公开(公告)号：US20070034833A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11492717

申请日：2006-07-24

申请人： J. Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

发明人： J. Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

IPC分类号： C09K11/02

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02B1/11 ,  G02B3/0087 ,  G02B2207/101 ,  H01L33/502 ,  Y10S977/783

摘要： Matrixes doped with semiconductor nanocrystals are provided. In certain embodiments, the semiconductor nanocrystals have a size and composition such that they absorb or emit light at particular wavelengths. The nanocrystals can comprise ligands that allow for mixing with various matrix materials, including polymers, such that a minimal portion of light is scattered by the matrixes. The matrixes of the present invention can also be utilized in refractive index matching applications. In other embodiments, semiconductor nanocrystals are embedded within matrixes to form a nanocrystal density gradient, thereby creating an effective refractive index gradient. The matrixes of the present invention can also be used as filters and antireflective coatings on optical devices and as down-converting layers. Processes for producing matrixes comprising semiconductor nanocrystals are also provided. Nanostructures having high quantum efficiency, small size, and/or a narrow size distribution are also described, as are methods of producing indium phosphide nanostructures and core-shell nanostructures with Group II-VI shells.

摘要翻译： 提供掺杂半导体纳米晶体的矩阵。 在某些实施方案中，半导体纳米晶体具有使其吸收或发射特定波长的光的尺寸和组成。 纳米晶体可以包括允许与各种基质材料（包括聚合物）混合的配体，使得最小部分的光被基质散射。 本发明的基质也可用于折射率匹配应用。 在其它实施例中，将半导体纳米晶体嵌入在基质内以形成纳米晶体密度梯度，从而产生有效的折射率梯度。 本发明的基质也可以用作光学器件上的滤光片和抗反射涂层以及下变换层。 还提供了用于生产包含半导体纳米晶体的基质的方法。 还描述了具有高量子效率，小尺寸和/或窄尺寸分布的纳米结构，以及生产具有II-VI族壳的磷化铟纳米结构和核 - 壳纳米结构的方法。

公开(公告)号：US08592037B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13277361

申请日：2011-10-20

申请人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

发明人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

IPC分类号： B32B9/04

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02B1/11 ,  G02B3/0087 ,  G02B2207/101 ,  H01L33/502 ,  Y10S977/783

摘要： Compositions containing a nanostructure, preferably a nanocrystal, are provided. The nanostructures have ligands bound to the surface. Such ligands are preferably siloxane containing ligands having at least one —COON group, although ligands having various ═P═O groups are also contemplated. The nanostructures can be embedded into a polymer such as a silicone polymer.

摘要翻译： 提供了包含纳米结构，优选纳米晶体的组合物。 纳米结构具有与表面结合的配体。 这样的配体优选是具有至少一个-COON基团的含硅氧烷的配位体，尽管也考虑了具有各种= P = O基团的配位体。 纳米结构可以嵌入到聚合物如硅氧烷聚合物中。

公开(公告)号：US07645397B2

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：US11492717

申请日：2006-07-24

申请人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

发明人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

IPC分类号： C09K11/02

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02B1/11 ,  G02B3/0087 ,  G02B2207/101 ,  H01L33/502 ,  Y10S977/783

摘要： Matrixes doped with semiconductor nanocrystals are provided. In certain embodiments, the semiconductor nanocrystals have a size and composition such that they absorb or emit light at particular wavelengths. The nanocrystals can comprise ligands that allow for mixing with various matrix materials, including polymers, such that a minimal portion of light is scattered by the matrixes. The matrixes of the present invention can also be utilized in refractive index matching applications. In other embodiments, semiconductor nanocrystals are embedded within matrixes to form a nanocrystal density gradient, thereby creating an effective refractive index gradient. The matrixes of the present invention can also be used as filters and antireflective coatings on optical devices and as down-converting layers. Processes for producing matrixes comprising semiconductor nanocrystals are also provided. Nanostructures having high quantum efficiency, small size, and/or a narrow size distribution are also described, as are methods of producing indium phosphide nanostructures and core-shell nanostructures with Group II-VI shells.

摘要翻译： 提供掺杂半导体纳米晶体的矩阵。 在某些实施方案中，半导体纳米晶体具有使其吸收或发射特定波长的光的尺寸和组成。 纳米晶体可以包括允许与各种基质材料（包括聚合物）混合的配体，使得最小部分的光被基质散射。 本发明的基质也可用于折射率匹配应用。 在其它实施例中，将半导体纳米晶体嵌入在基质内以形成纳米晶体密度梯度，从而产生有效的折射率梯度。 本发明的基质也可以用作光学器件上的滤光片和抗反射涂层以及下变换层。 还提供了用于生产包含半导体纳米晶体的基质的方法。 还描述了具有高量子效率，小尺寸和/或窄尺寸分布的纳米结构，以及生产具有II-VI族壳的磷化铟纳米结构和核 - 壳纳米结构的方法。

公开(公告)号：US08425803B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12590619

申请日：2009-11-09

申请人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

发明人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02B1/11 ,  G02B3/0087 ,  G02B2207/101 ,  H01L33/502 ,  Y10S977/783

摘要： Matrixes doped with semiconductor nanocrystals are provided. In certain embodiments, the semiconductor nanocrystals have a size and composition such that they absorb or emit light at particular wavelengths. The nanocrystals can comprise ligands that allow for mixing with various matrix materials, including polymers, such that a minimal portion of light is scattered by the matrixes. The matrixes of the present invention can also be utilized in refractive index matching applications. In other embodiments, semiconductor nanocrystals are embedded within matrixes to form a nanocrystal density gradient, thereby creating an effective refractive index gradient. The matrixes of the present invention can also be used as filters and antireflective coatings on optical devices and as down-converting layers. Processes for producing matrixes comprising semiconductor nanocrystals are also provided. Nanostructures having high quantum efficiency, small size, and/or a narrow size distribution are also described, as are methods of producing indium phosphide nanostructures and core-shell nanostructures with Group II-VI shells.

摘要翻译： 提供掺杂半导体纳米晶体的矩阵。 在某些实施方案中，半导体纳米晶体具有使其吸收或发射特定波长的光的尺寸和组成。 纳米晶体可以包括允许与各种基质材料（包括聚合物）混合的配体，使得最小部分的光被基质散射。 本发明的基质也可用于折射率匹配应用。 在其它实施例中，将半导体纳米晶体嵌入在基质内以形成纳米晶体密度梯度，从而产生有效的折射率梯度。 本发明的基质也可以用作光学器件上的滤光片和抗反射涂层以及下变换层。 还提供了用于生产包含半导体纳米晶体的基质的方法。 还描述了具有高量子效率，小尺寸和/或窄尺寸分布的纳米结构，以及生产具有II-VI族壳的磷化铟纳米结构和核 - 壳纳米结构的方法。

公开(公告)号：US20120068118A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13277361

申请日：2011-10-20

申请人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

发明人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

IPC分类号： C09K11/02 ,  B32B5/16 ,  C07F19/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02B1/11 ,  G02B3/0087 ,  G02B2207/101 ,  H01L33/502 ,  Y10S977/783

摘要： Matrixes doped with semiconductor nanocrystals are provided. In certain embodiments, the semiconductor nanocrystals have a size and composition such that they absorb or emit light at particular wavelengths. The nanocrystals can comprise ligands that allow for mixing with various matrix materials, including polymers, such that a minimal portion of light is scattered by the matrixes. The matrixes can also be utilized in refractive index matching applications. In other embodiments, semiconductor nanocrystals are embedded within matrixes to form a nanocrystal density gradient, thereby creating an effective refractive index gradient. The matrixes can also be used as filters and antireflective coatings on optical devices and as down-converting layers. Processes for producing matrixes comprising semiconductor nanocrystals are also provided. Nanostructures having high quantum efficiency, small size, and/or a narrow size distribution are also described, as are methods of producing indium phosphide nanostructures and core-shell nanostructures with Group II-VI shells.

摘要翻译： 提供掺杂半导体纳米晶体的矩阵。 在某些实施方案中，半导体纳米晶体具有使其吸收或发射特定波长的光的尺寸和组成。 纳米晶体可以包括允许与各种基质材料（包括聚合物）混合的配体，使得最小部分的光被基质散射。 矩阵也可用于折射率匹配应用。 在其它实施例中，将半导体纳米晶体嵌入在基质内以形成纳米晶体密度梯度，从而产生有效的折射率梯度。 该基质也可用作光学器件上的滤光片和抗反射涂层以及下变换层。 还提供了用于生产包含半导体纳米晶体的基质的方法。 还描述了具有高量子效率，小尺寸和/或窄尺寸分布的纳米结构，以及生产具有II-VI族壳的磷化铟纳米结构和核 - 壳纳米结构的方法。

公开(公告)号：US20100140551A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12590619

申请日：2009-11-09

申请人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

发明人： J. Wallace Parce ,  Paul Bernatis ,  Robert Dubrow ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Shihai Kan ,  Andreas Meisel ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford ,  Jonathan Ziebarth

IPC分类号： C09K11/02

CPC分类号： C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/007 ,  C01G9/08 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/80 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C09K11/883 ,  G02B1/11 ,  G02B3/0087 ,  G02B2207/101 ,  H01L33/502 ,  Y10S977/783

摘要： Matrixes doped with semiconductor nanocrystals are provided. In certain embodiments, the semiconductor nanocrystals have a size and composition such that they absorb or emit light at particular wavelengths. The nanocrystals can comprise ligands that allow for mixing with various matrix materials, including polymers, such that a minimal portion of light is scattered by the matrixes. The matrixes of the present invention can also be utilized in refractive index matching applications. In other embodiments, semiconductor nanocrystals are embedded within matrixes to form a nanocrystal density gradient, thereby creating an effective refractive index gradient. The matrixes of the present invention can also be used as filters and antireflective coatings on optical devices and as down-converting layers. Processes for producing matrixes comprising semiconductor nanocrystals are also provided. Nanostructures having high quantum efficiency, small size, and/or a narrow size distribution are also described, as are methods of producing indium phosphide nanostructures and core-shell nanostructures with Group II-VI shells.

公开(公告)号：US07557028B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11178257

申请日：2005-07-08

申请人： Erik C. Scher ,  Mihai A. Buretea ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford

发明人： Erik C. Scher ,  Mihai A. Buretea ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： C01B25/087 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/54 ,  C01P2006/40 ,  C07F5/003 ,  C07F17/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/932

摘要： Methods for producing nanostructures, particularly Group III-V semiconductor nanostructures, are provided. The methods include use of novel Group III and/or Group V precursors, novel surfactants, oxide acceptors, high temperature, and/or stable co-products. Related compositions are also described. Methods and compositions for producing Group III inorganic compounds that can be used as precursors for nanostructure synthesis are provided. Methods for increasing the yield of nanostructures from a synthesis reaction by removal of a vaporous by-product are also described.

摘要翻译： 提供了生产纳米结构，特别是III-V族半导体纳米结构的方法。 该方法包括使用新的III族和/或V族前体，新的表面活性剂，氧化物受体，高温和/或稳定的共同产物。 还描述了相关组合物。 提供了可用作纳米结构合成前体的III族无机化合物的制备方法和组合物。 还描述了通过除去蒸气副产物从合成反应增加纳米结构的产率的方法。

公开(公告)号：US08062967B1

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12475772

申请日：2009-06-01

申请人： Erik C. Scher ,  Mihai A. Buretea ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford

发明人： Erik C. Scher ,  Mihai A. Buretea ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： C01B25/087 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/54 ,  C01P2006/40 ,  C07F5/003 ,  C07F17/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/932

摘要： Methods for producing nanostructures, particularly Group III-V semiconductor nanostructures, are provided. The methods include use of novel Group III and/or Group V precursors, novel surfactants, oxide acceptors, high temperature, and/or stable co-products. Related compositions are also described. Methods and compositions for producing Group III inorganic compounds that can be used as precursors for nanostructure synthesis are provided. Methods for increasing the yield of nanostructures from a synthesis reaction by removal of a vaporous by-product are also described.

摘要翻译： 提供了生产纳米结构，特别是III-V族半导体纳米结构的方法。 该方法包括使用新的III族和/或V族前体，新的表面活性剂，氧化物受体，高温和/或稳定的共同产物。 还描述了相关组合物。 提供了可用作纳米结构合成前体的III族无机化合物的制备方法和组合物。 还描述了通过除去蒸气副产物从合成反应增加纳米结构的产率的方法。

公开(公告)号：US08884273B1

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13268208

申请日：2011-10-07

申请人： Erik C. Scher ,  Mihai A. Buretea ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford

发明人： Erik C. Scher ,  Mihai A. Buretea ,  William P. Freeman ,  Joel Gamoras ,  Baixin Qian ,  Jeffery A. Whiteford

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： C01B25/087 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/54 ,  C01P2006/40 ,  C07F5/003 ,  C07F17/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/816 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/819 ,  Y10S977/932

摘要： Methods for producing nanostructures, particularly Group III-V semiconductor nanostructures, are provided. The methods include use of novel Group III and/or Group V precursors, novel surfactants, oxide acceptors, high temperature, and/or stable co-products. Related compositions are also described. Methods and compositions for producing Group III inorganic compounds that can be used as precursors for nanostructure synthesis are provided. Methods for increasing the yield of nanostructures from a synthesis reaction by removal of a vaporous by-product are also described.

摘要翻译： 提供了生产纳米结构，特别是III-V族半导体纳米结构的方法。 该方法包括使用新的III族和/或V族前体，新的表面活性剂，氧化物受体，高温和/或稳定的共同产物。 还描述了相关组合物。 提供了可用作纳米结构合成前体的III族无机化合物的制备方法和组合物。 还描述了通过除去蒸气副产物从合成反应增加纳米结构的产率的方法。

公开(公告)号：US07976646B1

公开(公告)日：2011-07-12

申请号：US11506769

申请日：2006-08-18

申请人： Srikanth Ranganathan ,  Paul Bernatis ,  Joel Gamoras ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

发明人： Srikanth Ranganathan ,  Paul Bernatis ,  Joel Gamoras ,  Chao Liu ,  J. Wallace Parce

IPC分类号： C22C5/04 ,  B32B15/02

CPC分类号： B22F9/24 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0025 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  Y10T428/12014

摘要： Methods for producing electronic grade metal nanostructures having low levels of contaminants are provided. Monolayer arrays, populations, and devices including such electronic grade nanostructures are described. In addition, novel methods and compositions for production of Group 10 metal nanostructures and for production of ruthenium nanostructures are provided, along with methods for recovering nanostructures from suspension.

摘要翻译： 提供了生产具有低污染水平的电子级金属纳米结构的方法。 描述了单层阵列，群体和包括这种电子级纳米结构的装置。 此外，提供了用于生产第10族金属纳米结构和生产钌纳米结构的新方法和组合物以及从悬浮液中回收纳米结构的方法。