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    CLOSED LOOP MOCVD DEPOSITION CONTROL
    1.
    发明申请
    CLOSED LOOP MOCVD DEPOSITION CONTROL 审中-公开
    闭环MOCVD沉积控制

    公开(公告)号：US20110308453A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：US12812222

    申请日：2009-01-23

    申请人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  David Bour ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan ,  Ronald Stevens

    发明人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  David Bour ,  Jacob Grayson ,  Sandeep Nijhawan ,  Ronald Stevens

    IPC分类号： B05C11/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/303 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207

    摘要： A method and apparatus are provided for monitoring and controlling substrate processing parameters for a cluster tool that utilizes chemical vapor deposition and/or hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition. In one embodiment, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process is used to deposit a Group III-nitride film on a plurality of substrates within a processing chamber. A closed-loop control system performs in-situ monitoring of the Group III-nitride film growth rate and adjusts film growth parameters as required to maintain a target growth rate. In another embodiment, a closed-loop control system performs in-situ monitoring of film growth parameters for multiple processing chambers for one or more film deposition systems.

    摘要翻译： 提供了一种用于监测和控制利用化学气相沉积和/或氢化物气相外延（HVPE）沉积的簇工具的衬底处理参数的方法和装置。 在一个实施例中，使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺将III族氮化物膜沉积在处理室内的多个衬底上。 闭环控制系统对III族氮化物膜生长速率进行原位监测，并根据需要调整膜生长参数以维持目标生长速率。 在另一个实施例中，闭环控制系统执行用于一个或多个成膜系统的多个处理室的膜生长参数的原位监测。

    METHOD OF DECONTAMINATION OF PROCESS CHAMBER AFTER IN-SITU CHAMBER CLEAN
    2.
    发明申请
    METHOD OF DECONTAMINATION OF PROCESS CHAMBER AFTER IN-SITU CHAMBER CLEAN 审中-公开
    现场室清洁后过程室去除的方法

    公开(公告)号：US20110117728A1

    公开(公告)日：2011-05-19

    申请号：US12868899

    申请日：2010-08-26

    申请人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Jacob Grayson ,  Sang Won Kang ,  Dong Hyung Lee ,  Hua Chung

    发明人： Jie Su ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan ,  Olga Kryliouk ,  Jacob Grayson ,  Sang Won Kang ,  Dong Hyung Lee ,  Hua Chung

    IPC分类号： H01L21/20 ,  B08B9/00

    CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115

    摘要： A method and apparatus for removing deposition products from internal surfaces of a processing chamber, and for preventing or slowing growth of such deposition products. A halogen containing gas is provided to the chamber to etch away deposition products. A halogen scavenging gas is provided to the chamber to remove any residual halogen. The halogen scavenging gas is generally activated by exposure to electromagnetic energy, either inside the processing chamber by thermal energy, or in a remote chamber by electric field, UV, or microwave. A deposition precursor may be added to the halogen scavenging gas to form a deposition resistant film on the internal surfaces of the chamber. Additionally, or alternately, a deposition resistant film may be formed by sputtering a deposition resistant metal onto internal components of the processing chamber in a PVD process.

    摘要翻译： 一种用于从处理室的内表面去除沉积产物并用于防止或减缓这种沉积产物的生长的方法和装置。 将含卤素气体提供到室以蚀刻掉沉积产物。 将卤素清除气体提供到室以除去任何残留的卤素。 卤素清除气体通常通过暴露于电磁能（通过热能在处理室内）或通过电场，UV或微波在远程室中而被激活。 可以将沉积前体添加到卤素清除气体中，以在室的内表面上形成耐沉积膜。 另外，或者也可以通过在PVD工艺中将耐沉积金属溅射到处理室的内部部件上来形成耐沉积膜。

    CVD APPARATUS
    3.
    发明申请
    CVD APPARATUS 审中-公开
    CVD装置

    公开(公告)号：US20110121503A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12850738

    申请日：2010-08-05

    申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    IPC分类号： B23Q3/00

    CPC分类号： H01L21/67115 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。

    CROSS FLOW APPARATUS AND METHOD FOR HYDRIDE VAPOR PHASE DEPOSITION
    6.
    发明申请
    CROSS FLOW APPARATUS AND METHOD FOR HYDRIDE VAPOR PHASE DEPOSITION 审中-公开
    交叉流动装置和液体蒸气相沉积方法

    公开(公告)号：US20080276860A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US11747133

    申请日：2007-05-10

    申请人： BRIAN H. BURROWS ,  Jacob Grayson ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington

    发明人： BRIAN H. BURROWS ,  Jacob Grayson ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Kenric T. Choi ,  Sumedh Acharya ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington

    IPC分类号： C30B23/02 ,  C23C16/34

    CPC分类号： C23C16/481 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4488 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00

    摘要： A method and apparatus for hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition is disclosed. In the HVPE process, a hydride gas flows over a metal source to react with the metal source, which then reacts at the surface of a substrate to deposit a metal nitride layer. The metal source comprises gallium, aluminum, and/or indium. The hydride gas is evenly provided over the metal source to increase efficiency of hydride-metal source reaction. An exhaust positioned diametrically across the chamber from the metal source creates a cross flow of the hydride-metal source product and nitrogen precursor across the chamber tangential to the substrate. A purge gas flowing perpendicular to the cross flow directs the hydride-metal source product and nitrogen precursor to remain as close to the substrate as possible.

    摘要翻译： 公开了一种用于氢化物气相外延（HVPE）沉积的方法和装置。 在HVPE工艺中，氢化物气体流过金属源以与金属源反应，金属源然后在衬底的表面反应以沉积金属氮化物层。 金属源包括镓，铝和/或铟。 氢化物气体均匀地设置在金属源上，以提高氢化物 - 金属源反应的效率。 从金属源沿直径方向跨过腔室排出的排气物产生与衬底相切的跨过腔室的氢化物 - 金属源产物和氮前体的交叉流。 垂直于交叉流动流动的净化气体引导氢化物 - 金属源产物和氮前体尽可能靠近基底。

    CVD APPARATUS
    8.
    发明申请
    CVD APPARATUS 审中-公开
    CVD装置

    公开(公告)号：US20090194024A1

    公开(公告)日：2009-08-06

    申请号：US12023520

    申请日：2008-01-31

    申请人： Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    发明人： Brian H. Burrows ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Joshua J. Podesta ,  Sandeep Nijhawan ,  Lori D. Washington ,  Alexander Tam ,  Sumedh Acharya

    IPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/46

    CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for chemical vapor deposition (CVD) on a substrate, and, in particular, to a process chamber and components for use in metal organic chemical vapor deposition. The apparatus comprises a chamber body defining a process volume. A showerhead in a first plane defines a top portion of the process volume. A carrier plate extends across the process volume in a second plane forming an upper process volume between the showerhead and the susceptor plate. A transparent material in a third plane defines a bottom portion of the process volume forming a lower process volume between the carrier plate and the transparent material. A plurality of lamps forms one or more zones located below the transparent material. The apparatus provides uniform precursor flow and mixing while maintaining a uniform temperature over larger substrates thus yielding a corresponding increase in throughput.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于基板上的化学气相沉积（CVD）的方法和装置，特别涉及用于金属有机化学气相沉积中的处理室和组件。 该装置包括限定处理量的室主体。 第一平面中的喷头定义了处理量的顶部。 载体板在第二平面中延伸过程体积，形成在喷头和基座板之间的上过程体积。 在第三平面中的透明材料限定了处理体积的底部，其在承载板和透明材料之间形成较低的处理体积。 多个灯形成位于透明材料下方的一个或多个区域。 该装置提供均匀的前体流动和混合，同时在较大的底物上保持均匀的温度，从而产生相应的生产量的增加。

    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING A GROUP III-V FILM USING A HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY PROCESS
    9.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR DEPOSITING A GROUP III-V FILM USING A HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY PROCESS 审中-公开
    使用氢化物​​蒸气相外延过程沉积III-V族薄膜的方法和装置

    公开(公告)号：US20080289575A1

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：US11753376

    申请日：2007-05-24

    申请人： Brian H. Burrows ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan

    发明人： Brian H. Burrows ,  Nyi O. Myo ,  Ronald Stevens ,  Jacob Grayson ,  Lori D. Washington ,  Sandeep Nijhawan

    IPC分类号： C23C16/08

    CPC分类号： C30B29/403 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14

    摘要： An improved method and apparatus for depositing a Group III-V for a hydride vapor phase epitaxy (HVPE) process are provided. In one embodiment, an apparatus for a hydride vapor phase epitaxy process may include an elongated body having a trough defined between a first and a second wall, a channel formed in the first wall configured to provide a gas to the trough, and an inlet port formed in the body coupled to the channel. In another embodiment, a method for a hydride vapor phase epitaxy process may include providing Group III metal liquid precursor in a container disposed in a chamber, flowing a halogen containing gas across the container to form a Group III metal halide vapor to a reacting zone in the chamber, and mixing the Group III metal halide vapor with a Group V gas supplied in the chamber in the reacting zone.

    摘要翻译： 提供了用于沉积氢化物气相外延（HVPE）工艺的III-V族的改进方法和装置。 在一个实施例中，用于氢化物气相外延工艺的装置可以包括细长体，其具有限定在第一和第二壁之间的槽，在第一壁中形成的通道，其被配置成向槽提供气体，以及入口 形成在与身体相连的通道上。 在另一个实施方案中，氢化物气相外延法的方法可以包括在设置在室中的容器中提供III族金属液体前体，使含卤素气体流过容器以形成第III族金属卤化物蒸汽至反应区 并且将III族金属卤化物蒸气与在反应区中的室中供应的V族气体混合。