公开(公告)号：US20090073406A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12265072

申请日：2008-11-05

申请人： Jozef Maria Finders ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Luis Alberto Colina Santamaria Colina ,  Eric Henri Jan Hendrickx ,  Geert Vandenberghe ,  Alexander Hendrikus Martinus Van Der Hoff

发明人： Jozef Maria Finders ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Luis Alberto Colina Santamaria Colina ,  Eric Henri Jan Hendrickx ,  Geert Vandenberghe ,  Alexander Hendrikus Martinus Van Der Hoff

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/70358 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084

摘要： A mask pattern for imaging a marker structure on a substrate with a lithographic apparatus, the marker structure being configured to determine optical alignment or overlay, includes constituent parts to define the marker structure. The constituent parts include a plurality of segments, each segment having substantially a size of a device feature and a segment shape. The mask pattern includes at least one assist feature located at a critical part of the segment shape. The at least one assist feature has substantially a size below a resolution of the lithographic projection and is configured to counteract optical aberrations or optical limitations generated in the lithographic projection at the critical part.

摘要翻译： 用于利用光刻设备对基板上的标记结构进行成像的掩模图案，所述标记结构被配置为确定光学对准或覆盖，包括用于限定标记结构的组成部分。 组成部分包括多个片段，每个片段具有基本上具有器件特征和片段形状的尺寸。 掩模图案包括位于片段形状的关键部分的至少一个辅助特征。 所述至少一个辅助特征具有基本上小于光刻投影的分辨率的尺寸，并且被配置为抵消在关键部分处的光刻投影中产生的光学像差或光学限制。

公开(公告)号：US07466413B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US10887323

申请日：2004-07-09

申请人： Jozef Maria Finders ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Luis Alberto Colina Santamaria Colina ,  Eric Henri Jan Hendrickx ,  Geert Vandenberghe ,  Alexander Hendrikus Martinus Van Der Hoff

发明人： Jozef Maria Finders ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Luis Alberto Colina Santamaria Colina ,  Eric Henri Jan Hendrickx ,  Geert Vandenberghe ,  Alexander Hendrikus Martinus Van Der Hoff

IPC分类号： G01B11/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G03F7/70358 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084

摘要： A mask pattern for imaging a marker structure on a substrate with a lithographic apparatus, the marker structure being configured to determine optical alignment or overlay, includes constituent parts to define the marker structure. The constituent parts include a plurality of segments, each segment having substantially a size of a device feature and a segment shape. The mask pattern includes at least one assist feature located at a critical part of the segment shape. The at least one assist feature has substantially a size below a resolution of the lithographic projection and is configured to counteract optical aberrations or optical limitations generated in the lithographic projection at the critical part.

摘要翻译： 用于利用光刻设备对基板上的标记结构进行成像的掩模图案，所述标记结构被配置为确定光学对准或覆盖，包括用于限定标记结构的组成部分。 组成部分包括多个片段，每个片段具有基本上具有器件特征和片段形状的尺寸。 掩模图案包括位于片段形状的关键部分的至少一个辅助特征。 所述至少一个辅助特征具有基本上小于光刻投影的分辨率的尺寸，并且被配置为抵消在关键部分处的光刻投影中产生的光学像差或光学限制。

公开(公告)号：US08625096B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US12730906

申请日：2010-03-24

申请人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

发明人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

IPC分类号： G01B11/00 ,  H01L23/544 ,  G03B27/32 ,  G03F9/00 ,  G03C5/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： G03F9/7084 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708

摘要： A semiconductor wafer is aligned using a double patterning process. A first resist layer having a first optical characteristic is deposited and foams at least one alignment mark. The first resist layer is developed. A second resist layer having a second optical characteristic is deposited over the first resist layer. The combination of first and second resist layers and alignment mark has a characteristic such that radiation of a pre-determined wavelength incident on the alignment mark produces a first or higher order diffraction as a function of the first and second optical characteristics.

摘要翻译： 使用双重图案化工艺来对准半导体晶片。 沉积具有第一光学特性的第一抗蚀层，并形成至少一个对准标记。 开发出第一抗蚀剂层。 具有第二光学特性的第二抗蚀剂层沉积在第一抗蚀剂层上。 第一和第二抗蚀剂层和对准标记的组合具有使得入射到对准标记上的预定波长的辐射产生作为第一和第二光学特性的函数的第一或更高阶衍射。

公开(公告)号：US20100301458A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12725026

申请日：2010-03-16

申请人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

发明人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/027 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F9/7046 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/105 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7076 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139

摘要： A system and method of manufacturing a semiconductor device lithographically and an article of manufacture involving a lithographic double patterning process having a dye added to either the first or second lithographic pattern are provided. The dye is used to detect the location of the first lithographic pattern and to directly align the second lithographic pattern to it. The day may be fluorescent, luminescent, absorbent, or reflective at a specified wavelength or a given wavelength band. The wavelength may correspond to the wavelength of an alignment beam. The dye allows for detection of the first lithographic pattern even when it is over coated with a radiation sensitive-layer (e.g., resist).

摘要翻译： 提供光刻制造半导体器件的系统和方法以及涉及具有添加到第一或第二光刻图案上的染料的光刻双重图案化工艺的制品。 该染料用于检测第一光刻图案的位置，并将第二光刻图案直接对准。 这一天可以是在指定波长或给定波长带处的荧光，发光，吸收或反射。 波长可对应于对准光束的波长。 染料允许检测第一光刻图案，即使当其涂覆有辐射敏感层（例如抗蚀剂）时。

公开(公告)号：US08709908B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US12725026

申请日：2010-03-16

申请人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

发明人： Harry Sewell ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： G03F9/7046 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/105 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7076 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139

摘要： A system and method of manufacturing a semiconductor device lithographically and an article of manufacture involving a lithographic double patterning process having a dye added to either the first or second lithographic pattern are provided. The dye is used to detect the location of the first lithographic pattern and to directly align the second lithographic pattern to it. The dye may be fluorescent, luminescent, absorbent, or reflective at a specified wavelength or a given wavelength band. The wavelength may correspond to the wavelength of an alignment beam. The dye allows for detection of the first lithographic pattern even when it is over coated with a radiation sensitive-layer (e.g., resist).

摘要翻译： 提供光刻制造半导体器件的系统和方法以及涉及具有添加到第一或第二光刻图案上的染料的光刻双重图案化工艺的制品。 该染料用于检测第一光刻图案的位置，并将第二光刻图案直接对准。 染料可以是在指定波长或给定波长带处的荧光，发光，吸收或反射。 波长可对应于对准光束的波长。 染料允许检测第一光刻图案，即使当其涂覆有辐射敏感层（例如抗蚀剂）时。

公开(公告)号：US20110075238A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12730906

申请日：2010-03-24

申请人： Harry SEWELL ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

发明人： Harry SEWELL ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Manfred Gawein Tenner ,  Maya Angelova Doytcheva

IPC分类号： G02B5/18 ,  G02B5/23 ,  G03B27/54 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F9/7084 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708

摘要： A semiconductor wafer is aligned using a double patterning process. A first resist layer having a first optical characteristic is deposited and foams at least one alignment mark. The first resist layer is developed. A second resist layer having a second optical characteristic is deposited over the first resist layer. The combination of first and second resist layers and alignment mark has a characteristic such that radiation of a pre-determined wavelength incident on the alignment mark produces a first or higher order diffraction as a function of the first and second optical characteristics.

摘要翻译： 使用双重图案化工艺来对准半导体晶片。 沉积具有第一光学特性的第一抗蚀层，并形成至少一个对准标记。 开发出第一抗蚀剂层。 具有第二光学特性的第二抗蚀剂层沉积在第一抗蚀剂层上。 第一和第二抗蚀剂层和对准标记的组合具有使得入射到对准标记上的预定波长的辐射产生作为第一和第二光学特性的函数的第一或更高阶衍射。

公开(公告)号：US20130017378A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13617616

申请日：2012-09-14

申请人： Maya Angelova Doytcheva ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

发明人： Maya Angelova Doytcheva ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

IPC分类号： G03B27/54 ,  B32B3/10 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851

摘要： A method is described for alignment of a substrate during a double patterning process. A first resist layer containing at least one alignment mark is formed on the substrate. After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited over the first resist layer, leaving a planar top surface (i.e., without topography). By baking the second resist layer appropriately, a symmetric alignment mark is formed in the second resist layer with little or no offset error from the alignment mark in the first resist layer. The symmetry of the alignment mark formed in the second resist can be enhanced by appropriate adjustments of the respective thicknesses of the first and second resist layers, the coating process parameters, and the baking process parameters.

摘要翻译： 描述了在双重图案化工艺期间对准衬底的方法。 在基板上形成包含至少一个对准标记的第一抗蚀剂层。 在第一抗蚀剂层显影之后，在第一抗蚀剂层上沉积第二抗蚀剂层，留下平坦的顶表面（即，没有形貌）。 通过适当地烘烤第二抗蚀剂层，在第二抗蚀剂层中形成与第一抗蚀剂层中的对准标记几乎没有或没有偏移误差的对称对准标记。 可以通过适当调整第一和第二抗蚀剂层的相应厚度，涂覆工艺参数和烘焙工艺参数来增强形成在第二抗蚀剂中的对准标记的对称性。

公开(公告)号：US08329366B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12768128

申请日：2010-04-27

申请人： Maya Angelova Doytcheva ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

发明人： Maya Angelova Doytcheva ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851

摘要： A method is described for alignment of a substrate during a double patterning process. A first resist layer containing at least one alignment mark is formed on the substrate. After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited over the first resist layer, leaving a planar top surface (i.e., without topography). By baking the second resist layer appropriately, a symmetric alignment mark is formed in the second resist layer with little or no offset error from the alignment mark in the first resist layer. The symmetry of the alignment mark formed in the second resist can be enhanced by appropriate adjustments of the respective thicknesses of the first and second resist layers, the coating process parameters, and the baking process parameters.

摘要翻译： 描述了在双重图案化工艺期间对准衬底的方法。 在基板上形成包含至少一个对准标记的第一抗蚀剂层。 在第一抗蚀剂层显影之后，在第一抗蚀剂层上沉积第二抗蚀剂层，留下平坦的顶表面（即，没有形貌）。 通过适当地烘烤第二抗蚀剂层，在第二抗蚀剂层中形成与第一抗蚀剂层中的对准标记几乎没有或没有偏移误差的对称对准标记。 可以通过适当调整第一和第二抗蚀剂层的相应厚度，涂覆工艺参数和烘焙工艺参数来增强形成在第二抗蚀剂中的对准标记的对称性。

公开(公告)号：US20100323171A1

公开(公告)日：2010-12-23

申请号：US12768128

申请日：2010-04-27

申请人： Maya Angelova DOYTCHEVA ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

发明人： Maya Angelova DOYTCHEVA ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Harry Sewell ,  Robertus Wilhelmus Van Der Heijden

IPC分类号： B32B3/10 ,  G03F7/20 ,  G03B27/42

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70466 ,  G03F9/7065 ,  G03F9/708 ,  G03F9/7084 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851

摘要： A method is described for alignment of a substrate during a double patterning process. A first resist layer containing at least one alignment mark is formed on the substrate. After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited over the first resist layer, leaving a planar top surface (i.e., without topography). By baking the second resist layer appropriately, a symmetric alignment mark is formed in the second resist layer with little or no offset error from the alignment mark in the first resist layer. The symmetry of the alignment mark formed in the second resist can be enhanced by appropriate adjustments of the respective thicknesses of the first and second resist layers, the coating process parameters, and the baking process parameters.

摘要翻译： 描述了在双重图案化工艺期间对准衬底的方法。 在基板上形成包含至少一个对准标记的第一抗蚀剂层。 在第一抗蚀剂层显影之后，在第一抗蚀剂层上沉积第二抗蚀剂层，留下平坦的顶表面（即，没有形貌）。 通过适当地烘烤第二抗蚀剂层，在第二抗蚀剂层中形成与第一抗蚀剂层中的对准标记几乎没有或没有偏移误差的对称对准标记。 可以通过适当调整第一和第二抗蚀剂层的相应厚度，涂覆工艺参数和烘焙工艺参数来增强形成在第二抗蚀剂中的对准标记的对称性。

公开(公告)号：US07112813B2

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：US10665720

申请日：2003-09-22

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Frank Bornebroek ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Antoine Gaston Marie Kiers ,  Justin Lloyd Kreuzer ,  Maurits Van Der Schaar ,  Paul Jacques Van Wijnen ,  Everhardus Cornelis Mos ,  Pieter Willem Herman De Jager ,  Hans Van Der Laan ,  Paul Frank Luehrmann

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Frank Bornebroek ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Antoine Gaston Marie Kiers ,  Justin Lloyd Kreuzer ,  Maurits Van Der Schaar ,  Paul Jacques Van Wijnen ,  Everhardus Cornelis Mos ,  Pieter Willem Herman De Jager ,  Hans Van Der Laan ,  Paul Frank Luehrmann

IPC分类号： G01N21/86

CPC分类号： G03F9/7084 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7088 ,  G03F9/7092

摘要： A method of device inspection, the method comprising providing an asymmetric marker on a device to be inspected, the form of asymmetry of the marker being dependent upon the parameter to be inspected, directing light at the marker, obtaining a first measurement of the position of the marker via detection of diffracted light of a particular wavelength or diffraction angle, obtaining a second measurement of the position of the marker via detection of diffracted light of a different wavelength or diffraction angle, and comparing the first and second measured positions to determine a shift indicative of the degree of asymmetry of the marker.

摘要翻译： 一种设备检查方法，所述方法包括在要检查的设备上提供不对称标记，标记的不对称形式取决于待检查的参数，将光引导到标记处，获得第一测量位置 通过检测特定波长或衍射角的衍射光，通过检测不同波长或衍射角的衍射光来获得标记的位置的第二测量，并且比较第一和第二测量位置以确定偏移 指示标记物的不对称程度。