectric layer is patterned to: form a portion masking the inchoate capacitor; and expose at least portions of the STIs and the substrate portions separating the inchoate capacitor from the shallow trench isolation structures. Metal portions are formed at least over the substrate portions. A second dielectric layer is formed over the patterned first dielectric layer portion, the metal portions and the STIs, whereby the metal portions formed at least over the substrate portions prevent formation of native oxide on at least the substrate portions. The invention also includes the structures formed thereby.

摘要翻译： 一种形成电容器的方法，包括以下步骤。 在电容器区域中的衬底上形成初始电容器，由此衬底的一部分使得初始电容器与隔离浅沟槽隔离（STI）结构分离。 性传播感染 在结构上形成第一介电层。 将第一电介质层图案化为：形成遮蔽复合电容器的部分; 并且暴露STI和至少部分将初步电容器与浅沟槽隔离结构分开的衬底部分。 金属部分至少形成在衬底部分上。 在图案化的第一介电层部分，金属部分和STI上形成第二电介质层，由此至少在衬底部分上形成的金属部分防止在至少衬底部分上形成自然氧化物。 本发明还包括由此形成的结构。

公开(公告)号：US20050215004A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10811657

申请日：2004-03-29

申请人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01G4/005 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A novel method for forming electrodes in the fabrication of an MIM (metal-insulator-metal) capacitor, is disclosed. The method improves MIM capacitor performance by preventing plasma-induced damage to a dielectric layer during deposition of a top electrode on the dielectric layer, as well as by reducing or preventing the formation of an interfacial layer between the dielectric layer and the electrode or electrodes, in fabrication of the MIM capacitor. The method typically includes the patterning of crown-type capacitor openings in a substrate; depositing a bottom electrode in each of the crown openings; subjecting the bottom electrode to a rapid thermal processing (RTP) or furnace anneal step; depositing a dielectric layer on the annealed bottom electrode; depositing a top electrode on the dielectric layer using a plasma-free CVD (chemical vapor deposition) or ALD (atomic layer deposition) process; and patterning the top electrode of each MIM capacitor.

摘要翻译： 公开了一种用于在MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器的制造中形成电极的新颖方法。 该方法通过在电介质层上的顶部电极沉积期间防止等离子体对电介质层的损伤，以及通过减少或防止介电层和电极或电极之间的界面层的形成来改善MIM电容器性能， 在MIM电容器的制造中。 该方法通常包括在衬底中图案化冠状电容器开口; 在每个冠状开口中沉积底部电极; 对底部电极进行快速热处理（RTP）或炉退火步骤; 在退火的底部电极上沉​​积介电层; 使用无等离子体CVD（化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）工艺在电介质层上沉积顶部电极; 并对每个MIM电容器的顶部电极进行构图。

公开(公告)号：US07786552B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11149575

申请日：2005-06-10

申请人： Tsung-Hsun Huang ,  Kuo-Yin Lin ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Tsung-Hsun Huang ,  Kuo-Yin Lin ,  Chung-Yi Yu ,  Chih-Ta Wu ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76828

摘要： A method for reducing leakage current in a semiconductor structure is disclosed. One or more dielectric layers are formed on a semiconductor substrate, on which at least one device is constructed. A hydrogen-containing layer is formed over the dielectric layers. A silicon nitride passivation layer covers the dielectric layers and the hydrogen-containing layer. The hydrogen atoms of the hydrogen-containing layer are introduced into the dielectric layers without being blocked by the silicon nitride layer, thereby reducing leakage current therein.

摘要翻译： 公开了一种用于减小半导体结构中的漏电流的方法。 一个或多个电介质层形成在半导体衬底上，其上构造有至少一个器件。 在电介质层上形成含氢层。 氮化硅钝化层覆盖电介质层和含氢层。 含氢层的氢原子被引入到电介质层中而不被氮化硅层阻挡，从而减少其中的漏电流。

公开(公告)号：US07199001B2

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：US10811657

申请日：2004-03-29

申请人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

发明人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A novel method for forming electrodes in the fabrication of an MIM (metal-insulator-metal) capacitor, is disclosed. The method improves MIM capacitor performance by preventing plasma-induced damage to a dielectric layer during deposition of a top electrode on the dielectric layer, as well as by reducing or preventing the formation of an interfacial layer between the dielectric layer and the electrode or electrodes, in fabrication of the MIM capacitor. The method typically includes the patterning of crown-type capacitor openings in a substrate; depositing a bottom electrode in each of the crown openings; subjecting the bottom electrode to a rapid thermal processing (RTP) or furnace anneal step; depositing a dielectric layer on the annealed bottom electrode; depositing a top electrode on the dielectric layer using a plasma-free CVD (chemical vapor deposition) or ALD (atomic layer deposition) process; and patterning the top electrode of each MIM capacitor.

摘要翻译： 公开了一种用于在MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器的制造中形成电极的新颖方法。 该方法通过在电介质层上的顶部电极沉积期间防止等离子体对电介质层的损伤，以及通过减少或防止介电层和电极或电极之间的界面层的形成来改善MIM电容器性能， 在MIM电容器的制造中。 该方法通常包括在衬底中图案化冠状电容器开口; 在每个冠状开口中沉积底部电极; 对底部电极进行快速热处理（RTP）或炉退火步骤; 在退火的底部电极上沉​​积介电层; 使用无等离子体CVD（化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）工艺在电介质层上沉积顶部电极; 并对每个MIM电容器的顶部电极进行构图。

公开(公告)号：US07622347B2

公开(公告)日：2009-11-24

申请号：US11622506

申请日：2007-01-12

申请人： Min-Hsiung Chiang ,  Chih-Ta Wu ,  Tsung-Hsun Huang

发明人： Min-Hsiung Chiang ,  Chih-Ta Wu ,  Tsung-Hsun Huang

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a capacitor comprising the following steps. An inchoate capacitor is formed on a substrate within a capacitor area whereby portions of the substrate separate the inchoate capacitor from isolating shallow trench isolation (STI) structures. STIs. A first dielectric layer is formed over the structure. The first dielectric layer is patterned to: form a portion masking the inchoate capacitor; and expose at least portions of the STIs and the substrate portions separating the inchoate capacitor from the shallow trench isolation structures. Metal portions are formed at least over the substrate portions. A second dielectric layer is formed over the patterned first dielectric layer portion, the metal portions and the STIs, whereby the metal portions formed at least over the substrate portions prevent formation of native oxide on at least the substrate portions. The invention also includes the structures formed thereby.

摘要翻译： 一种形成电容器的方法，包括以下步骤。 在电容器区域中的衬底上形成初始电容器，由此衬底的一部分使得初始电容器与隔离浅沟槽隔离（STI）结构分离。 性传播感染 在结构上形成第一介电层。 将第一电介质层图案化为：形成遮蔽复合电容器的部分; 并且暴露STI和至少部分将初步电容器与浅沟槽隔离结构分开的衬底部分。 金属部分至少形成在衬底部分上。 在图案化的第一介电层部分，金属部分和STI上形成第二电介质层，由此至少在衬底部分上形成的金属部分防止在至少衬底部分上形成自然氧化物。 本发明还包括由此形成的结构。