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    CHARGE MODULE
    2.
    发明申请
    CHARGE MODULE 审中-公开
    充电模块

    公开(公告)号：US20120049788A1

    公开(公告)日：2012-03-01

    申请号：US13018806

    申请日：2011-02-01

    申请人： Jong Man KIM ,  Seog Moon CHOI ,  Kyu Bum HAN

    发明人： Jong Man KIM ,  Seog Moon CHOI ,  Kyu Bum HAN

    IPC分类号： H02J7/00

    CPC分类号： H05K7/20918

    摘要： Disclosed herein is a charge module for charging a high-capacity battery.The charge module according to the exemplary embodiment of the present invention includes: a heat sink; a fan cover covering the top of the heat sink; a fan mounted on the upper center of the fan cover; and a heat pipe inserted into the side wall of the heat sink to dissipate heat from the side wall of the heat sink through the circulation of refrigerants.

    摘要翻译： 这里公开了一种用于对高容量电池进行充电的充电模块。 根据本发明的示例性实施例的充电模块包括：散热器; 覆盖散热器顶部的风扇盖; 风扇安装在风扇罩的上部中心; 以及插入散热器的侧壁中的热管，以通过制冷剂的循环从散热器的侧壁散发热量。

    RADIATING PACKAGE MODULE FOR EXOTHERMIC ELEMENT
    3.
    发明申请
    RADIATING PACKAGE MODULE FOR EXOTHERMIC ELEMENT 审中-公开
    放射元件放射性包装模块

    公开(公告)号：US20110042042A1

    公开(公告)日：2011-02-24

    申请号：US12581129

    申请日：2009-10-17

    申请人： Jong Man KIM ,  Seog Moon Choi ,  Sang Hyun Shin ,  Jin Su Kim

    发明人： Jong Man KIM ,  Seog Moon Choi ,  Sang Hyun Shin ,  Jin Su Kim

    IPC分类号： F28D15/04 ,  F28F7/00 ,  F28F13/18

    CPC分类号： F28F1/08 ,  F21V29/51 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  F28D15/0275 ,  F28F2275/025 ,  F28F2275/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Disclosed herein is a radiating package module for an exothermic element. The radiating package module includes a heat conducting plate which has a groove of an internal thread shape, with the exothermic element being mounted on a surface of the heat conducting plate. A heat pipe is inserted into the groove in a screw-type coupling manner and has a coupling part of an external thread shape. An adhesive is applied between the groove and the coupling part. A cooling unit is coupled to an end of the heat pipe. The radiating package module maintains the reliability with which the radiating package radiates heat and improves structural reliability.

    摘要翻译： 本文公开了用于放热元件的辐射封装模块。 辐射封装模块包括具有内螺纹形状的槽的导热板，放热元件安装在导热板的表面上。 热管以螺旋式联接的方式插入凹槽中并具有外螺纹形状的联接部分。 在凹槽和耦合部分之间施加粘合剂。 冷却单元联接到热管的一端。 辐射封装模块保持辐射封装散热的可靠性，提高结构可靠性。

    Image Sensor and Method for Manufacturing the Same
    4.
    发明申请
    Image Sensor and Method for Manufacturing the Same 失效
    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20090166694A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：US12326797

    申请日：2008-12-02

    申请人： Jong Man KIM

    发明人： Jong Man KIM

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L27/14636

    摘要： An image sensor and a method for manufacturing the same are provided. In the image sensor, a semiconductor substrate has a pixel region and a peripheral region defined by a first device isolation layer. First and second photodiode patterns are formed on the pixel region and are connected to lower metal lines to first and second readout circuitries. The first photodiode pattern performs as an active photodiode and the second photodiode pattern functions as a dummy pixel. The dummy pixel can measure leakage current.

    摘要翻译： 提供了图像传感器及其制造方法。 在图像传感器中，半导体衬底具有由第一器件隔离层限定的像素区域和外围区域。 第一和第二光电二极管图案形成在像素区域上并且连接到下金属线到第一和第二读出电路。 第一光电二极管图案作为有源光电二极管执行，第二光电二极管图案用作虚拟像素。 虚拟像素可以测量泄漏电流。

    Image Sensor and Method for Manufacturing the Same
    5.
    发明申请
    Image Sensor and Method for Manufacturing the Same 审中-公开
    图像传感器及其制造方法

    公开(公告)号：US20090166687A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：US12265669

    申请日：2008-11-05

    申请人： Jong Man KIM

    发明人： Jong Man KIM

    IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

    摘要： An image sensor and a method for manufacturing the same may include a gate on a semiconductor substrate, a photodiode on the semiconductor substrate at a first side of the gate, a floating diffusion region on the semiconductor substrate at a second side of the gate, in which the second side is opposite to the first side, a channel under the gate, the channel connecting the photodiode with the floating diffusion region, and a barrier region under the photodiode.

    摘要翻译： 图像传感器及其制造方法可以包括半导体衬底上的栅极，栅极第一侧上的半导体衬底上的光电二极管，栅极第二侧上的半导体衬底上的浮动扩散区域， 第二侧与第一侧相对，栅极下方的沟道，连接光电二极管与浮动扩散区的沟道以及光电二极管下方的势垒区。

    HEAT RADIATION SYSTEM FOR POWER MODULE
    6.
    发明申请
    HEAT RADIATION SYSTEM FOR POWER MODULE 审中-公开
    电源模块热辐射系统

    公开(公告)号：US20130314874A1

    公开(公告)日：2013-11-28

    申请号：US13549246

    申请日：2012-07-13

    申请人： Jong Man KIM

    发明人： Jong Man KIM

    IPC分类号： H05K7/20

    CPC分类号： H05K7/20927 ,  H05K7/20272

    摘要： Disclosed herein is a heat radiation system for a power module, including: a heat radiation member having an internal space and a cooling medium circulated in the internal space; a heat generation module formed on the heat radiation member; and a pair of electrodes formed at regions facing each other in the internal space of the heat radiation member and having different volumes.

    摘要翻译： 本文公开了一种用于功率模块的散热系统，包括：具有在内部空间中循环的内部空间和冷却介质的散热构件; 形成在所述散热构件上的发热模块; 以及一对电极，其形成在散热构件的内部空间中彼此面对并具有不同体积的区域。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    7.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    非易失性存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130207177A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：US13602085

    申请日：2012-08-31

    申请人： Jong Man KIM

    发明人： Jong Man KIM

    IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/762

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

    摘要： The nonvolatile memory device includes a semiconductor layer including trenches formed in a first direction, isolation layers filling the trenches, and active regions divided by the isolation layer, first insulating patterns formed on the semiconductor substrate in a second direction crossing the first direction, charge storage layer patterns formed over the respective active regions between the first insulating patterns, and second insulating patterns formed on the isolation layers between the charge storage layer patterns.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括：半导体层，包括沿第一方向形成的沟槽，填充沟槽的隔离层和由隔离层分隔的有源区;在与第一方向交叉的第二方向上形成在半导体衬底上的第一绝缘图案;电荷存储 形成在第一绝缘图案之间的各个有源区上的层图案以及形成在电荷存储层图案之间的隔离层上的第二绝缘图案。

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130207176A1

    公开(公告)日：2013-08-15

    申请号：US13599453

    申请日：2012-08-30

    申请人： Jong Man KIM

    发明人： Jong Man KIM

    IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/28247 ,  H01L27/11521

    摘要： A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a gate pattern formed by patterning a tunnel insulating layer, a conductive film for a floating gate, a dielectric film, a conductive film for a control gate, and a gate metal film sequentially formed on a semiconductor substrate; a first barrier film formed on side walls of the gate metal film; and a second barrier film formed on an upper surface of the gate metal film.

    摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括通过图案化隧道绝缘层，用于浮置栅极的导电膜，电介质膜，用于控制栅极的导电膜和顺序形成在半导体衬底上的栅极金属膜形成的栅极图案; 形成在栅极金属膜的侧壁上的第一阻挡膜; 以及形成在所述栅极金属膜的上表面上的第二阻挡膜。