公开(公告)号：US20120190155A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13440590

申请日：2012-04-05

申请人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

发明人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： A FET structure with a nanowire forming the FET channel, and doped source and drain regions formed by radial epitaxy from the nanowire body is disclosed. A top gated and a bottom gated nanowire FET structures are discussed. The source and drain fabrication can use either selective or non-selective epitaxy.

摘要翻译： 公开了具有形成FET沟道的纳米线的FET结构以及由纳米线体径向外延形成的掺杂源极和漏极区。 讨论了顶盖门控和底部门控纳米线FET结构。 源极和漏极制造可以使用选择性或非选择性外延。

公开(公告)号：US07999251B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11519176

申请日：2006-09-11

申请人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

发明人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： A FET structure with a nanowire forming the FET channel, and doped source and drain regions formed by radial epitaxy from the nanowire body is disclosed. A top gated and a bottom gated nanowire FET structures are discussed. The source and drain fabrication can use either selective or non-selective epitaxy.

摘要翻译： 公开了具有形成FET沟道的纳米线的FET结构以及由纳米线体径向外延形成的掺杂源极和漏极区。 讨论了顶盖门控和底部门控纳米线FET结构。 源极和漏极制造可以使用选择性或非选择性外延。

公开(公告)号：US20080061284A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11519176

申请日：2006-09-11

申请人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

发明人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： A FET structure with a nanowire forming the FET channel, and doped source and drain regions formed by radial epitaxy from the nanowire body is disclosed. A top gated and a bottom gated nanowire FET structures are discussed. The source and drain fabrication can use either selective or non-selective epitaxy.

摘要翻译： 公开了具有形成FET沟道的纳米线的FET结构以及由纳米线体径向外延形成的掺杂源极和漏极区。 讨论了顶盖门控和底部门控纳米线FET结构。 源极和漏极制造可以使用选择性或非选择性外延。

公开(公告)号：US08153494B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12541371

申请日：2009-08-14

申请人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

发明人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： A FET structure with a nanowire forming the FET channel, and doped source and drain regions formed by radial epitaxy from the nanowire body is disclosed. A top gated and a bottom gated nanowire FET structures are discussed. The source and drain fabrication can use either selective or non-selective epitaxy.

摘要翻译： 公开了具有形成FET沟道的纳米线的FET结构以及由纳米线体径向外延形成的掺杂源极和漏极区。 讨论了顶盖门控和底部门控纳米线FET结构。 源极和漏极制造可以使用选择性或非选择性外延。

公开(公告)号：US20090311835A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12541371

申请日：2009-08-14

申请人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

发明人： Jack O. Chu ,  Guy M. Cohen ,  John A. Ott ,  Michael J. Rooks ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： A FET structure with a nanowire forming the FET channel, and doped source and drain regions formed by radial epitaxy from the nanowire body is disclosed. A top gated and a bottom gated nanowire FET structures are discussed. The source and drain fabrication can use either selective or non-selective epitaxy.

摘要翻译： 公开了具有形成FET沟道的纳米线的FET结构以及由纳米线体径向外延形成的掺杂源极和漏极区。 讨论了顶盖门控和底部门控纳米线FET结构。 源极和漏极制造可以使用选择性或非选择性外延。

公开(公告)号：US07749905B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US12167686

申请日：2008-07-03

申请人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

发明人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

摘要： A vertical FET structure with nanowire forming the FET channels is disclosed. The nanowires are formed over a conductive silicide layer. The nanowires are gated by a surrounding gate. Top and bottom insulator plugs function as gate spacers and reduce the gate-source and gate-drain capacitance.

摘要翻译： 公开了一种具有形成FET沟道的纳米线的垂直FET结构。 纳米线形成在导电硅化物层上。 纳米线由周围的门浇口。 顶部和底部绝缘体插塞用作栅极间隔，并减少栅极 - 源极和栅极 - 漏极电容。

公开(公告)号：US07888742B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US11621871

申请日：2007-01-10

申请人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

发明人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648

摘要： A lateral double-gate FET structure with sub-lithographic source and drain regions is disclosed. The sub-lithographic source and drain regions are defined by a sacrificial spacer. Self-aligned metal-semiconductor alloy and metal contacts are made to the sub-lithographic source and drain using conventional silicon processing.

摘要翻译： 公开了具有亚光刻源极和漏极区域的横向双栅极FET结构。 亚光刻源极和漏极区域由牺牲隔离物限定。 使用常规的硅加工，使用非对准的金属 - 半导体合金和金属触点制成亚光刻源和漏极。

公开(公告)号：US08557665B2

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：US12611577

申请日：2009-11-03

申请人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

发明人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648

摘要： A lateral double-gate FET structure with sub-lithographic source and drain regions is disclosed. The sub-lithographic source and drain regions are defined by a sacrificial spacer. Self-aligned metal-semiconductor alloy and metal contacts are made to the sub-lithographic source and drain using conventional silicon processing.

摘要翻译： 公开了具有亚光刻源极和漏极区域的横向双栅极FET结构。 亚光刻源极和漏极区域由牺牲隔离物限定。 使用常规的硅加工，使用非对准的金属 - 半导体合金和金属触点制成亚光刻源和漏极。

公开(公告)号：US20100047984A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12611577

申请日：2009-11-03

申请人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

发明人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78648

摘要： A lateral double-gate FET structure with sub-lithographic source and drain regions is disclosed. The sub-lithographic source and drain regions are defined by a sacrificial spacer. Self-aligned metal-semiconductor alloy and metal contacts are made to the sub-lithographic source and drain using conventional silicon processing.

摘要翻译： 公开了具有亚光刻源极和漏极区域的横向双栅极FET结构。 亚光刻源极和漏极区域由牺牲隔离物限定。 使用常规的硅加工，使用非对准的金属 - 半导体合金和金属触点制成亚光刻源和漏极。

公开(公告)号：US07446025B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US11742180

申请日：2007-04-30

申请人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

发明人： Guy M. Cohen ,  Paul M. Solomon

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/938

摘要： A vertical FET structure with nanowire forming the FET channels is disclosed. The nanowires are formed over a conductive silicide layer. The nanowires are gated by a surrounding gate. Top and bottom insulator plugs function as gate spacers and reduce the gate-source and gate-drain capacitance.

摘要翻译： 公开了一种具有形成FET沟道的纳米线的垂直FET结构。 纳米线形成在导电硅化物层上。 纳米线由周围的门浇口。 顶部和底部绝缘体插塞用作栅极间隔，并减少栅极 - 源极和栅极 - 漏极电容。