公开(公告)号：US09401433B1

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：US14982899

申请日：2015-12-29

申请人： INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： Shan-Haw Chiou ,  Tzu-Chi Chou ,  Wen-Hsuan Chao ,  Hsin-Ming Cheng ,  Mu-Tung Chang ,  Tien-Heng Huang ,  Ren-Fong Cai

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24

摘要： A p-type metal oxide semiconductor material is provided, which is composed of AlxGe(1-x)Oy, wherein 0

摘要翻译： 提供了由Al x Ge（1-x）O y组成的p型金属氧化物半导体材料，其中0

公开(公告)号：US09224599B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US14576401

申请日：2014-12-19

申请人： INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： Shan-Haw Chiou ,  Tzu-Chi Chou ,  Chiung-Hui Huang ,  Yu-Tzu Hsieh

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/22 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L21/02579 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/22 ,  H01L29/36

摘要： A P-type metal oxide semiconductor material is provided. The P-type metal oxide semiconductor material has a formula of In(1−3)Ga(1−b)Zn(1+a+b)O4, wherein 0≦a≦0.1, 0≦b≦0.1, and 0

摘要翻译： 提供了P型金属氧化物半导体材料。 P型金属氧化物半导体材料具有In（1-3）Ga（1-b）Zn（1 + a + b）O4的式，其中0＆nlE; a＆nlE; 0.1,0＆amp; nlE; b＆nlE; 0.1和0 < a + b＆nlE; 0.16。 特别是，P型金属氧化物半导体材料的空穴载流子浓度为1×10 11 cm -3〜5×10 18 cm -3。

公开(公告)号：US10566631B2

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：US15387961

申请日：2016-12-22

申请人： INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

发明人： Wen-Hsuan Chao ,  Chiung-Hui Huang ,  Ping-Hsing Yang ,  Shan-Haw Chiou ,  Keng-Yang Chen ,  Chien-Ming Lai ,  Li-Duan Tsai

IPC分类号： H01M4/92 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M8/083 ,  H01M8/08

摘要： An electrocatalyst is provided. The electrocatalyst includes Pd-containing metal nitride, wherein the metal is Co, Fe, Y, Lu, Sc, Ti, V, Cu, Ni, or a combination thereof. The molar ratio between the metal and Pd is greater than 0 and less than or equal to 0.8. A fuel cell utilizing the above electrocatalyst is further provided.

公开(公告)号：US08927986B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US14039188

申请日：2013-09-27

申请人： Industrial Technology Research Institute

发明人： Tzu-Chi Chou ,  Kuo-Chuang Chiu ,  Show-Ju Peng ,  Shan-Haw Chiou ,  Yu-Tsz Shie

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/12 ,  C01G9/02 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C04B35/453 ,  C04B35/624 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/449 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/26

摘要： The disclosure provides a p-type metal oxide semiconductor material. The p-type metal oxide semiconductor material has the following formula: In1−xGa1−yMx+yZnO4+m, wherein M is Ca, Mg, or Cu, 0

摘要翻译： 本公开提供了一种p型金属氧化物半导体材料。 p型金属氧化物半导体材料具有下式：In1-xGa1-yMx + yZnO4 + m，其中M是Ca，Mg或Cu，0