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    Method of forming a gate insulating layer of a semiconductor device using deuterium gas
    1.
    发明申请
    Method of forming a gate insulating layer of a semiconductor device using deuterium gas 审中-公开
    使用氘气形成半导体器件的栅极绝缘层的方法

    公开(公告)号：US20060134925A1

    公开(公告)日：2006-06-22

    申请号：US11302892

    申请日：2005-12-13

    申请人： Jai-Dong Lee ,  Jung-Hwan Kim ,  Woong Lee ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Sang-Hun Lee

    发明人： Jai-Dong Lee ,  Jung-Hwan Kim ,  Woong Lee ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Sang-Hun Lee

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L21/28211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/51

    摘要： In an exemplary embodiment of the invention a method of forming a gate oxide layer of a semiconductor device uses deuterium gas. The method includes introducing a semiconductor substrate, and depositing an insulating layer on the semiconductor substrate by supplying an oxidation reaction gas and a deuterium gas to the semiconductor substrate. Thus, a high quality gate oxide layer can be formed and resistance to degradation from the hot carrier effect can be improved. Further, when the method is applied to a tunnel oxide layer process of a flash memory, problems such as an increasing dispersion of the threshold voltage can be mitigated.

    摘要翻译： 在本发明的示例性实施例中，形成半导体器件的栅极氧化物层的方法使用氘气。 该方法包括：通过向半导体衬底提供氧化反应气体和氘气，引入半导体衬底，并在半导体衬底上沉积绝缘层。 因此，可以形成高质量的栅极氧化物层，并且可以提高耐热载流子效应的降解性。 此外，当将该方法应用于闪速存储器的隧道氧化物层处理时，可以减轻诸如阈值电压的增加的色散的问题。

    Methods of forming void-free layers in openings of semiconductor substrates
    4.
    发明授权
    Methods of forming void-free layers in openings of semiconductor substrates 失效
    在半导体衬底的开口中形成无空隙层的方法

    公开(公告)号：US07902059B2

    公开(公告)日：2011-03-08

    申请号：US12608579

    申请日：2009-10-29

    申请人： Jung-Hwan Kim ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Jai-Dong Lee ,  Young-Seok Kim ,  Young-Sub You ,  Ki-Su Na ,  Woong Lee

    发明人： Jung-Hwan Kim ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Jai-Dong Lee ,  Young-Seok Kim ,  Young-Sub You ,  Ki-Su Na ,  Woong Lee

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115

    摘要： In a method of manufacturing a floating gate of a non-volatile semiconductor memory, a pattern is formed on a substrate to have an opening that exposes a portion of the substrate. A first preliminary polysilicon layer is formed on the pattern and the exposed portion of the substrate to substantially fill the opening. A first polysilicon layer is formed by partially etching the first preliminary polysilicon layer until a first void formed in the first preliminary polysilicon layer is exposed. A second polysilicon layer is formed on the first polysilicon layer.

    摘要翻译： 在制造非易失性半导体存储器的浮置栅极的方法中，在衬底上形成图案以具有露出衬底的一部分的开口。 在图案和基板的暴露部分上形成第一初步多晶硅层以基本上填充开口。 通过部分地蚀刻第一初步多晶硅层直到形成在第一初步多晶硅层中的第一空穴露出来形成第一多晶硅层。 在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。

    Methods of Forming Void-Free Layers in Openings of Semiconductor Substrates
    5.
    发明申请
    Methods of Forming Void-Free Layers in Openings of Semiconductor Substrates 失效
    在半导体衬底的开口中形成无空隙层的方法

    公开(公告)号：US20100048015A1

    公开(公告)日：2010-02-25

    申请号：US12608579

    申请日：2009-10-29

    申请人： Jung-Hwan Kim ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Jai-Dong Lee ,  Young-Seok Kim ,  Young-Sub You ,  Ki-Su Na ,  Woong Lee

    发明人： Jung-Hwan Kim ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Jai-Dong Lee ,  Young-Seok Kim ,  Young-Sub You ,  Ki-Su Na ,  Woong Lee

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115

    摘要： In a method of manufacturing a floating gate of a non-volatile semiconductor memory, a pattern is formed on a substrate to have an opening that exposes a portion of the substrate. A first preliminary polysilicon layer is formed on the pattern and the exposed portion of the substrate to substantially fill the opening. A first polysilicon layer is formed by partially etching the first preliminary polysilicon layer until a first void formed in the first preliminary polysilicon layer is exposed. A second polysilicon layer is formed on the first polysilicon layer.

    摘要翻译： 在制造非易失性半导体存储器的浮置栅极的方法中，在衬底上形成图案以具有露出衬底的一部分的开口。 在图案和基板的暴露部分上形成第一初步多晶硅层以基本上填充开口。 通过部分地蚀刻第一初步多晶硅层直到形成在第一初步多晶硅层中的第一空穴露出来形成第一多晶硅层。 在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。

    Method of forming a gate structure for a semiconductor device and method of forming a cell gate structure for a non-volatile memory device
    8.
    发明授权
    Method of forming a gate structure for a semiconductor device and method of forming a cell gate structure for a non-volatile memory device 有权
    形成用于半导体器件的栅极结构的方法和形成用于非易失性存储器件的单元栅极结构的方法

    公开(公告)号：US07736963B2

    公开(公告)日：2010-06-15

    申请号：US11175569

    申请日：2005-07-05

    申请人： Woong Lee ,  Young-Sub You ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Yong-Woo Hyung ,  Jai-Dong Lee ,  Ki-Su Na ,  Jung-Hwan Kim

    发明人： Woong Lee ,  Young-Sub You ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Yong-Woo Hyung ,  Jai-Dong Lee ,  Ki-Su Na ,  Jung-Hwan Kim

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/28247 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/4933

    摘要： In an embodiment, a method of forming a gate structure for a semiconductor device includes forming a preliminary gate structure on a semiconductor substrate. The preliminary gate structure includes a gate oxide pattern and a conductive pattern sequentially stacked on the substrate. Then, a re-oxidation process is performed to the substrate having the preliminary gate structure using an oxygen radical including at least one oxygen atom, so that an oxide layer is formed on a surface of the substrate and sidewalls of the preliminary gate structure to form the gate structure for a semiconductor device. The thickness of the gate oxide pattern is prevented from increasing, and the quality of the oxide layer is improved.

    摘要翻译： 在一个实施例中，形成用于半导体器件的栅极结构的方法包括在半导体衬底上形成初步栅极结构。 预栅极结构包括依次层叠在基板上的栅极氧化物图案和导电图案。 然后，使用包含至少一个氧原子的氧自由基对具有预选择门结构的基板进行再氧化处理，从而在基板的表面和预选择门结构的侧壁上形成氧化物层，形成 半导体器件的栅极结构。 防止栅极氧化物图案的厚度增加，并且提高氧化物层的质量。

    Methods of forming void-free layers in openings of semiconductor substrates
    9.
    发明授权
    Methods of forming void-free layers in openings of semiconductor substrates 有权
    在半导体衬底的开口中形成无空隙层的方法

    公开(公告)号：US07629217B2

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：US11107529

    申请日：2005-04-15

    申请人： Jung-Hwan Kim ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Jai-Dong Lee ,  Young-Seok Kim ,  Young-Sub You ,  Ki-Su Na ,  Woong Lee

    发明人： Jung-Hwan Kim ,  Hun-Hyeoung Leam ,  Jai-Dong Lee ,  Young-Seok Kim ,  Young-Sub You ,  Ki-Su Na ,  Woong Lee

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115

    摘要： In a method of manufacturing a floating gate of a non-volatile semiconductor memory, a pattern is formed on a substrate to have an opening that exposes a portion of the substrate. A first preliminary polysilicon layer is formed on the pattern and the exposed portion of the substrate to substantially fill the opening. A first polysilicon layer is formed by partially etching the first preliminary polysilicon layer until a first void formed in the first preliminary polysilicon layer is exposed. A second polysilicon layer is formed on the first polysilicon layer.

    摘要翻译： 在制造非易失性半导体存储器的浮置栅极的方法中，在衬底上形成图案以具有露出衬底的一部分的开口。 在图案和基板的暴露部分上形成第一初步多晶硅层以基本上填充开口。 通过部分地蚀刻第一初步多晶硅层直到形成在第一初步多晶硅层中的第一空穴露出来形成第一多晶硅层。 在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。