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    Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system
    1.
    发明申请
    Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system 有权
    在等离子体处理系统中优化衬底蚀刻的方法

    公开(公告)号：US20050205519A1

    公开(公告)日：2005-09-22

    申请号：US10804430

    申请日：2004-03-19

    申请人： Jisoo Kim ,  Binet Worsham ,  Bi-Ming Yen ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Jisoo Kim ,  Binet Worsham ,  Bi-Ming Yen ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

    摘要： A method of etching a substrate in a plasma processing system is disclosed. The substrate has a semi-conductor layer, a first barrier layer disposed above the semi-conductor layer, a low-k layer disposed above the first barrier layer, a third hard mask layer disposed above the low-k layer; a second hard mask layer disposed above the third hard mask layer, and a first hard mask layer disposed above the second hard mask layer. The method includes alternatively etching the substrate with a first etchant and a second etchant, wherein the first etchant has a low selectivity to a first hard mask material of the first hard mask layer, a third hard mask material of the a third hard mask layer, and a first barrier layer material of the first barrier layer, but a high selectivity to a second hard mask material of the second hard mask layer; and wherein the second etchant has a high selectivity to the first hard mask material of the first hard mask layer, the third hard mask material of the third hard mask layer, and the first barrier layer material of the first barrier layer, and the first etchant has a low selectivity to the second hard mask material of the second hard mask layer.

    摘要翻译： 公开了一种在等离子体处理系统中蚀刻衬底的方法。 衬底具有半导体层，设置在半导体层上方的第一势垒层，设置在第一阻挡层上方的低k层，设置在低k层上方的第三硬掩模层; 设置在第三硬掩模层之上的第二硬掩模层，以及设置在第二硬掩模层上方的第一硬掩模层。 所述方法包括用第一蚀刻剂和第二蚀刻剂替代地蚀刻所述衬底，其中所述第一蚀刻剂对所述第一硬掩模层的第一硬掩模材料具有低选择性，所述第三硬掩模层的第三硬掩模材料， 和第一阻挡层的第一阻挡层材料，但对第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有高选择性; 并且其中第二蚀刻剂对第一硬掩模层的第一硬掩模材料，第三硬掩模层的第三硬掩模材料和第一阻挡层的第一阻挡层材料和第一蚀刻剂具有高选择性 对第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有低选择性。

    Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system
    2.
    发明授权
    Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system 有权
    在等离子体处理系统中优化衬底蚀刻的方法

    公开(公告)号：US07078350B2

    公开(公告)日：2006-07-18

    申请号：US10804430

    申请日：2004-03-19

    申请人： Jisoo Kim ,  Binet Worsham ,  Bi-Ming Yen ,  Peter K. Loewenhardt

    发明人： Jisoo Kim ,  Binet Worsham ,  Bi-Ming Yen ,  Peter K. Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

    摘要： A method of etching a substrate in a plasma processing system is disclosed. The substrate has a semi-conductor layer, a first barrier layer disposed above the semi-conductor layer, a low-k layer disposed above the first barrier layer, a third hard mask layer disposed above the low-k layer; a second hard mask layer disposed above the third hard mask layer, and a first hard mask layer disposed above the second hard mask layer. The method includes alternatively etching the substrate with a first etchant and a second etchant, wherein the first etchant has a low selectivity to a first hard mask material of the first hard mask layer, a third hard mask material of the a third hard mask layer, and a first barrier layer material of the first barrier layer, but a high selectivity to a second hard mask material of the second hard mask layer; and wherein the second etchant has a high selectivity to the first hard mask material of the first hard mask layer, the third hard mask material of the third hard mask layer, and the first barrier layer material of the first barrier layer, and the second etchant has a low selectivity to the second hard mask material of the second hard mask layer.

    摘要翻译： 公开了一种在等离子体处理系统中蚀刻衬底的方法。 衬底具有半导体层，设置在半导体层上方的第一势垒层，设置在第一阻挡层上方的低k层，设置在低k层上方的第三硬掩模层; 设置在第三硬掩模层之上的第二硬掩模层，以及设置在第二硬掩模层上方的第一硬掩模层。 所述方法包括用第一蚀刻剂和第二蚀刻剂替代地蚀刻所述衬底，其中所述第一蚀刻剂对所述第一硬掩模层的第一硬掩模材料具有低选择性，所述第三硬掩模层的第三硬掩模材料， 和第一阻挡层的第一阻挡层材料，但对第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有高选择性; 并且其中第二蚀刻剂对第一硬掩模层的第一硬掩模材料，第三硬掩模层的第三硬掩模材料和第一阻挡层的第一阻挡层材料和第二蚀刻剂具有高选择性 对第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有低选择性。

    UNIFORM ETCH SYSTEM
    4.
    发明申请
    UNIFORM ETCH SYSTEM 有权
    均匀蚀刻系统

    公开(公告)号：US20080210377A1

    公开(公告)日：2008-09-04

    申请号：US12055212

    申请日：2008-03-25

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： C23F1/08

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    Uniform etch system
    5.
    发明授权
    Uniform etch system 有权
    均匀刻蚀系统

    公开(公告)号：US07371332B2

    公开(公告)日：2008-05-13

    申请号：US10642083

    申请日：2003-08-14

    申请人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Dean J. Larson ,  Babak Kadkhodayan ,  Di Wu ,  Kenji Takeshita ,  Bi-Ming Yen ,  Xingcai Su ,  William M. Denty, Jr. ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/67017

    摘要： Etching a layer over a substrate is provided. The substrate is placed in a plasma processing chamber. A first gas is provided to an inner zone within the plasma processing chamber. A second gas is provided to the outer zone within the plasma processing chamber, where the outer zone surrounds the inner zone and the first gas is different than the second gas. Plasmas are simultaneously generated from the first gas and second gas. The layer is etched, where the layer is etched by the plasmas from the first gas and second gas.

    摘要翻译： 提供了在衬底上蚀刻一层。 将基板放置在等离子体处理室中。 第一气体被提供到等离子体处理室内的内部区域。 第二气体被提供到等离子体处理室内的外部区域，其中外部区域围绕内部区域并且第一气体不同于第二气体。 从第一气体和第二气体同时产生等离子体。 蚀刻该层，其中该层被来自第一气体和第二气体的等离子体蚀刻。

    Waferless automatic cleaning after barrier removal
    8.
    发明授权
    Waferless automatic cleaning after barrier removal 有权
    无障碍自动清洗后屏障去除

    公开(公告)号：US07211518B2

    公开(公告)日：2007-05-01

    申请号：US10828065

    申请日：2004-04-19

    申请人： Xiaoqiang Sean Yao ,  Bi-Ming Yen ,  Taejoon Han ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Xiaoqiang Sean Yao ,  Bi-Ming Yen ,  Taejoon Han ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/465

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  Y10S438/905

    摘要： A method for forming features in dielectric layers and opening barrier layers for a plurality of wafers and cleaning an etch chamber after processing and removing each wafer of the plurality of wafers is provided. A wafer of the plurality of wafers is placed into the etch chamber wherein the wafer has a barrier layer over the wafer and a dielectric layer over the barrier layer. The dielectric layer is etched. The barrier layer is opened. The wafer is removed from the etch chamber. A waferless automatic cleaning of the etch chamber without the wafer is provided. The waferless automatic cleaning comprises providing a waferless automatic cleaning gas comprising oxygen and nitrogen to the etch chamber and forming a waferless automatic cleaning plasma from the waferless automatic cleaning gas to clean the etch chamber.

    摘要翻译： 提供了一种用于在电介质层中形成特征的方法和用于多个晶片的开口阻挡层并且在处理和去除多个晶片中的每个晶片之后清洁蚀刻室。 将多个晶片的晶片放置在蚀刻室中，其中晶片在晶片上方具有阻挡层，并且在阻挡层上方具有介电层。 蚀刻介电层。 阻隔层打开。 从蚀刻室移除晶片。 提供了没有晶片的蚀刻室的无晶圆自动清洗。 无晶圆自动清洁包括向蚀刻室提供包括氧和氮的无晶圆自动清洁气体，并从无晶圆自动清洁气体形成无晶圆的自动清洗等离子体，以清洁蚀刻室。

    Waferless automatic cleaning after barrier removal
    9.
    发明申请
    Waferless automatic cleaning after barrier removal 有权
    无障碍自动清洗后屏障去除

    公开(公告)号：US20050233590A1

    公开(公告)日：2005-10-20

    申请号：US10828065

    申请日：2004-04-19

    申请人： Xiaoqiang Yao ,  Bi-Ming Yen ,  Taejoon Han ,  Peter Loewenhardt

    发明人： Xiaoqiang Yao ,  Bi-Ming Yen ,  Taejoon Han ,  Peter Loewenhardt

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/465 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116 ,  Y10S438/905

    摘要： A method for forming features in dielectric layers and opening barrier layers for a plurality of wafers and cleaning an etch chamber after processing and removing each wafer of the plurality of wafers is provided. A wafer of the plurality of wafers is placed into the etch chamber wherein the wafer has a barrier layer over the wafer and a dielectric layer over the barrier layer. The dielectric layer is etched. The barrier layer is opened. The wafer is removed from the etch chamber. A waferless automatic cleaning of the etch chamber without the wafer is provided. The waferless automatic cleaning comprises providing a waferless automatic cleaning gas comprising oxygen and nitrogen to the etch chamber and forming a waferless automatic cleaning plasma from the waferless automatic cleaning gas to clean the etch chamber.

    摘要翻译： 提供了一种用于在电介质层中形成特征的方法和用于多个晶片的开口阻挡层并且在处理和去除多个晶片中的每个晶片之后清洁蚀刻室。 将多个晶片的晶片放置在蚀刻室中，其中晶片在晶片上方具有阻挡层，并且在阻挡层上方具有介电层。 蚀刻介电层。 阻隔层打开。 从蚀刻室移除晶片。 提供了没有晶片的蚀刻室的无晶圆自动清洗。 无晶圆自动清洁包括向蚀刻室提供包括氧和氮的无晶圆自动清洁气体，并从无晶圆自动清洁气体形成无晶圆的自动清洗等离子体，以清洁蚀刻室。