公开(公告)号：US07465976B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11129520

申请日：2005-05-13

申请人： Jack T. Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Gilbert Dewey ,  Ben Jin ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Jack T. Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Gilbert Dewey ,  Ben Jin ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7391

摘要： The present invention relates to a Tunnel Field Effect Transistor (TFET). which utilizes angle implantation and amorphization to form asymmetric source and drain regions. The IFET further includes a silicon germanium alloy epitaxial source region with a conductivity opposite that of the drain.

摘要翻译： 隧道场效应晶体管技术领域本发明涉及隧道场效应晶体管（TFET）。 其利用角度注入和非晶化形成不对称的源极和漏极区域。 IFET还包括具有与漏极相反的导电性的硅锗合金外延源区。

公开(公告)号：US20080318385A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12229459

申请日：2008-08-22

申请人： Jack T. Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Gilbert Dewey ,  Been-Yih Jin ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Jack T. Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Gilbert Dewey ,  Been-Yih Jin ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7391

摘要： The present invention relates to a Tunnel Field Effect Transistor (TFET), which utilizes angle implantation and amorphization to form asymmetric source and drain regions. The TFET further comprises a silicon germanium alloy epitaxial source region with a conductivity opposite that of the drain.

摘要翻译： 隧道场效应晶体管技术领域本发明涉及一种隧道场效应晶体管（TFET），其利用角度注入和非晶化形成不对称的源极和漏极区域。 TFET还包括具有与漏极相反的导电性的硅锗合金外延源区域。

公开(公告)号：US07888221B2

公开(公告)日：2011-02-15

申请号：US12229459

申请日：2008-08-22

申请人： Jack T. Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Gilbert Dewey ,  Been-Yih Jin ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Jack T. Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Gilbert Dewey ,  Been-Yih Jin ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7391

摘要： The present invention relates to a Tunnel Field Effect Transistor (TFET), which utilizes angle implantation and amorphization to form asymmetric source and drain regions. The TFET further includes a silicon germanium alloy epitaxial source region with a conductivity opposite that of the drain.

摘要翻译： 隧道场效应晶体管技术领域本发明涉及一种隧道场效应晶体管（TFET），其利用角度注入和非晶化形成不对称的源极和漏极区域。 TFET还包括具有与漏极相反的导电性的硅锗合金外延源区。

公开(公告)号：US07989280B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12338839

申请日：2008-12-18

申请人： Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  James M. Blackwell ,  Matthew V. Metz ,  Jack T. Kavalieros ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  James M. Blackwell ,  Matthew V. Metz ,  Jack T. Kavalieros ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7784

摘要： A Group III-V Semiconductor device and method of fabrication is described. A high-k dielectric is interfaced to a confinement region by a chalcogenide region.

摘要翻译： 描述了III-V族半导体器件及其制造方法。 高k电介质通过硫族化物区域连接到约束区域。

公开(公告)号：US20090090976A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US12333248

申请日：2008-12-11

申请人： Jack T. Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Jack T. Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： A process capable of integrating both planar and non-planar transistors onto a bulk semiconductor substrate, wherein the channel of all transistors is definable over a continuous range of widths.

摘要翻译： 一种能够将平面和非平面晶体管集成到体半导体衬底上的工艺，其中所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围内定义。

公开(公告)号：US20140291615A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：US14302371

申请日：2014-06-11

申请人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/15 ,  H01L29/157 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783

摘要： A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.

摘要翻译： CMOS器件包括具有第一量子阱结构的PMOS晶体管和具有第二量子阱结构的NMOS器件。 PMOS和NMOS晶体管形成在衬底上。

公开(公告)号：US20120199813A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13450359

申请日：2012-04-18

申请人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/15 ,  H01L29/157 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783

摘要： A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.

摘要翻译： CMOS器件包括具有第一量子阱结构的PMOS晶体管和具有第二量子阱结构的NMOS器件。 PMOS和NMOS晶体管形成在衬底上。

公开(公告)号：US08802517B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13962890

申请日：2013-08-08

申请人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/15 ,  H01L29/157 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783

摘要： A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.

摘要翻译： CMOS器件包括具有第一量子阱结构的PMOS晶体管和具有第二量子阱结构的NMOS器件。 PMOS和NMOS晶体管形成在衬底上。

公开(公告)号：US20130328015A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13962890

申请日：2013-08-08

申请人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Mantu K. Hudait ,  Mark L. Doczy ,  Jack T. Kavalieros ,  Majumdar Amian ,  Justin K. Brask ,  Been-Yih Jin ,  Matthew V. Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/15 ,  H01L29/157 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783

摘要： A CMOS device includes a PMOS transistor with a first quantum well structure and an NMOS device with a second quantum well structure. The PMOS and NMOS transistors are formed on a substrate.

摘要翻译： CMOS器件包括具有第一量子阱结构的PMOS晶体管和具有第二量子阱结构的NMOS器件。 PMOS和NMOS晶体管形成在衬底上。

公开(公告)号：US07858481B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11154138

申请日：2005-06-15

申请人： Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Jack T. Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Jack T. Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.

摘要翻译： 描述了制造具有减薄沟道区的MOS晶体管的方法。 在去除虚拟栅极之后蚀刻沟道区。 源极和漏极区域具有相对较低的电阻。