公开(公告)号：US20160093617A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：US14635253

申请日：2015-03-02

申请人： Jung-Min PARK ,  Suk-Hoon KIM ,  Min-Woo SONG ,  Seok-Jun WON ,  In-Hee LEE ,  Kyung-Il HONG ,  Sang-Jin HYUN

发明人： Jung-Min PARK ,  Suk-Hoon KIM ,  Min-Woo SONG ,  Seok-Jun WON ,  In-Hee LEE ,  Kyung-Il HONG ,  Sang-Jin HYUN

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/42328 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device, including a substrate; an interlayer insulating layer having a trench on the substrate, the trench having a bottom and sidewalls; a dielectric layer on the bottom and sidewalls of the trench; a work function control layer on the dielectric layer; a wetting layer on the work function control layer; a gap fill layer on the wetting layer; and a reactive layer between the wetting layer and the gap fill layer, the reactive layer being thicker than the gap fill layer.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括衬底; 在所述衬底上具有沟槽的层间绝缘层，所述沟槽具有底部和侧壁; 在沟槽的底部和侧壁上的电介质层; 电介质层上的功函数控制层; 工作功能控制层上的润湿层; 润湿层上的间隙填充层; 以及在润湿层和间隙填充层之间的反应层，反应层比间隙填充层厚。

公开(公告)号：US20160133525A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：US14873456

申请日：2015-10-02

申请人： Joon-Gon LEE ,  Ryuji TOMITA ,  Sang-Jin HYUN ,  Kuo Tai HUANG

发明人： Joon-Gon LEE ,  Ryuji TOMITA ,  Sang-Jin HYUN ,  Kuo Tai HUANG

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： In a method of manufacturing a semiconductor device, a first gate structure and a second gate structure are formed on a substrate in a first region and a second region, respectively. A first semiconductor pattern including germanium is formed in the first region on the substrate. A first metal layer is formed on the substrate to cover the first semiconductor pattern. A first heat treatment process is performed such that the first semiconductor pattern and the first metal layer react with each other to form a first metal-semiconductor composite pattern in the first region and a semiconductor material of the substrate and the first metal layer react with each other to form a second metal-semiconductor composite pattern in the second region. The first metal-semiconductor composite pattern is removed from the substrate. A second metal layer is formed on the substrate to cover the second metal-semiconductor composite pattern. The second metal layer includes a material different from the first metal layer. A second heat treatment process is performed such that the substrate and the second metal layer react with each other to form a third metal-semiconductor composite pattern.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，分别在第一区域和第二区域中的衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构。 在基板上的第一区域中形成包括锗的第一半导体图案。 在基板上形成第一金属层以覆盖第一半导体图案。 执行第一热处理工艺，使得第一半导体图案和第一金属层彼此反应以在第一区域中形成第一金属 - 半导体复合图案，并且基板和第一金属层的半导体材料与每个 另外在第二区域形成第二金属 - 半导体复合图案。 从衬底去除第一金属 - 半导体复合图案。 在基板上形成第二金属层以覆盖第二金属 - 半导体复合图案。 第二金属层包括与第一金属层不同的材料。 执行第二热处理工艺，使得基板和第二金属层彼此反应以形成第三金属 - 半导体复合图案。

公开(公告)号：US20160308004A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US15006717

申请日：2016-01-26

申请人： Do-Sun LEE ,  Chang-Woo SOHN ,  Chul-Sung KIM ,  Shigenobu MAEDA ,  Young-Moon CHOI ,  Hyo-Seok CHOI ,  Sang-Jin HYUN

发明人： Do-Sun LEE ,  Chang-Woo SOHN ,  Chul-Sung KIM ,  Shigenobu MAEDA ,  Young-Moon CHOI ,  Hyo-Seok CHOI ,  Sang-Jin HYUN

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/165 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： Semiconductor devices are provided. A semiconductor device includes a substrate. The semiconductor device includes an isolation layer defining active portions of the substrate that are spaced apart from each other in a direction. The semiconductor device includes an epitaxial layer on the active portions. The semiconductor device includes a metal silicide layer on the epitaxial layer. Moreover, the semiconductor device includes a contact structure that only partially overlaps the metal silicide layer on the epitaxial layer. Related methods of forming semiconductor devices are also provided.

摘要翻译： 提供半导体器件。 半导体器件包括衬底。 半导体器件包括限定基板的有效部分的隔离层，其在一个方向上彼此间隔开。 半导体器件在有源部分上包括外延层。 半导体器件在外延层上包括金属硅化物层。 此外，半导体器件包括仅在外延层上部分地重叠金属硅化物层的接触结构。 还提供了形成半导体器件的相关方法。

公开(公告)号：US20160020118A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：US14802467

申请日：2015-07-17

申请人： Moon-Kyu PARK ,  Oh-Seong KWON ,  Sung-Kee HAN ,  Sang-Jin HYUN

发明人： Moon-Kyu PARK ,  Oh-Seong KWON ,  Sung-Kee HAN ,  Sang-Jin HYUN

IPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/28 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： Provided are methods for fabricating semiconductor devices. The methods for fabricating the semiconductor devices may include forming a first interlayer insulation film including a trench on a substrate, forming a high-k layer along an inner sidewall and a bottom surface of the trench, forming a first work function control film including impurities along the high-k layer, removing the impurities from the first work function control film to reduce surface resistance of the first work function control film by about 30% to about 60% and forming a gate metal in the trench.

摘要翻译： 提供制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法可以包括在衬底上形成包括沟槽的第一层间绝缘膜，沿着沟槽的内侧壁和底表面形成高k层，形成包含杂质的第一功函数控制膜 高k层，从第一功函数控制膜去除杂质，以使第一功函数控制膜的表面电阻降低约30％至约60％，并在沟槽中形成栅极金属。

公开(公告)号：US20120292715A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：US13445667

申请日：2012-04-12

申请人： Hyung-Seok HONG ,  Sang-Jin HYUN ,  Hong-Bae PARK ,  Hoon-Joo NA ,  Hye-Lan LEE

发明人： Hyung-Seok HONG ,  Sang-Jin HYUN ,  Hong-Bae PARK ,  Hoon-Joo NA ,  Hye-Lan LEE

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/66795

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor device and systems incorporating the same include transistors having a gate metal doped with impurities. An altered work function of the transistor may alter a threshold voltage of the transistor. In certain embodiments, a gate metal of a first MOSFET is doped with impurities. A gate metal of a second MOSFET may be left undoped, doped with the same impurities with a different concentration, and/or doped with different impurities. In some embodiments, the MOSFETs are FinFETs, and the doping may be a conformal doping

摘要翻译： 制造半导体器件的方法，半导体器件和结合其的系统包括掺杂有杂质的栅极金属的晶体管。 晶体管的改变的功函数可以改变晶体管的阈值电压。 在某些实施例中，第一MOSFET的栅极金属掺杂有杂质。 第二MOSFET的栅极金属可以不掺杂，掺杂有不同浓度的相同杂质和/或掺杂有不同杂质。 在一些实施例中，MOSFET是FinFET，并且掺杂可以是共形掺杂

公开(公告)号：US20160225868A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US14989154

申请日：2016-01-06

申请人： Wan-Don KIM ,  Oh-Seong KWON ,  Hoon-Joo NA ,  Hyeok-Jun SON ,  Jae-Yeol SONG ,  Sung-Kee HAN ,  Sang-Jin HYUN

发明人： Wan-Don KIM ,  Oh-Seong KWON ,  Hoon-Joo NA ,  Hyeok-Jun SON ,  Jae-Yeol SONG ,  Sung-Kee HAN ,  Sang-Jin HYUN

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238

摘要： A semiconductor device includes a first transistor comprising a first dielectric film on a substrate and a first work function metal film of a first conductivity type on the first dielectric film, a second transistor comprising a second dielectric film on the substrate and a second work function metal film of the first conductivity type on the second dielectric film, and a third transistor comprising a third dielectric film on the substrate and a third work function metal film of the first conductivity type on the third dielectric film. The first dielectric film comprises a work function tuning material and the second dielectric film does not comprise the work function tuning material. The first work function metal film has different thickness than the third work function metal film. Related methods are also described.

摘要翻译： 半导体器件包括：第一晶体管，包括在基板上的第一电介质膜和第一电介质膜上的第一导电类型的第一功函数金属膜，第二晶体管，其在基板上包括第二电介质膜，第二功函数金属 第二电介质膜上的第一导电类型的膜，以及在基板上包括第三电介质膜的第三晶体管和在第三介电膜上的第一导电类型的第三功函数金属膜。 第一电介质膜包括功函数调谐材料，第二电介质膜不包括功函调谐材料。 第一功能金属膜的厚度与第三功函数金属膜的厚度不同。 还描述了相关方法。