公开(公告)号：US09434652B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US14335560

申请日：2014-07-18

Applicant: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Inventor： Yu-Chun Chen ,  Pei-Hsin Yang ,  Chin-Ching Lin ,  Yi-Chen Chen ,  Hung-Chou Liao ,  Mei-Ching Chiang

IPC: C04B35/495 ,  G02B5/20

CPC classification number: C04B35/495 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/445 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/48 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62222 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/80 ,  G02B5/208 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/2982

Abstract: The disclosure provides an infrared absorption material, a method for fabricating the same, and a thermal isolation structure employing the same. The infrared absorption material includes a tungsten bronze complex having a formula of M1xM2yWOz, wherein 0.6≦x≦0.8, 0.2≦y≦0.33, 0.8≦x+y

Abstract translation: 本发明提供红外线吸收材料，其制造方法以及使用其的热隔离结构。 红外吸收材料包括具有式M1xM2yWOz的钨青铜络合物，其中0.6≤x≤0.8,0.2≤y≤0.33,0.8≤x+ y <1和2≤z≤3; M1是Li或Na; M2是K，Rb或Cs。 特别地，钨青铜复合体由立方钨青铜（CTB）和六角钨青铜（HTB）组成。

公开(公告)号：US20150055213A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：US14080799

申请日：2013-11-15

Applicant: Industrial Technology Research Institute

Inventor： Pei-Hsin Yang ,  Yu-Chun Chen ,  Yi-Chen Chen ,  Chin-Ching Lin ,  Mei-Ching Chiang ,  Hung-Chou Liao

IPC: G02B5/20

CPC classification number: G02B5/206 ,  G02B5/208 ,  G02B5/282 ,  G02B5/286

Abstract: Provided is a metal oxide multi-layered structure for infrared blocking, which includes a first metal oxide film, a second metal oxide film, a third metal oxide film, and a metal nanoparticle layer. The third metal oxide film is disposed between the first metal oxide film and the second metal oxide film. The metal nanoparticle layer is disposed between the second metal oxide film and the third metal oxide film.

Abstract translation: 提供了一种用于红外阻挡的金属氧化物多层结构，其包括第一金属氧化物膜，第二金属氧化物膜，第三金属氧化物膜和金属纳米颗粒层。 第三金属氧化物膜设置在第一金属氧化物膜和第二金属氧化物膜之间。 金属纳米颗粒层设置在第二金属氧化物膜和第三金属氧化物膜之间。

公开(公告)号：US08956871B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13713327

申请日：2012-12-13

Applicant: Industrial Technology Research Institute

Inventor： Pei-Ju Lin ,  Guilhem Tourniaire ,  Yi-Chen Chen ,  Kathryn Swindells ,  Bin-Ru She ,  Hsiang-Chun Hsu ,  Chih-Ching Liao ,  Su-Yo Lin

IPC: C12N5/00 ,  C12N5/0775 ,  C12N5/07 ,  C08F220/14 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F222/26 ,  C08F220/06

CPC classification number: C12N5/0031 ,  C08F220/06 ,  C08F220/14 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F222/26 ,  C12N5/0037 ,  C12N5/0068 ,  C12N2533/30

Abstract: The disclosure provides a cell culture system and a serum-free method for cultivating cells. The cell culture system includes a substratum, wherein the substratum has a surface. A polymer is disposed on the surface of the substratum, wherein the polymer is prepared by polymerizing a first monomer with a second monomer. The first monomer has a structure as represented by Formula (I), and the second monomer has a structure as represented by Formula (II): wherein, R1 is hydrogen or methyl; R2 is methyl, ethyl, or —CH2CH2OCH3; R3 is hydrogen or methyl; and, R4 is hydrogen, —CH2CH2OCOCHCHCOOH, —CH2CH2OCOCH2CH2COOH, or —CH2CH2COOH.

Abstract translation: 本公开提供了一种培养细胞的细胞培养系统和无血清方法。 细胞培养系统包括底物，其中底物具有表面。 聚合物设置在基底的表面上，其中聚合物通过使第一单体与第二单体聚合来制备。 第一单体具有由式（I）表示的结构，第二单体具有由式（II）表示的结构：其中，R 1为氢或甲基; R2是甲基，乙基或-CH2CH2OCH3; R3是氢或甲基; 和R 4是氢，-CH 2 CH 2 OCOCHCHCOOH，-CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2 COOH或-CH 2 CH 2 COOH。

公开(公告)号：US08906247B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13942162

申请日：2013-07-15

Applicant: Industrial Technology Research Institute

Inventor： Chin-Ching Lin ,  Yu-Chun Chen ,  En-Kuang Wang ,  Mei-Ching Chiang ,  Yi-Chen Chen

IPC: B44C1/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: B44C1/227 ,  C23C24/082 ,  C23C24/085 ,  H01L21/0272

Abstract: The present disclosure provides a patterning process for an oxide film, including: covering a barrier layer composition on a substrate to form a patterned barrier layer, wherein the barrier layer composition includes an inorganic component and an organic binder with a weight ratio of 50-98:2-50; forming an oxide film on the patterned barrier layer and the substrate, wherein a thickness ratio (D1/D2) of the barrier layer (D1) to the oxide film (D2) is about 5-2000; and lifting off the barrier layer and the oxide film thereon, while leaving portions of the oxide film on the substrate.

Abstract translation: 本公开提供了一种用于氧化物膜的图案化工艺，包括：在基板上覆盖阻挡层组合物以形成图案化阻挡层，其中阻挡层组合物包含无机组分和重量比为50-98的有机粘合剂 ：2-50; 在图案化的阻挡层和基板上形成氧化膜，其中阻挡层（D1）与氧化膜（D2）的厚度比（D1 / D2）约为5〜2000; 并且在其上放置阻挡层和氧化膜，同时将氧化膜的一部分留在基板上。