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    Antireflective Hardmask and Uses Thereof
    5.
    发明申请
    Antireflective Hardmask and Uses Thereof 有权
    防反射硬掩模及其用途

    公开(公告)号：US20070105363A1

    公开(公告)日：2007-05-10

    申请号：US11614799

    申请日：2006-12-21

    申请人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

    发明人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan Mahorowala ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

    摘要： Antireflective hardmask compositions and techniques for the use of antireflective hardmask compositions for processing of semiconductor devices are provided. In one aspect of the invention, an antireflective hardmask layer for lithography is provided. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component. In another aspect of the invention, a method for processing a semiconductor device is provided. The method comprises the steps of: providing a material layer on a substrate; forming an antireflective hardmask layer over the material layer. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component.

    摘要翻译： 提供了用于半导体器件加工的抗反射硬掩模组​​合物的抗反射硬掩模组​​合物和技术。 在本发明的一个方面，提供了用于光刻的抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。 在本发明的另一方面，提供一种用于处理半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上提供材料层; 在材料层上形成抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。

    photoresist composition
    7.
    发明申请
    photoresist composition 有权
    光致抗蚀剂组合物

    公开(公告)号：US20060128914A1

    公开(公告)日：2006-06-15

    申请号：US11330659

    申请日：2006-01-12

    申请人： Robert Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong ,  Gregory Wallraff

    发明人： Robert Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong ,  Gregory Wallraff

    IPC分类号： C08F220/22

    CPC分类号： C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

    摘要： A photoresist composition is provided that includes a polymer having at least one acrylate or methacrylate monomer having a formula where R1 represents hydrogen (H), a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons, or a semi- or perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; and where R2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl (CF3) group attached to each carbon of the substituted aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R3 represents hydrogen (H), methyl (CH3), trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated aliphatic chain; and where R4 represents trifluoromethyl (CF3), difluoromethyl (CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated substituted or unsubstituted aliphatic group. A method of patterning a substrate using the photoresist composition is also provided herein.

    摘要翻译： 提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个具有下式的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的聚合物，其中R 1表示氢（H），1至20个碳的直链或支链烷基或 1至20个碳的半或全氟化的直链或支链烷基; 其中R 2表示未取代的脂族基团或具有与取代的脂族基团的每个碳上连接的具有0或1个三氟甲基（CF 3 N 3）基团的取代的脂族基团，或 取代或未取代的芳基; 其中R 3表示氢（H），甲基（CH 3），三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2） （CH 2 CO 2），或半或全氟化脂族链; 并且其中R 4表示三氟甲基（CF 3 S），二氟甲基（CH 2）2，氟甲基（CH 2 CH 2） ）或半或全氟取代或未取代的脂族基团。 本文还提供了使用光致抗蚀剂组合物图案化衬底的方法。

    Photoresist composition
    9.
    发明申请
    Photoresist composition 失效
    光刻胶组成

    公开(公告)号：US20050019696A1

    公开(公告)日：2005-01-27

    申请号：US10916934

    申请日：2004-08-12

    申请人： Robert Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong ,  Gregory Wallraff

    发明人： Robert Allen ,  Gregory Breyta ,  Phillip Brock ,  Richard DiPietro ,  Debra Fenzel-Alexander ,  Carl Larson ,  David Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Ratnam Sooriyakumaran ,  Hoa Truong ,  Gregory Wallraff

    IPC分类号： C08F20/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03C1/73

    CPC分类号： C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/108

    摘要： A photoresist composition is provided that includes a polymer having at least one acrylate or methacrylate monomer having a formula where R1 represents hydrogen (H), a linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons, or a semi- or perfluorinated linear or branched alkyl group of 1 to 20 carbons; and where R2 represents an unsubstituted aliphatic group or a substituted aliphatic group having zero or one trifluoromethyl(CF3) group attached to each carbon of the substituted aliphatic group, or a substituted or unsubstituted aromatic group; and where R3 represents hydrogen (H), methyl(CH3), trifluoromethyl(CF3), difluoromethyl(CHF2), fluoromethyl (CH2F), or a semi- or perfluorinated aliphatic chain; and where R4 represents trifluoromethyl(CF3), difluoromethyl(CHF2), fluoromethyl(CH2F), or a semi- or perfluorinated substituted or unsubstituted aliphatic group. A method of patterning a substrate using the photoresist composition is also provided herein.

    摘要翻译： 提供了一种光致抗蚀剂组合物，其包括具有至少一个具有下式的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯单体的聚合物：其中R 1表示氢（H），1至20个碳的直链或支链烷基，或半或全氟化线性 或碳原子数为1〜20的支链烷基; 并且其中R 2表示未取代的脂族基团或具有连接在取代的脂族基团的每个碳上的零个或一个三氟甲基（CF 3）基团的取代的脂族基团，或取代或未取代的芳族基团; 并且其中R 3表示氢（H），甲基（CH 3），三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2），氟甲基（CH 2 F）或半或全氟化脂族链; 并且其中R 4表示三氟甲基（CF 3），二氟甲基（CHF 2），氟甲基（CH 2 F）或半或全氟取代或未取代的脂族基团。 本文还提供了使用光致抗蚀剂组合物图案化衬底的方法。